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面向复杂曲面工件的智能化喷涂/喷砂作业编程技术
针对大型复杂曲面工件的喷砂/喷涂工艺算法研发和软件开发,采用去示教+在线编程方式,通过前端智能传感装置(主要是低成本激光或立体视觉系统)获取工件数模,然后后端采用自动编程方式优化生成最优的喷涂工作路径,以适合目前喷砂/喷涂工艺所面对的小批量、多品种、非标准产品的生产需要,提高机器人喷涂/喷砂系统的自动化、智能化编程水平。具体技术指标: (1) 研发实现了一种基于激光或立体视觉扫描的喷涂/喷砂工件快速建模方法,实现了对复杂喷涂/喷砂工件表面的在线感知和高精度建模(表面建模精度0.1mm以内),以引导自动编程; (2) 针对大面积、大曲率、多孔洞等复杂工件曲面,研究实现了一种表面分割分层处理的自动化喷涂/喷砂轨迹生成方法,无需进行人工示教,可根据喷枪模型和曲面数模自动生成表面优化作业轨迹,且涂层加工精度在正负10%以内,表面覆盖率在90%以上; (3) 研发了一套面向复杂喷涂/喷砂作业的多机器人在线智能编程系统软件,并进行了初步应用验证,且可对覆盖率、作业时间等喷涂性能进行实时评估,从而为产业化提供了工程基础。
东南大学 2021-04-11
一种基于 flash 编程干扰错误感知的 LDPC 译码优化方法
本发明公开了一种基于 flash 编程干扰错误感知的 LDPC 译码优化方法,随着 NAND 闪存存储密度的提升,每个单元存储较多的比特信息,单元之间的耦合干扰较强烈,造成严重的编程干扰错误,使得传统的 BCH 码不足以保证数据的可靠性,LDPC 码具有优于 BCH 码的纠错性能而被应用于 NAND 闪存存储系统中。使用被优化的 LDPC译码算法具有重要意义。现已观察,编程干扰错误具有数值相关性特征,当进行 LDPC
华中科技大学 2021-04-14
多轴运动控制编程开发实训系统 (Motion+CNC+Robotics+HMI)
基于标准工控机及CODESYS编程平台的运动控制开发实训系统,配置了1台工业级平板电脑(工业PC显控一体机)、1个CODESYS RTE全功能的软件授权许可、3套EtherCAT总线型伺服驱动器及同步伺服电机和EtherCAT总线型的16入16出远程I/O模块。 此实训系统展示了CODESYS实现多轴运动控制的技术优势以及对外部I/O(本地和远程)的良好扩展功能。 多轴运动控制Demo完全支持工程师们使用CODESYS软件三种不同的运动控制编程模式:基于主从轴跟随模式的电子凸轮、基于三轴龙门结构的CNC联动插补、Delta机械手跟随圆盘和传送带运动的实时快速抓取功能,以及可以通过外部按钮信号完成运动的启停和复位操作。
欧德神思(CODESYS)软件集团 2022-05-26
柔性直流换流阀多物理场特性及其调控方法
柔性直流换流阀是直流电网构建的核心装备之一。针对换流阀塔多物理场的综合作用问题,提出了多介质共存时复杂导体结构的伽辽金匹配和点匹配结合的快速多极子边界元电场计算方法,提出了阀塔高电场强度区的电位钳制、屏蔽和优化方法;建立了换流阀电-热-流体等多物理场计算模型,获得了金属钳制电极形状对水路局部放电、电化学腐蚀速率的影响等规律;建立了含散热器在内的IGBT子单元的热场整体仿真模型,提出了IGBT内部芯片的稳态与瞬态结温预测模型及其变流量修正方法。研究成果应用于我国±320kV柔性直流换流阀自主研制,有效性在厦门±320kV柔性直流示范工程中得到进一步验证,并推广应用于±500kV及±800kV柔性直流换流阀研制。参与研究的成果“新一代电压源高压直流换流器关键技术及应用”获得2017年北京市科学技术奖一等奖,华北电力大学作为项目主要完成单位排名第3,齐磊教授作为主要完成人排名第10。
华北电力大学 2021-02-01
一种宽电压增益直流变换器
在包含光伏、燃料电池或电动汽车等直流源荷并网的直流系统中,网侧母线电压较为恒定,而源侧或负荷侧直流端口运行电压范围较宽,为实现系统整体高效运行,需要适应宽电压运行范围的直流变换器。 本成果结合效率优化控制和拓扑重构提出一种适用于宽电压运行场景的T型双变压器直流变换器。新型宽电压增益直流变换器具有多种运行模式,在改善电压匹配度提升运行效率的同时,还具有桥臂冗余功能,从而提升变换器可靠性。 创新点 1、新型变换器在宽电压运行范围内具有较高变换效率。通过变压器切换匹配输入输出电压,使得变换器在较宽的输入电压范围高效运行。 2、具有桥臂冗余功能,适用于对可靠性要求较高的场合。变换器具有多个冗余工作模式,在部分器件失效的条件下,可以选择冗余模式继续运行,提高了系统可靠性。 3、基于矢量图解法提出了TDT-DAB效率优化控制方法,并提出基于单移相控制的运行模式切换方法,控制复杂度低。
华北电力大学 2023-08-03
GSB-94型高压直流数字电压表
产品详细介绍/////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 GSB-94高压直流数字电压表采用先进的集成电路技术和直流高压分压技术生产的直流高电压测量仪表。它输入电阻高(10GΩ),测量速度快,过载能力强,准确度高,重量轻,携带方便。本仪表是测量直流高电压的理想仪表。兆欧表的工作电压是直流电压,以往采用静电电压表来测量,但静电电压表是测量有效值的仪表,即使兆欧表的整流电路损坏的情况下,静电电压表仍有读数显示。高压直流数字电压表正逐渐替代静电电压表来测量兆欧表的开路电压和中值电压等。它将是未来的兆欧表检定规程中规定的测量直流电压的仪表。 二、主要技术指标 2.1 测量范围:0~5kV 2.2 分辨率:1V 2.3 准确度:±1%读数±0.2%满度 2.4 读数稳定性:≤±1个字 2.5 输入电阻:10GΩ 2.6 显示:以液晶管显示测量结果。 2.7 极性:自动显示:测量正电压时无极性符号显示;测量负电压时显示“-” 2.8 供电电源:220V AC 2.9  外形尺寸:210mm×230mm×95mm 2.10 重 量:1.5kg
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
揭示转录因子Sox2调节体细胞重编程的新机制
揭示了转录因子Sox2同时结合DNA和RNA并协同调控体细胞重编程的新机制,着重强调了在体细胞重编程过程中Sox2与RNA的直接相互作用的功能。通过PAR-CLIP和RNA SELEX确认了Sox2与RNA直接相互作用,进一步的测序分析发现Sox2偏好性结合一个CCCY核心基序和一个CGCG的二级基序。随后,研究人员利用EMSA和RNA免疫沉淀(RNA-immunoprecipitation assay)等手段确定了Sox2的RNA结合结构域(RBM),该结构域具有优先结合富含GC的RNA序列的特征。另外,通过RNA fishing实验和竞争性结合实验等的进一步分析,发现在DNA和RNA共同存在的情况下,Sox2使用其HMG结构域结合同源DNA序列,并同时利用RBM结构域在体外介导三元RNA/Sox2/DNA复合物的形成。除此之外,通过比较Oct4、Klf4、c-Myc (OKM)“鸡尾酒”以及不同Sox2突变体诱导下iPSC生成的效率发现,删除Sox2 的RBM结构域会影响iPSC的生成,并且显著地改变了体细胞重编程过程中的选择性剪接事件。       该研究加深了人们对Sox2蛋白调控多能性重编程机制的理解,进一步阐明了DRBPs对RNA代谢的调控机制。
中山大学 2021-04-13
一种虚拟化环境下面向任务并行编程模型的优化方法
本发明公开了一种虚拟化环境下面向任务并行编程模型的优化 方法;在位于客户虚拟机的前端监控部分获取任务并行编程模型中失 败的窃取操作;在位于虚拟机监控器的后端加速部分根据加速发起者 和被加速候选者的运行状态和所在物理 CPU 的信息,做出是否执行加 速的决策。若执行加速,将加速发起者的剩余时间片提供给被加速候 选者,当被加速候选者被虚拟机监控器抢占(时间片耗尽或被阻塞)时, 若被加速候选者处于可运行状态,恢复其原本的调
华中科技大学 2021-04-14
一种基于数控编程的数控机床结构参数的辨识方法
本发明公开了一种基于数控编程的数控机床结构参数的辨识方 法,其包括以下步骤:建立数控机床的系统动力学模型,计算差分方 程;生成伪随机序列;通过 NC 编程将伪随机序列转变成数控机床的 速度激励信号;根据速度激励信号,通过同步动作在数控系统的每个插补周期内给定速度激励信号,实现自激励;通过同步动作在数控系 统的每个插补周期内采集数控机床结构参数辨识信号数据;选定辨识 参考模型,利用 MATLAB 系统辨识工具箱和采集的数据,对数控机床 的系统动力学模型进行辨识,
华中科技大学 2021-04-14
一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法, 可编程模块包括阻变元件、电阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管;第一 N 型 MOS 管 的漏极和第一 P 型 MOS 管的漏极均连接至阻变元件的一端,第一 N 型 MOS 管的源极和第一 P 型 MOS 管的源极连接后与电阻 R1 的一端 连接,第一 N 型 MOS 管的栅极与第一 P 型 MOS
华中科技大学 2021-04-14
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