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二维黑磷 “以少胜多”的红外光吸收现象
(2-7层黑磷中(a)激子吸收与层数的关系;(b)带边吸收与层数的关系;(c)二维激子示意图)复旦大学物理学系晏湖根课题组首次在实验上测定了少层黑磷的光吸收强度,发现激子吸收随着层数的减少反而增大。4月15日,相关成果以《少层黑磷光电导的红外光谱研究》为题在
复旦大学 2021-01-12
稀土合金材料的电磁输运特性及其磁热效应研究
对稀土合金磁性材料的电磁输运特性、变磁性转变、自旋重定向及 其与之相关的结构相变等行为进行深入的实验研究,重点关注其中 介观尺度磁畴结构、相分离现象以及微观电子结构等的衍变规律、 以及它们与宏观电磁现象的关联效应,深入理解稀土元素在其中发 挥的重要作用以及稀土合金材料的磁性作用机制,探究4f—3d电子 的相互作用机理,以达到探寻其微观物理本质的目的;在此基础上 ,进一步研究该类材料中的磁热效应,为磁制冷技术的推广与应用 提供可靠的实验数据支持。 该项目的研究对象为先进功能材料,对于改善生活环境和节能减排 都具有一定的现实意义。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
电输运性质测量系统霍尔效应测试电阻测量仪器
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北京锦正茂科技有限公司 2022-03-30
全自动化电输运性质测试系统霍尔效应磁阻测试
产品特点: 可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量,可得出参数:方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型,可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线,以及I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线,R-H特性——固定温度,电阻随着磁场变化的特性曲线,R-T特性——固定磁场,电阻随着温度变化的特性曲线。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 产品功能: 1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准 2·电阻测量范围宽:100nΩ(低电阻选件)~ 100GΩ(高阻系统); 3·使用插入式样品卡,样品安装方便,同时提供四探针卡,免去制作电极的麻烦 4·标准系统一次可以同时测量2个样品,增加选件可同时测量4个样品; 5·测量和计算过程由软件自动执行,3分钟即可得到一个霍尔效应数据; 6·提供长时间高稳定性的磁场,24小时稳定性<±0.5G,并且磁场能够平滑过零 7·电磁铁电源内置高斯计,磁场从0到1kG只需20S即可控制在0.1G以内; 8·选择温度选件,可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!
北京锦正茂科技有限公司 2022-03-05
全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器
产品特点: 可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量,可得出参数:方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型,可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线,以及I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线,R-H特性——固定温度,电阻随着磁场变化的特性曲线,R-T特性——固定磁场,电阻随着温度变化的特性曲线。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器 产品功能: 1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准 2·电阻测量范围宽:100nΩ(低电阻选件)~ 100GΩ(高阻系统); 3·使用插入式样品卡,样品安装方便,同时提供四探针卡,免去制作电极的麻烦 4·标准系统一次可以同时测量2个样品,增加选件可同时测量4个样品; 5·测量和计算过程由软件自动执行,3分钟即可得到一个霍尔效应数据; 6·提供长时间高稳定性的磁场,24小时稳定性<±0.5G,并且磁场能够平滑过零 7·电磁铁电源内置高斯计,磁场从0到1kG只需20S即可控制在0.1G以内; 8·选择温度选件,可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器    
北京锦正茂科技有限公司 2022-08-12
利用晶相共生现象可控合成异质结光催化材料
基于半导体异质结概念,首次通过工艺简单,成本低廉熔融盐法合成一系列钽酸钙基半导体异质结复合材料,发现了两元及多元半导体复合物组分及其含量可通过改变前驱物比例简单调控,证明该异质结复合物相,组分变化与光催化制氢性能有着密切关系,阐明不同钽酸钙晶相界面异质结形成促进光生电荷有效分离机制,极大地提高光催化制氢性能。
上海理工大学 2021-04-10
二维磁性CrI3中磁序引入的反常偏振拉曼散射谱
近年来二维磁性材料由于其丰富的物理性能以及广阔的应用前景吸引了广泛的关注。在众多的二维磁性材料中,CrI3由于层间反铁磁相互作用弱,可以通过外加磁场、电场、掺杂与压力等外部手段进行调控,使得其在磁电存储、自旋滤波、自旋晶体管等方面展现了潜在的应用价值,从而成为近几年来的研究焦点。 除了应用前景以外,二维磁性材料还有许多新奇的物理性质,例如最近人们在双层CrI3中,发现层间反铁磁序破坏了
南方科技大学 2021-04-14
国科大苏刚团队在非线性反常热霍尔效应研究中取得新进展
中国科学院大学苏刚和朱振刚研究团队在时间反演对称性存在而空间反演对称性破缺的体系中对反常热霍尔效应进行了研究,发现此时其线性效应由于昂萨格倒易关系的限制而消失,其二阶非线性效应存在且占主导地位。
中国科学院大学 2022-06-01
关于狄拉克半金属中量子输运研究的新进展
在高晶体质量的狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到手征反常导致的负磁电阻效应(Nat. Commun. 6, 10137 (2015));并借助于纳米线比表面积大的优势,测量到起源于拓扑表面态输运的π A-B效应(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436(2017))。 最近,他们通过输运测量首次在狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到连续体态和离散表面态耦合产生的Fano共振现象。研究表明直径约为60 nm的Cd3As2纳米线的表面态能带会发生劈裂,通过栅压调制费米能级到一个表面态子能带的带底时,会呈现出零偏压微分电导峰;在磁场作用下,由于塞曼效应,零偏压电导峰会发生劈裂,测量得到表面态的朗德因子为32;Fano共振进一步导致零偏压微分电导峰随偏置电压具有非对称的线形,并可能对材料中起源于“外尔轨道”的量子振荡频率产生修正。这项工作对于深入研究拓扑半金属的输运性质,以及设计实现可电学调控的Fano体系有着重要意义。图1. Cd3As2纳米线中量子限制效应引起的电导振荡;(b)栅压调制的微分电导谱。
北京大学 2021-04-11
基于拉伸流变的高分子材料塑化输运方法及设备
一种高分子材料塑化加工新方法及设备,利用物料加工过程中体积周期性变化,实现基于拉伸流变的塑化输运机理,将剪切与拉伸形变作用的主次关系颠倒过来,其对应的加工原理、技术、装备及理论都完全不同,突破了传统螺杆加工设备剪切流变支配的技术原理,改变了高分子材料加工装备以螺杆为标志的发展模式,具有加工能耗低、物料适应性广、制品性能好等显著特点,解决了受传统螺杆加工方法和理论的框架限制而导致高分子材料行业技术升级艰难的问题,可有效缓解塑料加工产业面临的能源、资源、环境问题,引领高分子材料加工产业转型升级。
华南理工大学 2021-04-14
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