本发明涉及种子科学领域，特别是关于一种种子萌发顶土力检测工艺。它包括种子发芽作业、顶土力检测仪安置作业、软件控制检测作业、后处理等工序。使用发芽盒、置种板、平基板对种子进行标准化发芽产生顶土力；将顶土力检测仪连接电脑，并将其测力板科学安置在发芽盒上，依靠压力传感器感受顶土力信息；通过电脑打开数据采集软件实现顶土力检测控制，获得顶土力检测数据；检测数据保存分析后，退出软件，关闭顶土力检测仪，卸载测力板等后处理，完成检测任务。本发明基于种子萌发产生顶土力的特性，采用力学传感技术以提高检测效率和保证数据精准度，通过顶土力检测结果来有效评价种子活力高低。本发明可广泛应用于种子活力检测中。

膨胀土多分布在干旱和半干旱地区，迄今已发现存在膨胀土的国家有 40 多个，我国也有 20 多个省均存在膨胀土。膨胀土的矿物成分以强亲水的蒙脱石和伊利石为主，由于其具有显著的胀缩特性，会给工程建设带来极大的经济损失。而膨胀土病害中，斜坡的稳定性一直是困扰人们的难题。由于膨胀土具有与正常固结粘土一些不同的工程特性，如超固结性、裂隙性和遇水膨胀、失水收缩开裂等，使得常规的斜坡防护与加固措施及斜坡稳定分析方法不能适用于膨胀土斜坡。包括以下步骤：一、斜坡分级开挖；二、水泥砂浆护脚施工：在开挖成的多级台阶式斜坡中的每一级斜坡的坡底均涂抹一层水泥砂浆层作为坡底护脚；三、逐级进行斜坡处治：由上至下或由下至上对所述多级台阶式斜坡中的多级斜坡进行逐级处治，对其中任意一级斜坡 Ai 来说，其处治过程包括步骤：废旧轮胎摆放及固定、混合料覆盖、土工格栅披覆和无纺布铺设；四、后期养护：按常规草本植物养护方法对所述混合料进行养护。本发明设计新颖合理、操作简单易行、成本低且治理效果好，能有效解决膨胀土斜坡表层病害问题。

本实用新型涉及一种用于粘性土龟裂发展的观测装置，包括有放置桌、一个顶部敞开的方形隔热框、两个石英玻璃实验框、固定在放置桌四个拐角处的支撑柱、两个数字摄像头、PLC控制器，隔热框固定在放置桌桌面上，两个石英玻璃实验框并列分布地放置在隔热框内的前后两侧，隔热框的隔热底板上固定有两个相互独立的加热复合层，两个加热复合层上分别嵌入有温度传感器，所述温度传感器电连接于PLC控制器；四个支撑柱上分别套接有一个可上下移动的伸缩杆，石英玻璃实验框固定连接在同侧的两个伸缩杆之间；放置桌上同一端的两个支撑柱上还分别套接

本实用新型提供一种可调角度的螺旋取土装置，包括螺旋取土钻和与取土钻配合的角度控制支架， 所述的螺旋取土钻包括钻头和与钻头连接的杆身，所述的杆身包括与钻头直接连接的杆身 A 和通过螺纹 接口与杆身 A 连接的杆身 B，所述的杆身 B 端部垂直连接有手柄 A，所述的角度控制支架包括底部支撑 架和安装在支撑架上的圆柱形开闭式金属套筒，所述的套筒通过支撑连接件与支撑架连接，所述的支撑 架上设有角度调节器，所述的角度调节器与支撑连接件连接。本实用新型结构简单、使用方便、能提高 土壤钻取效率，并能在两人合力操作下轻松突破密实土层;可调节钻取角度，并且在钻取过程中保持角 度不变，使微根管能够顺利插入土洞，并精确符合设计角度要求。

南京师范大学课程资源研究所 通用技术实验室建设方案（技术与设计1、2） 序号 名称 技术参数与规格要求 单位 数量 01 图书资料 电工、木工、机械工人切削、钳工工艺、五金手册、机械制图国家标准各1册。 套 1 02 二维、三维设计软件 具备完善的二维绘图和三维建模与表现能力。兼顾了Autocad、3dsmax用户的操作习惯。不仅是一个设计工具，而且还是一个演示媒体；它以视觉形式反映设计者的思想。 套 1 03 AutoCAD教育版 讲授Auto CAD的实例应用，实例的制作操作步骤清晰易懂。可进行二维和二维设计，可以预设比例，按照比例绘图可以直接编辑修改线的长度，有标注尺寸功能，可输出位图和矢量图，网络版。 套 1 04 视听资料 配合教材教学内容的（经典结构、技术试验、技术探究、技术奥秘、技术在各领域应用等）挂图、课件、视频及图书资料。 套 1 05 三视图投影演示仪 活动式三维正交结构，可标注投影图；可直观显示三维投影体系，帮助完成三视图的教学。用于《技术与设计1》第六章第二节 “常见的技术图样” 中关于正投影与三视图的教学辅助教具，也可用于《 技术与设计2 》第一单元第二节“稳定结构的探析”的辅助教具。 套 1 06 多功能控制平台（与结构承重测试仪配套使用） 1.显示器：128×64点阵式液晶显示屏 2.输入：八路模拟量输入（其中7路可设置为电压

                          

柜身结构：采用铝合金框架壁厚1.4㎜，表面采用环氧树脂粉末喷涂，及16mm厚双饰面三聚氰胺中密度板结构，上柜内有层板，上柜身为对开木框玻璃门，下柜有两扇木质对开门。截面用封边机械高温热压封边。采用ABS工程塑料，模具注塑成形高度25㎜。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。