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02003打孔夹板
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
基于新型氢转换材料的便携式氢动力集成装备的开发
新型氢转换材料实现了简单、高效、即时即地制氢，结合氢氧燃料电池，可为国民经济和军事领域提供便携式电源的解决方案。关键产品技术已达国际先进水平，增强了我国在氢能制取和应用技术上的核心竞争力。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
基于钆离子掺杂的上转换发光纳米材料胶束的制备方法
本发明公开了一种基于钆离子掺杂的上转换发光纳米材料胶束的制备方法，包括如下步骤：利用改良的热解法制备钆离子掺杂的上转换发光纳米材料；利用旋转蒸发法制备基于钆离子掺杂的上转换发光纳米材料的纳米胶束。该方法简单易行，通过该胶束集磁共振成像、光学成像等优点为一体，为肿瘤的诊疗提供了新的思路。此纳米载体克服了以往单模态成像的弊端，可实现同步体内磁共振成像和光
东南大学
2021-04-14
面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件
本发明提供的一种面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件，主要包括MESFET和热电偶。MESFET选择半绝缘的GaAs作为衬底，通过GaAs工艺和MEMS表面微机械加工实现具有能量转换功能的MESFET。在源漏栅的金层四周制作一层二氧化硅，化学机械抛光后，制作热电偶的金属Au型热电臂和砷化镓型热电臂，蒸金连接两种热电偶臂，将源漏栅的热电偶电极进行金属连线，留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。
该砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件根据塞贝克效应，可以将器件工作产生的热能转换为电能，实现能量收集的同时缓解了散热问题。通过检测输出塞贝克电压的大小来实现对热耗散功率大小的检测。
东南大学
2021-04-11
一种基于介电弹性体的模块化驱动装置
本实用新型公开了一种基于介电弹性体的模块化驱动装置，包括：固定框；驱动薄膜，绷设在所述固定框内，所述驱动薄膜包括至少一层上、下表面均覆有电极层的介电弹性体薄膜；变形转换机构，设置在驱动薄膜上，所述变形转换机构包括：两个垫脚，间隔贴附在驱动薄膜上；两个摆臂，两个摆臂相互铰接，两个摆臂的另一端分别与两个垫脚相互铰接；两个垫脚之间的间距大于等于两个摆臂的长度之差且小于两个摆臂的长度之和。本实用新型的模块化驱动装置通过变形转换机构，将介电弹性体平面内的伸缩变形转变为平面外的变形，该驱动装置的有效驱动力较大。
浙江大学
2021-04-13
一种发酵培养桦褐孔菌的方法
本发明公开了一种发酵培养桦褐孔菌的方法。本发明发酵培养桦褐孔菌的方法是向桦褐孔菌的培养液中添加无菌的链格孢霉菌细胞壁碎片；所述链格孢霉菌细胞壁碎片是将链格孢霉菌菌丝体破碎后离心得到的。本发明通过向桦褐孔菌的发酵培养的发酵液中加入链格孢霉菌细胞壁碎片来培养桦褐孔菌，获得的桦褐孔菌胞内和胞外的酚类化合物的积累和抗氧化活性明显提高。本发明发酵培养桦褐孔菌的方法中链格孢霉菌细胞壁碎片用量少，制备方法简单，成本低廉，具有广泛的实用价值和经济价值
江苏师范大学
2021-04-11
纳米孔检测芯片的便携式装夹装置
本发明公开了一种纳米孔检测芯片的便携式装夹装置，包括弹簧、推动杆、沿推动杆自由移动的左液池、橡胶垫圈、芯片夹和右液池，通过按动推动杆使左液池和右液池分开，将装有芯片的芯片夹插入两液池之间的空隙，去除对推动杆施加的外力时，右液池与左液池在弹簧的作用下共同夹紧芯片夹；位于芯片夹内侧的橡胶垫圈保证夹紧芯片时的密封连接，位于芯片夹外侧的橡胶垫圈保证和两液池的密封连接。本发明利用弹簧自发复原的特性，能够方便快捷、准确高效地实现两液池与芯片连接时的定位与夹紧，从而实现快速更换所需芯片。
东南大学
2021-04-13
精密内孔加工的新型超硬砂轮磨削技术
Ø 成果简介：精密内孔加工特别是硬淬材料和高粘性材料的内孔加工，砂轮的损耗十分严重，而内孔加工精度和表面质量对砂轮几何形貌及磨削性能的变化十分敏感，因此，需要采用高耐磨的具有良好保持性的超硬砂轮及其磨削技术，本项目可针对不同材料的内孔磨削要求，提供高效的砂轮设计与制造及其应用技术。该技术主要应用于强化铸铁、轴承钢、不锈钢、陶瓷等材料的精密内孔加工。比普通砂轮提高耐用度10倍以上，磨削粗糙度Ra≤0.4。Ø 项目来源：自行开发Ø&
北京理工大学
2021-01-12
精密内孔加工的新型超硬砂轮磨削技术
精密内孔加工特别是硬淬材料和高粘性材料的内孔加工，砂轮的损耗十分严重，而内孔加工精度和表面质量对砂轮几何形貌及磨削性能的变化十分敏感，因此，需要采用高耐磨的具有良好保持性的超硬砂轮及其磨削技术，本项目可针对不同材料的内孔磨削要求，提供高效的砂轮设计与制造及其应用技术。该技术主要应用于强化铸铁、轴承钢、不锈钢、陶瓷等材料的精密内孔加工。比普通砂轮提高耐用度10倍以上，磨削粗糙度Ra≤0.4。
北京理工大学
2021-04-13
一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺
本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形 ；（ 2 ） 镀 上 银 膜 或 金 膜 ；（ 3 ） 在 电 场 之 中 ， 采 用 HF 、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数
华中科技大学
2021-04-14