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80104家庭电路器材
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
高级模拟电路教学实验系统
集成一体化先进结构方案,新一代高性能测量与分析仪器,专为模电教学实验精心设计,具有毫伏级的高品质信号,完全开放的实验电路,高效支持模电课程的实验教学及课程设计,增强学生的综合设计和工程实践能力。
西安唐都科教仪器开发有限责任公司 2021-02-01
集成电路 工程实践平台
建设专业的实践教学科研平台,提供产业级集成电路设计环境。 培养高质量的集成电路专业人才,提高学生实践开发能力和工程实践技能。 校企联合共建课程体系,加强双师型师资队伍建设,创新人才培养模式,加强专业建设软实力。 为申报各类省部级以上重大科研项目提供支撑条件,为各类相关科研试验提供设备和场地支持。 提供工程教育认证整套解决方案及工程认证专家指导。 发挥服务地方经济建设的功能,为地方培养优质的集成电路专业人才。
青软创新科技集团股份有限公司 2022-07-06
超高速光通信集成电路与系统、射频集成电路与系统以及数模混合集成电路
1.4×25Gb/s NRZ Optical Transmitter and Receiver; 2.50G PON Burst Mode TIA; 3.4×56Gbaud/s PAM4 Optical Transmitter and Receiver。 陈莹梅教授团队于2015年至2020年期间,共承接华为技术有限公司、海思光电子有限公司等多家企业的横向合作项目9项,其中10G线性均衡器芯片已在海思商用,高速以太电口模拟器已在华为量产,24路总传输速率1.344Tb/s的数控可调衰减器芯片正在华为量产准备中。
东南大学 2021-04-13
数模混合集成电路、射频集成电路、SoC 系统集成等 技术
项目简介: 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标,现有一批 集成电路设计的师资力量,具有现成的教学体系,能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验,具有集成电路设计与实践 的软硬件条件,支持设立集成电路设计实验基地,支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展,提供技术培训、设计实验和合作开发等。 
南开大学 2021-04-11
全固态太赫兹前端关器键件
 1、主要功能和应用领域 针对太赫兹高分辨雷达和通信系统应用需求,研究了常温固态太赫兹连续波发射和接收的总体方案和实现技术,研究了太赫兹平面肖特基势垒二极管非线性模型的精确模型,提出了太赫兹高效倍频电路和低损耗分谐波接收电路的拓扑结构,掌握了太赫兹倍频器和分谐波混频器的优化方法,解决了固态太赫兹关键技术的工艺难题,突破太赫兹连续波发射和接收的关键技术,打破国外技术封锁,提高自主创新能力,形成自主知识产权,相关技术水平达到国际先进,为我国太赫兹技术的发展和太赫兹系统的应用奠定技术基础,提供技术支撑。 2、特色和先进性 1)国内首次报道了400GHz以上频段的太赫兹源,输出功率大于5mW 2)首次开展了太赫兹高功率多管芯二极管的三维电磁模型研究; 3)国内首次报道了220GHz、380GHz和664GHz分谐波混频器,变频损耗指标由于10dB; 4)国内首次开展了基于光电结合的太赫兹高速无线通信系统实验,通信速率大于12.5Gbps; 5)太赫兹核心模块已应用于太赫兹成像和通信系统中。 3、技术指标 太赫兹倍频器指标对比 频段 国外研究机构 电子科技大学 美国VDI FARRAN 仿真 实测 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 无 12dBm 4dBm 太赫兹分谐波混频器指标对比
电子科技大学 2021-04-10
全固态电池正极/电解质界面研究
硫化物固态电解质(LGPS)由于拥有与液态电解质接近的室温离子电导率,因此被视为下一代高能量密度电池的候选体系之一。但是,由于硫化物固态电解质较窄的电化学窗口(如Li10GeP2S12,1.7~2.1 V vs. Li/Li+),在与较高工作电压的LiCoO2氧化物正极(LCO)匹配时会发生一系列副反应,在界面处堆积低电导的氧化副产物(如Li3PS4, S, GeS2),同时LGPS和LCO电化学势的不匹配还将导致界面处产生空间电荷层(SCL),这些因素都将极大地增加固态电池的界面阻抗,进而使得固态电池的性能迅速衰减。目前,解决氧化物正极-硫化物固态电解质界面不匹配问题的主要途径为在氧化物正极表面包覆一层过渡层,用以缓冲正极和电解质界面的电势不匹配问题。 通过简单易行的固相包覆方法,首先将粒径为10 nm二氧化钛纳米颗粒均匀分散在钴酸锂表面,再通过高温烧结处理在钴酸锂表面形成一层约1.5纳米保护层。对照实验,FIB-TEM原位观察和XPS佐证表明通过高温原位反应钴酸锂表面将形成Li2CoTi3O8尖晶石相(LCTO)。具有稳定三维尖晶石结构的LCTO晶体在钴酸锂工作的电压区间依然能保持结构稳定,与钴酸锂基体之间具备较强的键合,同时具有高的锂离子扩散能力(Li+= 8.22×10-7 cm2 s−1),低电子电导(2.5×10-8 S cm-1)。这些性质将有助于在LCO和LGPS之间形成有效的电压降,保持界面稳定性的同时提供快速的离子迁移通道。理论计算表明,相较于LCO/LGPS界面,通过引入LCTO中间层产生的两个替代界面,即LCTO/LCO和LCTO/LGPS具有更强的热力学稳定性和更强的界面亲和力。
厦门大学 2021-02-01
全固态电池正极/电解质界面研究
项目成果/简介:硫化物固态电解质(LGPS)由于拥有与液态电解质接近的室温离子电导率,因此被视为下一代高能量密度电池的候选体系之一。但是,由于硫化物固态电解质较窄的电化学窗口(如Li10GeP2S12,1.7~2.1 V vs. Li/Li+),在与较高工作电压的LiCoO2氧化物正极(LCO)匹配时会发生一系列副反应,在界面处堆积低电导的氧化副产物(如Li3PS4, S, GeS2),同时LGPS和LCO电化学势的不匹配还将导致界面处产生空间电荷层(SCL),这些因素都将极大地增加固态电池的界面阻抗,进而使得固态电池的性能迅速衰减。目前,解决氧化物正极-硫化物固态电解质界面不匹配问题的主要途径为在氧化物正极表面包覆一层过渡层,用以缓冲正极和电解质界面的电势不匹配问题。 通过简单易行的固相包覆方法,首先将粒径为10 nm二氧化钛纳米颗粒均匀分散在钴酸锂表面,再通过高温烧结处理在钴酸锂表面形成一层约1.5纳米保护层。对照实验,FIB-TEM原位观察和XPS佐证表明通过高温原位反应钴酸锂表面将形成Li2CoTi3O8尖晶石相(LCTO)。具有稳定三维尖晶石结构的LCTO晶体在钴酸锂工作的电压区间依然能保持结构稳定,与钴酸锂基体之间具备较强的键合,同时具有高的锂离子扩散能力(Li+= 8.22×10-7 cm2 s−1),低电子电导(2.5×10-8 S cm-1)。这些性质将有助于在LCO和LGPS之间形成有效的电压降,保持界面稳定性的同时提供快速的离子迁移通道。理论计算表明,相较于LCO/LGPS界面,通过引入LCTO中间层产生的两个替代界面,即LCTO/LCO和LCTO/LGPS具有更强的热力学稳定性和更强的界面亲和力。
厦门大学 2021-04-10
高速大容量固态数据记录仪(产品)
成果简介:高速大容量固态数据记录仪是以6UcPCI高密度NANDFlash存储板为数据记录载体,基于串行RapidIO高速互联技术构建的模块化、可扩展的实时数据存储系统。该系统可提供稳定可靠的高速数据记录与回放功能,记录速度可达1200MB/s,记录容量可扩展,最高可达6TB。系统具有独立的可方便拆卸的存储体,对外接口可替换。 应用范围:可以广泛应用于机载、舰载、车载等恶劣工作环境下海量数据的高速可靠存储。 技术特点:
北京理工大学 2021-04-14
全固态太赫兹前端关器键件
成果简介: 1、主要功能和应用领域 针对太赫兹高分辨雷达和通信系统应用需求,研究了常温固态太赫兹连续波发射和接收的总体方案和实现技术,研究了太赫兹平面肖特基势垒二极管非线性模型的精确模型,提出了太赫兹高效倍频电路和低损耗分谐波接收电路的拓扑结构,掌握了太赫兹倍频器和分谐波混频器的优化方法,解决了固态太赫兹关键技术的工艺难题,突破太赫兹连续波发射和接收的关键技术,打破国外技术封锁,提高自主创新能力,形成自主知识产权,相关技术水平达到国际先进,为我国太赫兹技术的发展和太赫兹系统的应用奠定技术基础,提供技术支撑。 2、特色和先进性 1)国内首次报道了400GHz以上频段的太赫兹源,输出功率大于5mW 2)首次开展了太赫兹高功率多管芯二极管的三维电磁模型研究; 3)国内首次报道了220GHz、380GHz和664GHz分谐波混频器,变频损耗指标由于10dB; 4)国内首次开展了基于光电结合的太赫兹高速无线通信系统实验,通信速率大于12.5Gbps; 5)太赫兹核心模块已应用于太赫兹成像和通信系统中。 3、技术指标 太赫兹倍频器指标对比 频段 国外研究机构 电子科技大学 美国VDI FARRAN 仿真 实测 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 无 12dBm 4dBm 太赫兹分谐波混频器指标对比
电子科技大学 2015-12-24
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