产品详细介绍

简介：本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元；控制方法的步骤为：（1）控制S1与S4处于导通状态，S2与S3处于关断状态；（2）控制S1、S2、S3和S4处于关断状态，Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；（3）控制S2与S3处于导通状态，S1与S4处于关断状态，Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，Q瞬间被关断；（4）控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态，Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力，可有效防止开关器件的误导通。

本实用新型公开了一种多煤层水库排压疏水连接装置，水流穿过内腔底座时，通过击打搅拌桨使得搅拌桨转动并带动控制齿轮，内螺纹管转动并带动螺纹轴上升；由于固定通孔与转动配合轴啮合，第一行星轮分别带动外齿圈、内齿圈转动，第一支撑轴和第二支撑轴转动并通过摆动件带动转动轴前后移动，扇形盖体翻转，水流穿过内腔盖体机构；当水流流速较小时，扇形盖体不会处于完全打开的状态。该申请能够在使用时，根据水压的强度进行灵活变换水流通过效率，便于对不同水压的多煤层内部进行疏水使用，避免在使用时疏水管受压过大造成破裂，有效的增强了疏

在压裂施工过程中，压裂液的性能对油田的增产增储起着至关重要的作用， 压裂液的配制用水一般为清水配制。由于在某些地区所处的地理位置水资源匮 乏，并且用水量较大，给配制压裂液带来较多的问题；另一方面，压裂液的返 排液存量较大，如果随意排放会对环境造成污染，也是对水资源的巨大浪费。 将压裂液返排液重复利用是一个较好解决配制用水不足，同时又减轻了污染环 境的办法，有利于节省施工费用、缩短作业周期，带来可观的经济效益，更重 要的是减少了系统的总污水量，减轻了产出液后续处理的负担，为当地的可持 续发展，建设能源节约型、环境友好型企业带来了巨大的社会效益。 压裂液返排液中，成分复杂，主要有稠化剂、交联剂、破胶剂、助排剂、 72 破乳剂、杀菌剂、粘土稳定剂以及高矿化度的水等组成。与清水比较具有矿化 度高、离子成分复杂、有机物含量高、含油量高、pH 值变化大、悬浮物含量高、 存在大量的铁细菌、硫酸盐还原菌及腐生菌等特点。这对用返排液配制压裂液 提出了更高的要求，是一个巨大的挑战。

本发明公开了一种有压突扩突跌圆形射流消能工。所述有压突扩突跌圆形射流消能工包括与有压泄洪洞衔接的第一过渡段、矩形闸室段、消力池，其结构特点在于还包括第二过渡段和等孔径圆管段，所述第一过渡段、矩形闸室段、第二过渡段、等孔径圆管段和消力池依次衔接相连；所述等孔径圆管段的孔径应满足下述不等式：0.2B

技术特点 ：苯乙酸是一种重要的医药和化工原料，其利用小氮肥厂铜 洗 CO 废气为原料制造苯乙酸， 具有环境保护和资源回收利用的双重意义。 生产工艺和传统工艺相比： 具有生产成本低、 工艺条件温和、 污染小、 生产卫生条件好的优点。 投资规模 ：本项目的关键技术为生产工艺条件和催化剂的回收利用， 如建设年产 500 吨的苯乙酸工业化装置，需固定资产投资 325 万元，厂房 700M2

在压裂施工过程中，压裂液的性能对油田的增产增储起着至关重要的作用，压裂液的配制用水一般为清水配制。由于在某些地区所处的地理位置水资源匮乏，并且用水量较大，给配制压裂液带来较多的问题；另一方面，压裂液的返排液存量较大，如果随意排放会对环境造成污染，也是对水资源的巨大浪费。将压裂液返排液重复利用是一个较好解决配制用水不足，同时又减轻了污染环境的办法，有利于节省施工费用、缩短作业周期，带来可观的经济效益，更重要的是减少了系统的总污水量，减轻了产出液后续处理的负担，为当地的可持续发展，建设能源节约型、环境

产品详细介绍产品名称:  MP系列Mini-Photohelic袖珍型微差压表/开关产品型号:  MP袖珍型、经济型的微差压开关/表适合空气或非可燃性气体,用于烟罩、气动传动及净化间压差指示、上限控制、下限控制输出：两个SPDT继电器,容量5A/28VDC/120VAC/240VAC范围：0-125/250/500Pa/1KPa/等规格,最大1bar工作温度：-6.7-+49°C精度：±5%F.S.O.报警:表盘上LED指示报警状态设定:按键调节尺寸：78X98mm重量：652g认证:UL,CUL选型表:型 号 量程（in.w.c.） 型 号 量程（mm.w.c.） MP-000 0-0.5 MP-25MM 0-25 MP-001 0-1.0 MP-50MM 0-50 MP-002 0-2.0 MP-100MM 0-100 MP-003 0-3.0 型号 量程（Pa） MP-005 0-5.0 MP-125Pa 0-125 MP-010 0-10 MP-250Pa 0-250 MP-020 0-20 MP-500Pa 0-500 MP-040 0-40 型 号 量程（KPa） MP-060 0-60 MP-1Kpa 0-1 MP-100 0-100 MP-3Kpa 0-3 型 号 量程（psi） 　 　 MP-5PSI 0-5 　 　 MP-10PSI 0-10 　 　 MP-15PSI 0-15 　 　  

近年来，磁振子电子学在信息计算和信息传输领域表现出了极具价值的应用潜力。磁振子电子学利用以磁振子为载体的电子自旋进动来实现信息处理，有望实现无热量产生、低耗散的信息传输，相比于传统意义上通过操纵电荷来实现信息的处理的微电子学具有无可比拟的巨大优势。磁振子电子学领域的进展很大程度上依赖于能够有效传输磁振子的新材料的发现，而获得长距离的磁振子输运始终是磁振子电子学研究的重中之重。与通常的三维磁性绝缘体（如Yttrium Iron Garnet）相比，二维尺度下的磁振子被理论预言有很多的新颖物理效应，例如自旋能斯特效应，拓扑磁振子，以及外尔磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科学中心韩伟课题组在二维磁性体系中展开工作并取得了重要进展，观测到了二维反铁磁体系中磁振子的长距离输运。MnPS3晶体是一种层状反铁磁材料，利用机械剥离手段得到了二维的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制备了用于测量磁振子输运的非局域器件，器件结构如图A所示。器件左侧Pt电极通过热方法来注入磁振子，右侧Pt电极探测在二维MnPS3中扩散传输的磁振子。在二维反铁磁MnPS3中，实验上观测到了几微米的磁振子扩散长度。并且从图B中可以看出，随着注入端和探测端距离的增加，探测到的非局域信号表现出e指数衰减的形式，跟一维漂移扩散模型的理论模型一致。在此基础上，他们还系统研究了MnPS3厚度对磁振子弛豫性质的影响。随着MnPS3厚度从40nm降低至8nm，磁振子弛豫长度由4μm减小到1μm（图C），这可能是由较薄的MnPS3中较强的表面杂质散射效应导致的。 该文章中的结果具有重要的学术价值：二维材料中的磁振子输运实现为二维磁性材料在磁振子电子学的应用与发展奠定了基础，也有望推动磁振子在量子尺度下的新颖量子物理性质研究。图：二维反铁磁体系中磁振子输运研究。（A）二维反铁磁MnPS3中的磁振子输运测量结构示意图。（B）自旋信号R_NL^*随电极间距的依赖关系，与理论预言的e指数衰减吻合。（C）磁振子弛豫长度随MnPS3厚度的依赖关系。 该工作于2019年2月7日在线发表于物理学术期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。该工作由韩伟研究员设计和指导完成，北京大学量子材料科学中心2015级博士生邢文宇为文章第一作者，物理学院2015级本科生邱露颐为第二作者（今年9月份将去哈佛大学读博士），韩伟研究员为文章通讯作者。本工作的顺利完成得到了量子材料科学中心贾爽教授和谢心澄院士的合作帮助，以及国家重大科学研究计划、国家自然科学基金、中国科学院战略性先导科技专项的支持。