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一种用于建筑领域的光电复合缆
本实用新型公开了一种用于建筑领域的光电复合缆,涉及电缆技术领域，本实用新型包括多条缆线组和多条光纤线组，多条缆线组和多条光纤线组外依次包裹着内护套层、防潮层、屏蔽层、耐火层、铠装层和外护套，内护套层内多条缆线组和多条光纤线组之间设置有多条阻水线和一条加强芯，内护套层内的空隙处填充有阻水膏，每条缆线组包括内置的两条缆芯线和包裹在缆芯线外的松套管，缆芯线包括导体和挤包在导体外的绝缘层，每条光纤线组均包括光纤和包裹光纤的光纤护套，光纤护套内的空隙处填充有光纤膏；与普通光电复合缆相比本实用新型结构简单、屏蔽效果好、防火性能强及防潮的优点。
浙江大学
2021-04-13
安徽大学在理论数学领域取得新进展
陈昌昊教授与合作者结合丢番图方程与调和分析，给出了几乎处处Weyl和的最佳下界估计；并且对于Weyl和相关例外集，通过构造正则的康托子集，得到了相关例外集的Hausdorff维数下界估计。
安徽大学
2022-06-13
安徽大学在理论数学领域取得新进展
近期，数学科学学院青年教师钮维生和陈昌昊分别与合作者在偏微分方程均匀化理论、Weyl和度量理论等理论数学研究领域取得新进展，相关论文连续发表于数学领域国际顶尖学术期刊MathematischeAnnalen。
安徽大学
2022-06-01
中国科大在立体发散性合成领域取得重要进展
研究人员开发了一种金属/有机小分子协同催化立体发散性合成策略，从相同的反应原料出发，通过改变镍或方酰胺手性催化剂的构型，以高产率、高立体选择性实现炔丙基取代产物所有四种立体异构体的合成。
中国科学技术大学
2022-06-02
人才需求：洗涤剂制造相关专业、领域人才
洗涤剂制造相关专业、领域人才
山东晶华洗涤日化有限公司
2021-09-08
人才需求：助剂与试剂制造相关专业、领域人才
助剂与试剂制造相关专业、领域人才
济宁市安鸿新材料有限公司
2021-09-08
膜技术在粉体生产领域中的应用
液相法（特别是湿化学法、水热合成法等）是大规模工业化生产纳米粉体的方法之一，但存在间歇工艺，洗水量大，产品流失严重，环境污染等问题。本工艺将膜技术应用于粉体的生产过程中，如纳米氧化锆、水滑石、石墨烯等粉体的生产领域中，并形成具有自主知识产权的陶瓷膜法超细粉体生产新工艺与成套装备，促进了超细粉体制备的技术进步，推广应用60项工程。
南京工业大学
2021-01-12
专家报告荟萃㉒ | 成都理工大学副校长曾英：资源能源领域一流人才培养的思考与探索
教育部对双一流建设八年来的成效进行了总结，包括人才培养能力、高水平科技自立自强、师资队伍建设以及教育国际影响力等方面的显著提升。然而，我们也要清醒地认识到，未来的高等教育发展必须超越极限，打破原有路径与习惯的依赖，坚持创新，构建高等教育发展的新模式、新范式。
中国高等教育博览会
2025-02-11
专家报告荟萃⑪ | 西南科技大学副校长尚丽平：西南科技大学 科教融汇培养新兴领域人才的实践与探索报告
科教融汇是创新人才培养模式的重要突破口。将高水平科研优势转化为高质量育人能力，以创新人才自主培养支撑高水平科技自强自立，这既是促进国家创新发展的重要保障，也是高校使命担当及自身可持续发展的客观要求。西南科技大学作为一所地处西部的地方高校，积极响应国家号召，致力于以科教融汇探索新兴领域创新人才的培养路径。
中国高等教育博览会
2024-12-31
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10