本实用新型公开了一种单电感双输出开关变换器双环电压型PFM控制装置，由第一电压检测电路VS1、第二电压检测电路VS2、第一电压控制器VCM1、第二电压控制器VCM2、第一比较器CMP1、第二比较器CMP2、减法器SUB、触发器RS、定时器CT、反相器NOR、第一驱动电路DR1、第二驱动电路DR2和第三驱动电路DR3组成。本实用新型可用于控制单电感双输出拓扑结构的多种变换器，诸如：Buck变换器、Boost变换器、Buck-boost变换器、Bipolar变换器等，相对于传统电压型PWM控制单电感双输出变换器，其优点是：具有输出电压纹波小，稳态性能好，输入瞬态响应和负载瞬态响应速度快，变换器输出支路间的交叉影响小等优点。

产品详细介绍产品用途：该产品是航空、汽车、家电、科研等领域必备的检测设备，用于测试电子、电工及其它产品材料进行高温、低温、或恒定试验的温度环境变化后结果及性能。 一、产品规格: 型号 GDW-100   内形尺寸D×W×H  450×450×500:mm    型号 GDW-225   内形尺寸D×W×H  500×600×750:mm    型号 GDW-500   内形尺寸D×W×H  700×800×900:mm    型号 GDW-800   内形尺寸D×W×H  800×1000×1000:mm  型号 GDW-010   内形尺寸D×W×H  1000×1000×1000:mm 二、技术参数：  1.温度范围：0℃～150℃、-20℃～150℃、-40℃～150℃、-60℃～150℃、-70℃～150℃  2.温度波动度：≤±0.5℃  3.温度均匀度：≤±2℃  4.温度偏差：≤±1.5℃  5.升温速率：1.0～3.0℃/min  6.降温速率：0.7～1.2℃/min  7.时间设定范围：0～9999小时  8.电源要求：AC380（±10%）V/50HZ  三相五线制 三、箱体材质：  1.外壳均采用优质A3钢板数控机床加工成型,外壳表面进行防静电喷塑处理,更显光洁、美观;  2.内胆采用优质SUS304镜面不锈钢板;  3.保温材质选用高密度玻璃纤维棉,保温厚度为100mm;  4.温度循环系统采用特制空调型低噪音长轴风扇电机,耐高低温之不锈钢多翼式叶轮,以达强度对流垂直扩散循环;  5.门与箱体之间采用双层耐高温之高张性密封条以确保测试区的密闭;  6.采用无反作用门把手,操作更容易;  7.机器底部采用高品质可固定式PU活动轮;  8.观察窗采用多层中空钢化玻璃,内侧胶合片式导电膜加热除霜(清楚观察试验过程);  9.测试孔(机器左侧)可外接测试电源线或信号线使用(孔径或孔数须增加需指示); 四、控制系统：  1.采用全进口“日本富士”数显按键控制仪表,P.I.D微电脑S.S.R温度控制器;  2.精度：0.1℃(显示范围);  3.解析度：±0.1℃;  4.感温传感器：PT100铂金电阻测温体;  5.控制方式：热平衡调温方式,所有电器均采用（施耐德）系列产品;  6.温度控制采用P.I.D＋S.S.R系统同频道协调控制;    7.具有自动换算的功能,可将温度变化条件立即修正,使温度控制更为精确稳定;  8.本试验箱回风口具有自动除霜装置; 五、加热系统:  1.采用远红外镍合金高速加温电加热器;  2.高温完全独立系统,不影响低温试验;  3.温度控制输出功率均由微电脑演算,以达高精度及高效率之用电效益; 六、制冷系统:  1.压缩机：全封闭原装法国泰康机组;  2.制冷方式：单(双)机制冷（风冷型）;  3.冷凝方式：强制风冷却;  4.制冷剂：R404A、R23（环保型）;  5.系统管路均作通气加压48H捡漏测试;  6.加温、降温系统完全独立;  7.内螺旋式冷媒铜管;  8.斜率式蒸发器;  9.干燥过滤器、冷媒流量视窗、修理阀、油分离器、电磁阀、贮液筒均采用进口原装件; 七、保护系统:  1.风机过热保护;  2.整体设备欠相/逆相保护;  3.制冷系统过载保护;  4.制冷系统超压保护;  5.整体设备定时;  6.水泵过热，过流保护;  7.其它还有漏电、缺水、运行指示,故障报警后自动停机等保护; 八、设备使用条件：  1.环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃）  2.环境湿度：≤85%R.H  3.操作环境需要室内通风良好,机器放置前后左右各80公分不可放置东西; 九、符合标准: 严格参照GB2423.1－2008试验A《高温试验方法》、GB2423.2－2008试验B《低温试验方法》等相关标准设计制造; 十、服务承诺：免费送货上门,在对该设备安装调试结束后,在用户现场对相关技术人员免费做相应的操作培训,人数不限。 北京中科环试仪器有限公司 电话: 010-81290307 传真: 010-81283287 手机: 13671371697 联系人：唐治刚 http://www.zkhs17.com E-mail:zkhs@zkhs17.com  

本成果基于间位芳纶材料，通过调控制膜配方以及制膜工艺，所制备的间位芳纶膜具有高的渗透通量、高的机械强度以及良好的耐酸碱性能。依托于自身实验室的中试平板刮膜装置，实现了间位芳纶膜的中试化制备，并且进行膜组件、膜设备的进一步放大设计。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 聚间苯二甲酰间苯二甲酰胺（PMIA））纤维是一种新型的有机耐高温纤维，具有出色的综合特性，包括良好的热稳定性，化学稳定性，亲水性和阻燃性。膜材料的耐压性和耐热性是膜分离工艺长期运行所必需的，这些优异的性能使PMIA成为膜制备领域的关键性材料之一。此外，由于该材料易溶于普通有机溶剂中，因此，可以采用非溶剂诱导相转化（NIPS） 法制备PMIA 超滤膜，这为工业化生产提供了可能。 目前我国的膜材料主要还是依赖于进口，并且亲水性差、机械强度低、耐溶剂性能差等诸多问题，而间位芳纶膜材料已经实现了国产化，并且价格便宜，打破了国外垄断的局面。基于间位芳纶材料，我们通过调控制膜配方以及制膜工艺，所制备的间位芳纶膜具有高的渗透通量、高的机械强度以及良好的耐酸碱性能。依托于我们实验室的中试平板刮膜装置，我们实现了间位芳纶膜的中试化制备，并且进行膜组件、膜设备的进一步放大设计。所开发的PMIA膜可以达到及其高于市场同种类产品，其产业化可大大丰富目前水处理市场。 平板膜纯水通量不小于700L∙m-2 ∙ h-1 ∙ bar-1(温度 25℃(不含)以下)，静态水接触角低于60°。【纯水通量和接触角测试方法依据国家标准 GB/T 32360-2015《超滤膜测试方法》】。

本发明公开了一种荷正电聚电解质络合物均质渗透汽化膜的制备方法，主要包括以下步骤：(1)通过调节阳离子聚电解质溶液pH值，使其带有的氨基部分质子化，与阴离子聚电解质络合，得到荷正电聚电解质络合物；(2)将荷正电聚电解质络合物加入一元酸溶液中，配制荷正电聚电解质络合物分散液；(3)将荷正电聚电解质络合物分散液涂刮于聚砜超滤膜上，烘干得到荷正电聚电解质络合物均质渗透汽化膜，用于有机物脱水。利用该方法制备的渗透汽化膜，在60℃下，分离质量分数为70％水异丙醇溶液时，通量可达8100-9700gm-2h-1，透过液中水质量分数可达96.4-99.3％。因此，所制备的荷正电聚电解质络合物均质渗透汽化膜具有高分离选择性和高耐水性。

本发明公开了一种交联型聚电解质-表面活性剂复合物的制备方法及用途。采用自由基聚合的方式制备了聚（甲基丙烯酰氧乙基氯化铵-丙烯酸羟烷酯）共聚物。采用溶液滴定络合的方式制备了聚电解质-表面活性剂复合物。将聚电解质-表面活性剂复合物和交联剂共同溶解在有机溶剂中，采用原位交联的方式制备了交联型聚电解质-表面活性剂复合物膜。交联型聚电解质-表面活性剂复合物分子内部的离子交联结构能够有效保持复合物结构的稳定性，分子链间通过交联剂的交联作用可有效抑制该复合物膜在醇/水料液中的过度溶胀。通过调控共聚物的共聚比例和交联剂的种类可有效调控膜结构。该类优先透醇膜制膜方法简单易行、成本低廉，具有良好的工业应用前景。

本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种聚间苯二甲酰间苯二胺基静电纺丝阻燃隔膜及其应用，所述间苯二甲酰间苯二胺基静电纺丝隔膜即PMIA基静电纺丝隔膜是通过将改性PZS微球与PMIA以及有机溶剂混合后，采用静电纺丝法制备获得，所述改性PZS微球是通过在具有阻燃性能的聚磷腈PZS微球表面原位生长无机层SiO<subgt;2</subgt;制备获得；所述聚磷腈PZS微球是利用单宁酸和六氯环三磷腈之间的聚合反应制备获得。本发明制备的纺丝隔膜具有非常优异的孔隙率、吸液率和离子电导率以及良好的热稳定性和阻燃性。

项目成果/简介:聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩):聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）是最经典的空穴传输界面材料和柔性电极材料之一。PEDOT:PSS具有良好的光/热/电化学稳定性、成膜性和优异的可见光透过率等优点。然而，其酸性强，功函数相对低，我们从EDOT单体原材料出发，合成了一系列新型PEDOT衍生物，调控其各方面性能指标，在提高有机和钙钛矿光伏器件的效率和稳定性方面取得了一定进展。同时发展简单、高效的掺杂手段，以调节PEDOT:PSS的功能，并积极推动其在柔性电子及抗静电等领域的应用。应用范围:有机光电

聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩):聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）是最经典的空穴传输界面材料和柔性电极材料之一。PEDOT:PSS具有良好的光/热/电化学稳定性、成膜性和优异的可见光透过率等优点。然而，其酸性强，功函数相对低，我们从EDOT单体原材料出发，合成了一系列新型PEDOT衍生物，调控其各方面性能指标，在提高有机和钙钛矿光伏器件的效率和稳定性方面取得了一定进展。同时发展简单、高效的掺杂手段，以调节PEDOT:PSS的功能，并积极推动其在柔性电子及抗静电等领域的应用。

一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θ(101)-θm；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台 上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(101)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。

一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上， 测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。