化学与化工学院陆杨研究员课题组与中国科学技术大学俞书宏院士团队以及华南理工大学杨显珠教授课题组合作，以具有粘流态内核的mPEG-b-PHEP胶束作为纳米载体，包载磁性纳米立方体和具有肿瘤杀伤效果的中成药有效成分大黄素，实现恶性肿瘤的核磁共振造影成像（MRI）引导的磁热-化疗联合治疗。该研究提供了一种有效增强磁热治疗效果的方案，相关成果以“Ferrimagnetic mPEG-b-PHEP copolymer micelles loaded with iron oxide nanocubes and emodin for enhanced magnetic hyperthermia-chemotherapy”为题发表在《国家科学评论》（National Science Review 2020, 7, 723-736）期刊上，论文的共同第一作者是化学与化工学院博士生宋永红和华南理工大学博士生李冬冬。磁热疗是指通过将磁性介质递送到目标病灶区域，在交变磁场中磁性介质产生的局部高热可以迅速杀死肿瘤细胞。由于磁热疗具备非侵入性以及无治疗穿透深度限制等优势，已经在深层肿瘤的临床治疗展现出潜力。但是临床中使用的磁性材料热转换效率低，为达到足够的肿瘤杀伤效果需要高剂量的磁性介质。此外，基于磁性纳米材料的磁致发热的加热速度一般较慢，限制了基于磁热响应的药物释放。针对上述难题，该科研团队制备的铁磁性纳米胶束的饱和磁化强度是目前商业化造影剂的2倍。在交变磁场的作用下，该铁磁性纳米胶束能够产生高热，其热转化效率远高于临床上使用的磁性纳米材料。同时，在磁热刺激下，化疗药物大黄素可以从胶束的粘流态PHEP内核迅速释放，其释放速度显著优于传统的聚乳酸为内核的胶束(非粘流态)。因此，在外磁场的引导下，该磁性纳米载体能够高效地靶向到肿瘤部位，促进肿瘤细胞的摄取；进而在交变磁场的刺激下，该磁性纳米胶束能够通过磁热与化疗协同，在极低的剂量即可显著杀伤肿瘤细胞。铁磁性载药胶束的制备及其磁热疗与化疗协同的示意图该研究工作得到了国家自然科学基金、国家重点基础研究发展计划、广东省生物医学工程重点实验室开放基金、中央高校基本科研业务费专项资金、安徽省自然科学基金、合肥大科学中心卓越用户基金等项目的资助。论文链接：https://academic.oup.com/nsr/article/7/4/723/5708950

需要电机控制和电机设计为硕士的人才需求。熟悉机电产品研发过程、熟练应用Solidwork、Pro-E、AutoCAD设计工具等设计、分析软件及汇编语言的编程，能独立完成非标设备部件或结构设计、能独立设计模拟和数字电路、进行电机结构及电磁设计等。

        VSM（也叫做M-H磁滞曲线测量系统）测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，最大磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料，VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数： 测量磁矩范围：10-3emu-300emu（灵敏度：5*10-5emu） 相对精度（30emu）：优于±1% 重复性（30emu）：优于±1% 稳定性（30emu）：预热24小时，24小时连续工作优于±1% 温度范围：从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm，极面直径60mm 磁场：由电磁铁提供，从0-3.5T   主要参数： 抗磁，顺磁，铁磁，亚铁磁，反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR，CMR，交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料，粉末，薄膜，单晶和液体     VSM的组成：   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头，振动架 √ 振动杆，样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备：   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场，磁极间距：35mm（T） 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源，功率为2～30KW 。在稳流状态时，稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能 　　(1)输出功率：额定功率从1-12kw。 　　(2)保护：缺相保护、过流保护、短路自动保护。 　　(二)技术指标 　　(1)电源为稳流输出：电流值可从0-额定值连续可调。 　　(2)显示方式： 电流表4位半LCD数字显示。 　　(3)显示精度：±(1%+2个字) 　　(4)当负载为电磁铁，且输出电流大于最大电流一半时，电源输出的电流稳定度优于5*10-4 　　(5)工作时间：连续8小时工作(环境温度20±5℃) 　　(6)输入电压：单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率：50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程：0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。   联想电脑 打印机：hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率：0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制，分辨率：0.1K  

本发明公开了一种变脉宽激励的脉冲涡流检测方法。该方法包括如下步骤：（1）将脉冲涡流传感器置于被测试件上；（2）设置当 前激励脉宽 PWcur=t0；（3）获取检测信号，测量时间区间为[0,t]；（4） 计算检测信号在时间区间[t1,t2]上的积分 INcur；（5）设置下一个激励 脉宽 PWnext=PWcur+PWadd； （6）获取检测信号，测量时间区间为[0,t]； （7）计算检测信号在时间区间[t1,t2]上的积分 INnext；（8）计算 RIcur=(INnext-INcur)/INcu

简述：地铁牵引变流器基于国家“十一五”最新科技成果（项目：“城市轨道交通能馈式牵引供电系统及牵引传动系统研制”，编号： 2007BAA12B07 ），具有完全自主知识产权，应用于地铁牵引传动系统，实现牵引电机驱动及控制，具有模块化、轻量化、低噪声等特点，可完全替代国外进口系统。该设备已通过铁道部产品质量监督检验中心机车车辆检验站型式试验，在广州地铁 1 号线完成装车试验，即将装一列车。

已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM 的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在 电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取 信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。

已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量，集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控，这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法，也能够移植应用到离子电池，离子传感等研究领域。

本实用新型所述的变温下密封自补偿轨道式球阀，包括阀体(1)、阀芯(2)、长颈阀盖(4)、阀杆(5)及手轮(11)，其特征是：在阀杆(5)上设置有一弹性补偿结构，包括上阀杆组件(5-2)、弹性件(7)、套筒(6)及下阀杆组件(5-1)。上阀杆组件(5-2)由固定块(5-2-2)与上阀杆（5-2-1）固定连接构成，下阀杆组件（5-1）是由滑动块（5-1-2）与下阀杆（5-1-1）固定连接构成。下阀杆组件（5-1）通过滑动块（5-1-2）与套筒（6）配合连接，上阀杆组件（5-2）与套筒（6）固定连接。弹性件（7）安装在上阀杆组件（5-2）与下阀杆组件（5-2）之间的套筒（6）内，通过上阀杆组件（5-2）与下阀杆组件（5-1）的相对位置移动可以压缩或放松弹性件（7）。本实用新型的变温下密封自补偿轨道式球阀能够实时有效补偿由温差引起的密封比压不足，启闭无摩擦，启闭力矩小，密封可靠性高。

本发明公开了一种变斑激光熔覆装置，包括可调变光斑镜组和 可调变粉斑激光喷头；其可调变光斑镜组包括自适应反射镜和聚焦镜； 其中自适应反射镜可以连续改变表面曲率从而改变输出光斑大小，可 调变粉斑激光喷头则用于配合自适应反射镜输出的光斑大小以不同半 径的输出管道进行粉末输送，从而实现可调变斑熔覆；本发明提供的 这种变斑激光熔覆装置结构简单，操作方便，光斑变化范围大，调节 精度高，响应快，能够输出不同大小的粉斑，光粉耦合效率

本发明公开了一种变脉宽激励的脉冲涡流检测方法。该方法包括如下步骤：（1）将脉冲涡流传感器置于被测试件上；（2）设置当前激励脉宽 PW_cur=t₀；（3）获取检测信号，测量 时 间 区 间 为 [0,t] ；（ 4 ） 计 算 检 测 信 号 在 时 间 区 间[t₁,t₂]上的积分 IN<sub&g