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有源同轴二分频线阵列全频音箱-GL26A
GL26A线阵列音箱提供70Hz-20KHz的频率范围，具备平滑的频率和相位响应.8个1寸的钕磁球顶高音扬声器和2个6.5寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合,高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方，声像定位更准，提高线阵列音箱的远场声场均匀度和清晰度。音箱内装一个独立的大功率功放及DSP，音箱可单独调节，连接数量根据实际场合大小进行配置,使得现场扩声极其灵活、便捷。
音王电声股份有限公司
2022-07-02
采用改进三级同轴电纺工艺制备药物的纳米储库。
上海理工大学
2021-01-12
预制墙体与混凝土结构连接结构
本新型公开了一种预制墙体与混凝土结构连接结构。其中预制墙体与混凝土结构连接结构，包括框架结构和预制墙体，框架结构包括由钢筋混凝土浇筑而成的钢筋混凝土梁、柱；梁柱内部提前预埋高强螺栓，预制墙体的四周预埋有固定件，预制墙体与框架结构的连接通过安装螺母带减震垫片将预埋的固定件分别与钢筋混凝土梁、柱固定连接，预制墙体的四周与钢筋混凝土梁、柱的缝隙处用泡沫胶进行密封。本新型通过安装螺母辅以减震垫片固定为主，缝隙处用密封胶密封的弹性连接的方式，相比湿式连接，本新型的连接方式具有更低的刚度、一定的柔性以及更好的防
安徽建筑大学
2021-01-12
一种同轴送丝熔敷激光头的光路分光单元
本发明公开了一种同轴送丝熔敷激光头的光路分光单元，该分 光单元主要包括：准直镜，前四分光透镜，后四分光透镜，聚焦透镜 和金属斜平面反射镜。该单元目的是将准直后的激光束通过两面相对 位置固定的四分光透镜按照激光能量，平均分为水平面上中心对称的 四束光路，分离后的光束通过聚焦透镜聚焦，经过金属斜平面反射镜 聚焦至焦点，光路中空部分嵌入送丝机构，使光路焦点最终聚焦在焊 丝上，实现高精度、高质量、全方向的同轴送丝。
华中科技大学
2021-04-14
8×4〞波束可调两分频有源同轴环屏阵列音箱-FCL804A
FCL804A是一款有源环屏阵列音箱，主要用于LED环屏影院。箱体采用桦木夹板制作，轻巧而坚固，有源环屏音箱提供65Hz-20KHz的频率范围，具备平滑的频率和相位响应。24个1寸的钕磁球顶高音扬声器和8个4寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合，高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方，声像定位更准，提高线阵列音箱的远场近声场均匀度和清晰度。音箱内装独立的16通道大功率功放及DSP，音箱可单独调节，连接数量根据实际场合大小进行配置，使得现场扩声极其灵活、便捷。功放部分使用高效率开关电源，内置DSP模块，具有处理分频、EQ、压限、延时、音量等功能，音箱采用DANTE数字网络传输, 每通道可独立控制，延时，幅度可调。
音王电声股份有限公司
2022-07-02
8×6.5〞波束可调两分频有源同轴环屏阵列音箱-FCL806A
FCL806A是一款有源环屏阵列音箱，主要用于LED环屏影院。箱体采用桦木夹板制作，轻巧而坚固，有源环屏音箱提供55Hz-20KHz的频率范围，具备平滑的频率和相位响应。32个1寸的钕磁球顶高音扬声器和8个4寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合，高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方，声像定位更准，提高线阵列音箱的远场近声场均匀度和清晰度。音箱内装独立的16通道大功率功放及DSP，音箱可单独调节，连接数量根据实际场合大小进行配置，使得现场扩声极其灵活、便捷。功放部分使用高效率开关电源，内置DSP模块，具有处理分频、EQ、压限、延时、音量等功能，音箱采用DANTE数字网络传输, 每通道可独立控制，延时，幅度可调。
音王电声股份有限公司
2022-07-02
钢结构
山东蓝博环保设备有限公司
2021-08-24
一种宽带小型化基片集成同轴线压控谐振器
本发明公开了一种宽带小型化基片集成同轴线压控谐振器，包括从上往下依次层叠的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和第四金属层。本发明可以实现对谐振频率的宽调谐功能，同时，与相同结构的微带、基片集成波导结构相比，实现了结构的小型化，这就使得以基片集成同轴线谐振器为基础的滤波器或者振荡器实现宽调谐和小型化成为可能。
东南大学
2021-04-11
轻质高强全焊结构泡沫铝合金夹复合芯板
结构材料轻量化是目前国民经济、国家重大需求的重大挑战，材料结构功能一体是新材料的重要发展方向。
轻质高强泡沫铝合金复合夹芯板以超轻质的泡沫铝合金为芯层，与铝合金面板实现冶金结合，具有比重小，高刚度，高阻尼减振，高能量吸收的特点，同时实现与阻燃、电磁屏蔽功能兼容性，在先进交通、航空航天领域具有广泛的应用前景。通过可调控的芯层泡沫铝合金孔结构，复合夹芯板的实现了同等质量钢板6倍的高刚度，同时比重仅与水接近，该成果已经应用于我国重要装备制造。
北京科技大学
2025-05-21
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅（内芯/外 层）同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米 电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－ 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅（内芯/ 外层）同轴纳米电缆，且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级，是迄今为止报道的 最长的纳米电缆，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。
同济大学
2021-04-11