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铁电高分子电容器：高容量电能贮存
具有高电能密度和快速充放电特性的贮能设备存在着巨大的市场。当前电化学电容的储能密度为15-30J/cm3，放电较慢；商业化BOPP薄膜电容放电快，电能密度仅1-2J/cm3。我校开发的PVDF共聚物电能贮存容量高（10- 30J/cm3），可制造新一代高容量、轻质、柔性贮能设备，为便携式电子设备供能；智能电网远距离大容量输电工程现有BOPP直流电容器重量大、阀厅占地超限，国内电网研究院对高能量密度PVDF电容器表现了浓
南京大学
2021-04-14
电容式小体积数字输出HTU21D
产品详细介绍 产品名称:SHT11、SHT10、SHT20、SHT21替代品--电容式小体积数字输出HTU21D 产品型号:HTU21D、SHT11、SHT10、 产品品牌:法国Humirel SHT11、SHT10、SHT20、SHT21替代品--电容式小体积数字输出HTU21D详细介绍： 产品简介： 基于法国Humirel公司高性能的湿度感应元件制成，新一代HTU21D温度和湿度传感器在尺寸与智能方面建立了新的标准：它嵌入了适于回流焊的双列扁平无引脚DFN 封装， 底面3x3mm，高度1.1mm。传感器输出经过标定的数字信号，标准 I2C格式。多样化的输出方式，宽的工作电压范围，同时具有很高的温度精度和湿度精度。HTU21系列模块专为低功耗小体积应用设计，具有良好的品质、快的响应速度、抗干扰能力强、性价比高等优点，微小的体积（3x3mm）、极低的功耗 传感器重要参数： 供电电压：1.5V—3.6 湿度测量范围：0—100%RH 温度测量范围: -40℃—105℃ 最大消耗功率: 2.7uW 通信方式: I2C 湿度精度范围（10%RH to 95%RH）: HTU21D ±2%RH 湿度迟滞：±1%RH 测量时间：50ms 年漂移量：-0.5%RH/year 响应时间：5 s SHT21 SHT20相对SHT11 SHT10拥有更小的体积。同时HTU21D可以和瑞士的SHT20、SHT21实现完全兼容，硬件管脚上可以实现Pin to Pin，无需修改电路板。软件程序方面也和瑞士的SHT20、SHT21相同，可以实现兼容替换，无需做出任何修改。同时HTU21D比起瑞士SHT20、SHT21有着很好的价格优势，极具性价比.
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
超声波测深仪，电容式液位计,差压变送器
产品详细介绍HDCS100型手持式超声波测深仪一款方便适的手持式超声波测距仪表。超声波收发转换电路采用专用大规模集成电路，元件贴片率99%，并以液晶显示测深结果，保证了产品的长期可靠性，同时将其功耗降到了极低。可选信号输出，弥补了传统手持产品无输出的产品不足。具有测量精确、耗电省、可靠性高、使用方便、操作简单、测量速度准确、携带方便等优点。仪器可在静水中测深，也可在具有一定速度的水中测深；水流速度可达5m/秒左右，是水文测验、水电厂、库区、湖泊、河道勘测和环境水域监测的理想水深测量仪器。手持式超声波测深仪性能特点 *物美价廉的便携式测深仪。*中,小型船舷外（内）按装,电缆 5米。 *主要用于海、河、湖上水下定位和测量水深。 *主要精致的外壳，对高流速防止湍急噪声。应用领域 ☆航道勘测、水底地形调查、水下定位、海道（河道）测量和船只导航定位等 ☆水文测验、水电厂、库区等手持式超声波测深仪性能指标量程：0.1～3m，0.2～20m，0.3～50m，0.5～100m 盲区： <0.1m, <0.5m 最小显示分辨率：1mm 精度：±0.3％×量程显示：大屏ＬＣＤ 工作频率：200～2000KHz 现场设置：通过传感器按键完成 标定：出厂标定，可现场校准输出（可选）模拟输出信号：0～20mA；4～20mA负载>300Ω；0～5V；1～5V 数字输出：RS485（支持Modbus） 两组NPN开关输出供电工作电压：内置1.5V AA电池×５只 联系人：崔经理 手机：13598007836 电话：0371-53735520 QQ:1043256882 邮箱：hongdaerck@126.com 网址：www.hdekj.com
郑州宏达尔测控科技有限公司
2021-08-23
超结MOSFET设计及制造技术
本成果开发了一套超结MOSFET器件的设计方法，并与上海华虹NEC(现上海华虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工艺的600~900 V级8英寸超结MOSFET工艺代工平台，这是国内第一个量产的超结工艺平台。所制备的超结MOSFET击穿电压最高可达900V，比导通电阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。该成果作为重要组成部分获得了2016年四川省科技进步一等奖（“功率高压MOS器件关键技术与应用”张波、乔明、任敏 等）。
电子科技大学
2021-04-10
用超细APT制备纳米钨粉
1.项目简介：《用超细APT制备纳米钨粉的研究》由我校余世鑫教授主持与江西省崇义章源钨制品有限公司联合研究，并由该公司工业试生产成功。该项目经过课题组人员的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技厅组织专家鉴定组对该项目进行了鉴定。2.技术特点：本项目采用精细化工技术，依据相转移合成法的原理，采用独特的离子交换高峰液的处理技术、固液分离技术和结晶晶形控制技术，生产出超细颗粒仲钨酸铵(APT，费氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回转管炉煅烧和四管炉还原，采用露点-70℃的高纯氢气和粉末钝化技术，制得纳米钨粉。其生产表明，与等离子法、流态化还原法等相比，采用该技术生产纳米钨粉具有设备投资少、成本低、规模生产易控制、重现性好的特点。易于实现工业化生产。该项目采用的工艺技术独特、新颖、可行，属国内首创。
武汉工程大学
2021-04-11
新型超晶格激光器系统
基于“介电体超晶格”制备技术，开发了一套适合量产的超晶格材料制备工艺。超晶格材料在激光非线性波长变换、量子纠缠源产生、声学滤波换能等领域有重要应用。以超晶格材料为核心材料，开发出红光、绿光、蓝光、准白光、钠黄光、皮秒锁模以及中红外等多种新型激光器。
南京大学
2021-04-10
超三代移动通信技术
为了满足超三代移动通信技术B3G项目对高速背板传输的需求，2004年10月东南大学与深圳华为技术有限公司中央硬件部开展合作，共同研制了符合PICMG3.0国际规范的AdvancedTCA全网格标准机箱与背板，实现了超过3.125Gbps的双向传输速率。
东南大学
2021-04-10
超材料自由或实时调控
近年来，超材料虽然取得了长足发展，但仍存在一些瓶颈问题：1)基于等效媒质超材料的新物理现象和新应用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理学家的领地，以验证新物理现象为主；3) 超材料对电磁波的凋控大多是静态的，一旦制备成型其功能即被㈣化，+能实时地调控电磁波。为解决上述问题，该项对微波超材料进行了系统性研究。 在等效媒质超材料方而，提出并制备了柱坐标系下各向异性零折射率超材料，突破了h然界域小辐射单元（电偶极子和磁偶极子）双定向辐射的限制，实现了完美的电磁波全向辐射及高效空间功率合成。提出•种三频段超材料完美吸波器，可在三个设计频段实现电磁波在大角度范围内、 对极化不敏感的近乎完美吸收。基于变换光学原理，提出一种低损耗电磁幻觉器件，可按照需求有0的地操控0标对电磁波的雷达散射特征。提出并制备了宽带、低损耗的全介质超材料放人透镜，打破衍射极限的限制，实现了超分辨率的微波成像。该研究促进了等效媒质超材料的发展。
东南大学
2021-04-11
关于自旋超流基态的研究
研究小组首先利用激光分子束外延技术生长了具有原子级别平整度的反铁磁Cr2O3薄膜，是电荷的绝缘体。采用非局域自旋输运的技术，用热方法在铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、产生自旋压，在另外一个铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运（图A）。实验数据显示在低温下自旋输信号出现饱和现象，对应着自旋导的饱和，也就是零自旋阻效应；即自旋超流基态的最重要基本性质之一（图B）。在此基础上，该研究小组又系统研究了不同自旋输运距离下自旋超流的输运现象，证明了自旋在该自旋超流基态可以进行长距离的输运，并且其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致（图C）。该工作是是自旋超导态领域研究的一项重大突破，势必推动自旋超导态的快速发展，为研究基于自旋玻色子的玻色爱因斯坦凝聚的基础物理研究提供了实验平台，并为新型量子自旋器件，如自旋流约瑟夫森结等，奠定了实验基础。图：自旋超流基态的重要实验证据。（A）非局域自旋输运测量示意图。用热方法在左边铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右边铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运。（B）自低温下自旋输信号出现饱和现象，反映出自旋超流基态的零自旋阻效应。（C）自旋信号随其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致。
北京大学
2021-04-11
超洁净石墨烯制备的研究
石墨烯因 其 优异 的性质而 被 誉为 “ 材料之王 ” ， 在诸多 领域有着广阔的应用前景， 但 距离 真正实现产业化 还存在诸多 问题和挑战 。制备决定 未来， 高品质 石墨烯薄膜的 可控 制备 一直是学术界和业界关注的 重点 。 化学 气相沉积法（ CVD ） 以 其优良 的 可控性和可放大性被 公认 为最具前景的石墨烯 薄膜 制备方法， 经过 近十年的发展， 虽然 在单晶尺寸上 取得 了诸多突破性进展， 但 CVD 石墨烯的性能 和 理想 水平 仍然有不 小 的差距 ， 这一问题已经困扰石墨烯领域很久 。 该研究首次 揭示了 CVD石墨烯 的本征污染问题，提出气相反应调控的方法，分别使用泡沫铜辅助催化和含铜碳源实现了超洁净石墨烯的制备（ Nat ure Commun . 2019 , 10 , 1912 ； J. Am. Chem. Soc. 2019 , 141 , 7670 ）。 对于已存在 本征污染的石墨烯薄膜，他们 巧妙地 使用 二氧化碳 对其进行刻蚀 ，而不引入额外缺陷，从而成功 制备出大面积的超洁净石墨烯薄膜，该 方法与普通CVD工艺完全兼容 （ Angew . Chem. 2019 ,10.1002/ange.201905672 ）。 同时 ，他们探究 了本征污染物与石墨烯之间的相互作用，发展了基于活性炭的界面力调控方法，成功实现了石墨烯的表面清洁（ Adv. Mater. 2019 , e1902978 ） 。
北京大学
2021-04-11