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中国科学技术大学实现具有聚集可调双发射性质的三维手性分子碳纳米环
具有聚集诱导发射(AIE)和聚集诱导猝灭(ACQ)效应的双发射有机材料在文献中很少报道,通过调控这类有机分子的聚集程度可以实现多色荧光发射。中国科学技术大学杜平武教授课题组合成了首个具有聚集可调双发射性质的手性双环分子,并与杨上峰教授课题组合作,通过AIE效应实现了圆偏振发光性质(CPL)的增强。
中国科学技术大学 2022-07-11
采用离子辐照增强PtPb/Pt二维纳米片电化学催化活性的实验成果
采用核技术方法,利用高能离子束辐照,对PtPb/Pt二维纳米片进行了原子尺度结构调控和修饰,极大地提高了纳米片的催化活性。在线辐照和原位透射电子显微镜(TEM)结果表明:通过入射高能离子与纳米片中靶原子相互作用,精确地控制纳米片微观结构的变化,利用键长变化和电子轨道杂化等机制来修饰表面原子的电子结构,从而增加催化反应活性位点,增强催化性能。同时,通过调节入射离子的剂量大小,可以有效地控制缺陷产生的数量及演化,得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二维纳米片材料。
北京大学 2021-04-11
一种基于多肽模板合成二氧化锰纳米片的方法及其应用
本发明涉及纳米材料、催化及分析化学领域,具体包括一种基于多肽作生物模板合成二氧化锰纳米片的制备方法及其在催化及分析化学方面的应用。该方法利用多肽的纳米结构特征及其官能团的性质,将多肽与二价锰离子混合,加入氢氧化钠后常温反应以使二氧化锰纳米片在多肽的稳定下生成。该材料具有仿酶催化特性,使其在分析化学、环境工程和催化领域有着广阔的应用前景。该方法以生物材料为模板,制备工艺简单,反应条件温和环保,纳米结构易控。
青岛农业大学 2021-04-13
一种五轴加工轨迹中刀具圆环体向三角片的边投影的算法
本发明属于铣削加工相关技术领域,其公开了一种五轴加工轨 迹中刀具圆环体向三角片的边投影的算法,其包括以下步骤:(1)判断 刀具圆环体向三角片的边投影的特殊情况,若存在特殊情况,则转至 步骤(5),否则转至步骤(2);(2)根据第一几何约束条件来确定初始迭代 角度;(3)基于第二几何约束条件及第三几何约束条件来计算及离散初 始迭代角度区域,以确定较优初始迭代角度;(4)基于第二几何约束条 件及第三几何约束条件,采用割线法搜索最优角度,若成功则转至步 骤(5),否则结束;(5)依据搜索到的所述最优角度计
华中科技大学 2021-04-14
DT640硅二极管温度传感器低温温度测量裸片温度计
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-21
DT640-BC型裸片温度计硅二极管低温温度传感器锦正茂科技
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-11-17
物理学院高鹏、刘开辉等利用电镜测量转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁
近日,北京大学物理学院量子材料科学中心、电子显微镜实验室高鹏课题组,与凝聚态物理与材料物理研究所刘开辉课题组、中国科学院大学和中国科学院物理研究所张余洋课题组等合作,利用透射电子显微镜的电子能量损失谱测量并结合第一性原理计算,揭示了h-BN/石墨烯异质结构中的转角关联耦合效应。研究发现,角度依赖的层间摩尔势改变了石墨烯的能带结构,导致石墨烯M点层内带间跃迁能量红移,并且晶格相对扭转诱发的h-BN的布里渊区相对于石墨烯M点的旋转也贡献了新的带间跃迁途径。结果表明,在堆垛的二维材料器件中需要仔细考虑扭转耦合效应带来的影响避免意外干扰;同时,转角连续可调的带间跃迁也可以为新型光电器件设计提供新的自由度。该研究成果以《转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁》(“Tunable Interband Transitions in Twisted h-BN/Graphene Heterostructures”)为题,于7月5日发表在《物理评论快报》(Physical Review Letters 2023, 131, 016201)。
北京大学 2023-08-22
锦正茂 硅二极管DT640-BC型裸片温度计小型温度传感器1.4K-500K
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-08-05
InP基多量子阱光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器技术
基于平面光波光路(PLC)技术的各类光功能器件,是实现现代高速光网络、高速光信号处理、大容量光互连节点和终端设备中光信号处理模块的基础。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半导体工艺,以脊波导为基础,具有体积小、功耗/损耗低、可靠性高、性价比高等优点,在国际上即将形成新的产业热点。电子科学与工程学院光子学与光通信研究室顺应这一趋势,潜心攻关,埋头研究,历时四年完成了InP多量子阱PLC单元器件理论与实验研究。在国内首次建立了PLC光路设计和光学特性测试平台,探索出国产化工艺加工途径,取得多项自主知识产权,成功地研制出InP基多量子阱PLC无源光子器件。包括光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器等,于2007年2月通过了教育部组织并主持的科技成果鉴定,达到国际先进水平。
东南大学 2021-04-10
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