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种治疗慢性硬膜下血肿的中药组合物及其制备方法
本发明的目的在于公开一种治疗慢性硬膜下血肿的中药组合物及其制备方法，本发明的目的还在于公开该组合物的制备方法。本发明药物组合物的原料药组成比例为：制成该药的原料药的组成及重量份为：路路通100—220份，白及100—210份，鳖甲20—100份，茯苓60—160份，地骨皮60—160份，银柴胡60—160份，白薇60—120份，生地黄30—120份，山栀子30—120份，陈皮30—120份，佛手20—100份，白芍10—80份，荔枝核10—80份，法半夏10—80份，礞石10—80份，珍珠母10—80份，五味子10—80份，乌梅30—90份，诃子30—90份，甘草30—160份。本发明药物可以加入常规辅料，按照常规工艺，制成临床可接受的片剂、胶囊剂。
青岛大学
2021-04-13
豌豆淀粉和蜡质玉米淀粉纳米晶复合膜及其制备方法
本发明公开了一种豌豆淀粉和蜡质玉米淀粉纳米晶复合膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将含质量分数为0.047％的豌豆淀粉，质量分数为0.023％的甘油的水溶液，经沸水浴搅拌加热40-50min后冷却至45-55℃；(2)向步骤(1)所得溶液中加入WMSNC，所述WMSNC的加入量为PS干基含量的1％-9％；(3)将步骤(2)所得溶液磁力混合搅拌25-35min后倒入抽滤瓶中，用真空度为1.0MPa的真空泵脱气6-15min，得复合膜液体；(4)取上述复合膜液体平铺于平面皿上，置于35-45℃的恒温干燥箱中干燥即得复合膜。添加WMSNC后，复合膜的TS和M增加，而E降低，透水系数和透水速率显著降低。纯PS膜表面平整、光滑，随着WMSNC添加量的增加复合膜表面逐渐粗糙。
青岛农业大学
2021-04-13
一种玉米淀粉复合膜及其制备方法及应用
本发明公开了一种玉米淀粉复合膜及其制备方法及应用，其由玉米淀粉，甘油、增强剂组成，所述增强剂为纳米CaCO3、蜡质玉米淀粉纳米颗粒或壳聚糖，所述质量比玉米淀粉：甘油＝6.5～8.0 : 1.5～3.0，当增强剂为纳米CaCO3时、蜡质玉米淀粉纳米颗粒，增强剂/玉米淀粉的质量分别为：0.02～0.5、1～25；当增强剂为纳米CaCO3和壳聚糖时，纳米CaCO3的质量/玉米淀粉的质量为0.06，壳聚糖的质量/玉米淀粉的质量：10～50；所述纳米CaCO3颗粒大小介于30～50nm；所述蜡质玉米淀粉纳米颗粒大小70～120nm。本发明的复合膜机械性能得到明显的改善；膜的透光率和透湿性降低；热特性较好；复合膜比玉米淀粉膜的热稳定性高；玉米淀粉与纳米CaCO3颗粒之间有较好的相容性。
青岛农业大学
2021-04-13
KSQ-500电池极片卷绕设备开发
研究领域 以企业的生产需要为出发点，以研发新产品、新设备、新工艺为目标，进行光机电一体化成套设备及新技术的研究与开发，解决企业发展过程中的瓶颈问题。围绕创新制造工艺、机电控制及自动化，开展绿色化、系统化智能机电一体化技术及其在生产过程中的应用研究。主要研究方向有：（1）绿色新能源生产技术及设备（2）特种加工机械（3）新型包装机械（4）根据企业实际需求定制光机电一体化成套设备（生产线）的研发。科研成果及简介 所承担主要项目： 锌空燃料电池极片干嵌法成形过程控制的理论与技术(国家自然基金) ·高速水墨柔性印刷模切机CL1224 （国家科技部） ·机械软起动控制系统的开发（天津市教委） ·柔性传动行星轮差速机构的研究 （河北省教育厅） ·机械液压自动控制软启动系统（石家庄科技局） ·自动分页装订机的开发研究（河北省教委） 横向课题： 纸管机开发（天津巨业衣架制造有限公司） 盘料螺纹钢滚丝机（天津市天鹏建筑器材有限公司） 五金平台自动机械手的研制（庆辉五金制品有限公司） 乒乓胶皮海绵上料系统的研发（天津七二九体育器材开发有限公司） 电池极片卷绕设备（海裕百特锂能设备有限公司） 锂电池极片轧制卷绕线 ； 流延膜挤压收卷装置及控制系统的合作研发； 瓦棱机生产线控制系统的研制； KSQ-500电池极片卷绕设备开发 木工挖船机（威卢克斯有限公司） WS-260卫生巾生产线获奖与专利一种布料机 发明专利 专利号：200910068754.x一种双向水泥土搅拌桩机 发明专利 专利号：200910069172.3一种双向水泥土搅拌桩机 发明专利 专利号：200910069171.9一种双向水泥土搅拌桩钻杆 发明专利 专利号：200910069170.4一种收获机 发明专利 专利号：200910069269.4可转让项目 可承担（合作开发）科研项目与技术合作光机电一体化成套设备（生产线）的研发
河北工业大学
2021-04-11
极深紫外光源与纳米器件制造
徐永兵课题组于2014年启动了国家重大仪器研究计划（飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统，项目编号61427812）。此项目就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前已经成功地在实验室中，实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源，脉冲重复频率为1kHz，单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右，亮度为1 ´ 1011光子/s。从光
南京大学
2021-04-14
一种新型高倍甜味剂—双甜的生产制备
阿斯巴甜作为低热量、高甜度、非营养性甜味剂，却具有热不稳定性和在水溶液中的稳定 性受溶液的pH影响大等缺点，使其在应用上受到一定的限制。通过把阿斯巴甜和其他化合物 反应转化成盐，以改善其物理性质和稳定性，从而得到一种新型甜味剂——双甜 (Twinsweet) 。双甜在美国被批准为安全物质 (GRAS) ，欧洲部分国家已允许使用。我国卫生部目前还未批 准。双甜是一种新型高倍甜味剂。双甜是安赛蜜的阿斯巴甜盐，它在溶液中能完全离解成阿 斯甜和安赛蜜，不吸湿，易溶。在70℃—80℃下或较高的温度下具有比阿斯巴甜更好的热稳定 性；由于是盐，使其具有更加优越的溶解速率。由于双甜是由阿斯巴甜和AK糖两种非营养型 甜味剂反应而合成的盐，所以具有两者共同的优点，无热量，无龋齿性，单位甜度几乎增加一 倍，如果工艺成熟，将会有很好的经济效益。 双甜，即为天门冬氨酰苯丙氨酸甲酯的双氧嗯噻嗪盐，在欧洲专利中，通过将其转化成 盐，可以改善包括阿斯巴甜在内的肽类物质的物理性质和稳定性。一般研究报道的方法产率较 低，但是其中有残留盐，有研究者用中间体参与反应，避免了残留盐的产生，可是产率却降 低，另外所需的中间体也不易得到，如果能将此工艺的产率提高，应该可以大量生产。由于盐 的甜味组分之间产生的协同作用，使得双甜比各个甜味剂组分本身具有更高的甜度，而且至少 比通过简单混合各个组分制得的相同量的产品高10％—15％，双甜的甜度约为蔗糖的340倍左 右；该项目对合成工艺进行了专门研究，双甜产率已可达到90%以上，甜度和稳定性都比阿斯 巴甜有了显著提高，附加值有了明显提高，具有较高的市场开发和应用价值。
华东理工大学
2021-04-11
一种双块式无砟轨道板及其制备方法
本发明公开了一种双块式无砟轨道板，包括道床板和浇筑在道床板内的双块式轨枕，双块式轨枕包括两个枕块以及两端分别浇筑在两个枕块内的若干桁架，桁架为空间桁架，桁架包括沿枕块高度方向分层布置的多根纵梁，所述纵梁采用钢?连续纤维复合筋制成，纵梁的延伸方向与双块式轨枕的延伸方向一致。本发明还公开了一种双块式无砟轨道板的制备方法，以钢?连续纤维复合筋制作的桁架作为横向受力筋与混凝土结合，制备的双块式无砟轨道板；消除了轨道板内部钢筋桁架形成的闭合回路，提高了轨道板的绝缘性能，增加了轨道电路的使用长度，并且保证了轨道板的受力性能和耐久性能，该制备方法工艺简单，无需其他绝缘措施，有效减小成本。
东南大学
2021-04-11
自粘接双壁香精微胶囊的制备及应用
本发明公开了一种自粘接双壁香精微胶囊的制备及应用方法。采用复合乳化剂，以香精为囊芯，密胺树脂和聚丙烯酸酯为壁材，分别通过原位聚合法和界面聚合法分别对香精进行包囊，制备了自粘接双壁香精微胶囊，并提供了这种自粘接双壁香精微胶囊的应用方法。本发明效果为采用一种安全环保的制备方法制得自粘接双壁香精微胶囊，其固含量为30%-35%，较市面上其他香精微胶囊固含量高出10%-15%。通过原位聚合法和界面聚合法进行双层造壁，对香精包裹率可达90%-95%，产品乳液具有良好的稳定性。自粘接双壁香精微胶囊在保持微胶囊特有优势的同时，使其具备了自粘接性能，简化了棉织物整理工艺。且整理的棉织物留香效果良好，静置留香可达6个月，水洗10次后仍然能保持怡人香气。
天津城建大学
2021-04-11
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;第一 MoS2 层
华中科技大学
2021-04-14
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11