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PZT-43 PZT-52 Φ36×Φ32×40压电陶瓷
管
淄博宇海电子陶瓷有限公司
2021-08-30
XM-T33输精(卵)
管
结扎术训练模型
XM-T33输精(卵)管结扎术训练模型 主要功能: ■ 输精(卵)管结扎术训练模型模拟一成年男性的外阴结构,外形逼真手感真实。 ■ 模型主要为训练输精管结扎术操作而设计。 ■ 输精管结扎术是输精管绝育术的一种,输精管比较表浅,通过皮肤可将其固定。然后在阴囊两侧,血管稀疏的部位作浸润麻醉;切开皮肤,提出并游离输精管,在稍远离附睾处剪断,切除约0.8厘米,后分别结扎两断端,并包埋;再缝合皮肤。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
非接触法波纹
管
收缩膨胀测定仪
执行标准:GB/T 50082-2009 本品适用于早龄期混凝土或者砂浆在波纹管中的收缩及膨胀变形的测试,也可用于无约束状态下混凝土或者砂浆的收缩膨胀变形的测定。产品配置高精度电涡流传感器,8寸嵌入式Linux工业平板电脑触摸屏操作,21点校准,测量精度<2µm。6试件到12试件可选。
北京耐尔得智能科技有限公司
2023-03-17
一种可回收重复使用的热等静压用控型模
芯
、其制造方法及其 应用
本发明公开了一种可回收重复使用的热等静压用控型模芯,包 括芯体、金属导电层和隔离层,所述芯体由氧化铝陶瓷制成;所述金 属导电层由 Ag 制成;所述隔离层由 Fe 制成。本发明控型模芯可回收 重复使用,且控型精度高,采用易腐蚀材料隔离模芯与零件,成形后 仅腐蚀去除隔离层,分离模芯与零件,回收控型模芯;采用高温强度 高的材料制备控型模芯,模芯在高温高压作用下变形小,成形零件精 度误差相对较小。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱
芯
环结构新型金属陶瓷材料
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷材料,其原料组分及各组分的重量百分数为10~20%的Co或/和Ni粉末,10~35%的第二类碳化物粉末和余量的(Ti,M)(C,N)固溶体粉,所述(Ti,M)(C,N)固溶体粉中M为W、Mo、V、Cr、Ta、Nb中的至少一种,所述第二类碳化物为WC、VxC(0
四川大学
2021-04-11
一种耦合变压器型直流断路器用空
芯
脉冲变压器及其参数获取 方法
本发明提供了一种耦合变压器型直流断路器用空芯脉冲变压器 及其参数获取方法,空芯脉冲变压器包括原方绕组、副方绕组、原方 绕组高压端、原方绕组低压端、副方绕组高压端、副方绕组低压端、 副方绕组匝间绝缘膜、原方绕组匝间绝缘膜、主绝缘膜和绝缘支撑架; 副方绕组沿绝缘支撑架径向绕制,副方绕组具有径向电压梯度,且副 方绕组的匝间绝缘由副方绕组匝间绝缘膜实现;副方绕组低压端和原 方绕组低压端之间采用主绝缘膜绝缘;原方绕组绕制在主绝缘膜外, 且原方绕组的匝间绝缘由原方绕组匝间绝缘膜实现。
华中科技大学
2021-04-14
交直流磁场控制系统亥姆霍兹线圈系统磁场发生
装置
电磁铁系统
磁场控制系统主要由磁场发生装置(电磁铁、赫姆霍兹线圈或螺线管等)和程控高斯计及电源组成,这些设备通过串口线连接至电脑,然后通过电脑里的上位机软件对该系统进行控制,控制主要通过两种方式,第一是直接控制电源的输出电流大小,从而控制了磁场强度的大小,而高斯计则将测量值显示并记录在电脑中,用于分析;第二种方式则是通过软件可以直接设置磁场强度的大小,此时电源则会输出稳定电流直至磁场强度达到设定值后会稳定下来。这两种方式均提供了一套可以控制的电磁场系统,并形成系统闭环。 系统配置: 装置 产品 说明 磁场发生装置 赫姆霍兹线圈、电磁铁、螺线管等 高磁场一般选用电磁铁、均匀低磁场选用赫姆霍兹线圈和螺线管 测量装置 高斯计、磁通门计等 一般选用高斯计,特低磁场选用磁通门计(比如1GS及以下) 供电装置 程控电源 根据磁场要求可选用不同精度及稳定性的电源 控制中心 控制软件 控制电流输出及磁场大小,并进行记录和分析
厦门盈德兴磁电科技有限公司
2026-04-07
超大功率硅基射频LDMOS晶体
管
设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体
管
设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件,能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
废编织袋再生为高级工程塑料
管
我国每年的废旧编织袋近300万吨,是很难自然降解的白色污染的主要组成部分之一。而生产一吨聚丙烯管材,需要消耗25吨原油,对缺乏石油的我国是一种压力。武汉化工学院袁军副教授等与洪湖科技公司合作,从2002年起,开始研究利用废旧编织袋制造聚丙烯管材。他们通过对废旧编织袋回收料的增韧、增强、改性,制备了一种聚丙烯管材专用料,这种专用料性能稳定,重复性好,工艺性能优良;他们采用自主研制的专利技术与专用模具,利用他们的聚丙烯管材专用料,制造出模压口径1.2米的系列排水管,工艺独特先进。 本项目经专家鉴定,一致认为该项具有自主知识产权的研究成果,符合循环经济的思想,能够节约大量原油,对推动我国各种工程管道建设具有积极意义
武汉工程大学
2021-04-11
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