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基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法，通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲，使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化，形状近似为圆柱体；通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节，使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学
2021-04-14
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学
2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14
一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法
本发明公开了一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法， 属于分布式存储技术领域。本发明预先额外设置一个阈值(t2)，其值小 于系统已有的用于判断永久性故障的阈值(t1)；系统周期性计算当前时 间与节点最近活跃时间的差值，若差值大于等于 t1，则认为其为永久 性故障节点；否则若差值大于等于 t2 且小于 t1，则认为其为暂时性故 障节点；否则若差值小于 t2，则认为其为非故障节点；若同一冗余组 内存在两个或两个以上的
华中科技大学
2021-04-14
发表论文在国际材料学期刊《物质》攻克固态锂电池电极-电解质瓶颈
2019 年 9 月，两个团队合作制备了倍率性能可与传统浆料涂覆正极相比的复合正极，为克服固态电池中电极-电解质接触差这一瓶颈提供了新思路。相关研究成果日前发表在国际材料学期刊《物质》上
清华大学
2021-04-13
西安交通大学实验室安全设施建设-存储柜竞争性磋商
西安交通大学实验室安全设施建设-存储柜竞争性磋商
西安交通大学
2022-05-27
一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法
本发明公开了一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法，具体为：将数据文件分为小数据块和大数据块，将大数据块和优先级低的小数据块存入外存，将优先级高的小数据块存入内存；嵌入式处理器查询到待访问数据的索引块，若该数据块存在于内存，则直接访问数据，若该数据块存在于外存，则访问外存中的数据；在系统空闲期，数据库根据访问情况将部分数据块降级释放到外存，加载部分急需的数据块到内存，以实现动态调度。本发明综合两种存储介质的优
华中科技大学
2021-04-14
一种云存储系统中基于溯源信息的视频共享方法与系统
本发明公开了云存储系统中基于溯源信息的视频共享方法。系统客户端收集视频溯源信息，客户端上传共享的视频及相关视频溯源信息，服务器根据客户端上传的视频溯源信息建立溯源图。云存储系统服务器接收到视频下载请求后，在溯源图中查找所述请求下载视频的起始视频，若查找到起始视频存在于云存储系统中，则根据 BFS(广度优先遍历)算法选择一条从所述起始视频到所述请求下载视频的代价最小的路径，依照该路径重新生成所述请求下载的视频并发送给客
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14