基于InGaAs-APD的超灵敏高速光电探测模块，探测波段覆盖900 -1700 nm，探测效率最高可达25%。采用先进的正弦频谱滤波技术，支持GHz以上的单光子探测。此外，得益于先进的噪声抑制和弱信号处理技术，GHz 单光子探测器在如此高的工作频率下依然可以保持5×10-6/pulse的暗计数水平，以及小于5%的后脉冲概率。而多通道GHz单光子探测器的集成，可实现高速的光子数可分辨探测，拓展量子探测器的动态范围。 相关技术指标： 通道数： ≥4 工作频率：1-2.5GHz 探测效率：1-25% 连续可调 暗计数： 工作频率1-1.5GHz：≤ 5×10-6/pulse 工作频率2-2.5GHz：≤ 1×10-5/pulse 后脉冲： ≤ 5% 死时间： 3 ~ 10 ns (暗计数后脉冲指标均在10%探测效率下测得) 技术创新点： 国际上首次提出“一种低时间抖动低噪的吉赫兹单光子探测方法”，通过频谱分析的方法将低通滤波和平衡相结合，实现了高速高性能InGaAs APD单光子探测，被国内外单光子探测领域的专家同行广泛引用。基于该技术所研制的GHz单光子探测器通过华东电子测量仪器研究所光电计量校准中心（国防科技工业光电子一级计量站）鉴定检测，性能指标达到国际同类仪器先进水平。“单光子探测关键技术与仪器开发”获2012年上海市科技发明二等奖（第十完成人）此外，在此基础上，将室温单光子探测的速率提升到GHz以上，与国际水平相对比，工作频率提升到了1.5GHz，后脉冲误计数概率亦有所下降，探测效率为21%时，后脉冲概率仅为1.4%。

产品详细介绍HB796型直流信号源，是在我公司二十多年的仪器生产经验基础上，并采用了先进的电子技术，汲取了大量的现场工作经验，自主开发推出的新一代双通道直流信号源。 仪器具有独立电流、电压、电阻输出功能，可专门用于校验热工二次仪表，其采用高精度D/A转换技术，全数字化设定，操作方便快捷，提高校准效率，是一款得力工具。         主要技术指标   输出       输出量程       准确度    分辨力    负载电阻 电压       10.0000V       ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  0.1mV     ≥5kΩ        25.0000V       ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  0.1mV     ≥10kΩ        50mV      ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  5μV       ≥2MΩ        100mV    ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  10μV     ≥5MΩ 热电偶    10种TC ℃   见下表    0.1℃      ≥5MΩ 电流       25.0000mA     ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  10μA     ＜750Ω 电阻       1~400.000Ω  ±(0.05%F.S+50mΩ)   10mΩ    --- 热电阻    4种RTD ℃  见下表    0.1℃      --- 24V DC   ±2％F.S（输出200mA时）      ---   热电阻准确度指标 热电阻    输出范围       准确度    分辨率 Pt10 输出       （－200～850）℃       ±2℃     0.1℃ Pt100      输出       （－200～850）℃       ±0.5℃   0.1℃ Cu50       输出       （－50～150）℃  ±0.5℃   0.1℃ Cu100     输出       （－50～150）℃  ±0.5℃   0.1℃   热电偶准确度指标 热电偶    输出范围       准确度    分辨率 S     输出       （－40～0）℃     ±2℃     0.1℃               （0～1760）℃     ±0.5℃   R     输出       （－40～0）℃     ±1℃     0.1℃               （0～1760）℃     ±0.8℃   B     输出       （250～1820）℃  ±0.5℃   0.1℃ K     输出       （－210～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1200）℃     ±0.2℃   N     输出       （－120～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1300）℃     ±0.1℃   E     输出       （－270～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1000）℃     ±0.2℃   J      输出       （－210～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1200）℃     ±0.2℃   T     输出       （－270～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～400）℃       ±0.3℃    

模数转换器（ADC）芯片，是绝大多数电子系统中必不可少接口部件，进行了高速ADC结构、高性能运算放大器、高速采样保持、高精度基准电压源等方面的研究与设计，已经完成了10位40MSPS的高速高精度ADC芯片的色伙计与流片。

作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。

技术创新性和领先性 （1）构建了基于元胞自动机方法的蚀刻模型，并结合浸没蚀刻和喷淋蚀刻 实验，揭示了蚀刻时间、蚀刻液成分及浓度、温度、线宽等因素对印刷电路板换 热器换热板蚀刻速率、侧蚀、表面粗糙度等蚀刻质量和表面形貌的影响机理，建 立了在特定蚀刻液下蚀刻速率随各因素变化的半经验公式，掌握了可控的印刷电 路板换热器换热板蚀刻工艺。 （2）构建了基于分子动力学方法的扩散焊接模型，并结合宏观扩散焊接和 拉伸实验，揭示了压力、温度和表面粗糙度等参数对印刷电路板换热器模块的扩 散层厚度、焊接强度的影响机理，掌握了印刷电路板换热器换热芯体的扩散焊工 艺。 （3）研究了印刷电路板换热器内超临界二氧化碳、高温氦气等介质的传热 和阻力特性，掌握了印刷电路板式换热器的热力设计和结构设计方法，具备自主 研发新型高效印刷电路板换热器的能力。 图 1 多种结构的印刷电路板换热器换热板 图 2 扩散焊获得的印刷电路板换热器芯体和焊缝金相组织 （2）技术成熟度 相关成果荣获 2016 年舰船热能动力技术学术会议优秀论文二等奖、2015 年 第三届节能控排传热进展国际会议最佳论文奖和 2015 年中国工程热物理学会传

本实用新型涉及一种双钳位取电电路，由二极管D1、共模电感L1、稳压二极管Z、电阻R、三极管Q及电容C构成，其二极管D1依次与共模电感L1、第三三极管Q3串联，第三三极管Q3的输出端连接第一电容C1、第二电容C2，其第一电容C1与第二电容C2之间为并联，其二极管D1与共模电感L1之间连接一保险丝F1，本实用新型的有益效果为：通过该取电电路，使得输出电压范围在18～36V之间，为后续的DC-DC芯片提供稳定范围的电压，减少因电源的波动造成系统的不稳定以及系统芯片的烧毁。

薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。

研发阶段/n内容简介：本测试机采用基于现场可编程门阵列(FPGA)和PC104嵌人式工业控制计算机的架构。以PC104为主机，以FPGA及其相应的电路为从机。上位机采用基于Windows的系统软件开发。将测试速度相关的测试控制逻辑、基本测试算法全部移植于FPGA中，从硬件上提高测试机系统速度。将实时性要求不高的人机界面、测试数据处理、上层测试算法及规划由上位机PC104完成。由于测试硬件电路的控制不是由PC104完成，可在不影响系统测试速度下进行复杂测试算法处理，实现测试与数据处理并行操作，提高系统