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高博会活动日程⑪ | 高等教育经管学科数字化资源与学科建设学术活动
高博会活动日程⑪ | 高等教育经管学科数字化资源与学科建设学术活动
中国高等教育学会
2024-03-28
实验室规划与安全管理交流活动日程及嘉宾阵容揭晓！
实验室规划与安全管理交流活动日程及嘉宾阵容
中国高等教育学会
2024-04-03
4月15日—17日，黎安试验区与您相聚中国高等教育博览会
4月15日-17日，第61届中国高等教育博览会在福州海峡国际会展中心举行。海南陵水黎安国际教育创新试验区受邀参展，本次高教会试验区运用国际教育场景展开放而多元的主题区域，集中展示了黎安试验区在国际教育、教育产业招商及重点创新模式方面取得的发展成果与创新理念，带来更丰富多元的线下体验与交流机会，进一步搭建起试验区与不同高校、企业有效沟通的桥梁，诚邀您莅临试验区展位参观交流，我们在9号馆期待您的到来!
海南黎安国际教育创新试验区
2024-04-16
2024年度国家自然科学基金项目申请集中接收与受理情况分析
经形式审查，共受理项目申请383123项，不予受理项目申请1441项。
国家自然科学基金委员会
2024-07-11
一种单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针及其制备方法与应用
本发明提供了一种单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针及其制备方法与应用，属于有机荧光分子探针领域。在本发明中，制备了二苯乙烯和大环多胺基团偶联的单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针：其中，R选自‑基团中的任意一种。本申请提供的荧光探针制备成本低且溶解性好，在单波长激发下，其荧光发射光谱中含有两个发射峰，其最大发射波长分别在380nm左右的可见区和730nm左右的近红外区，光谱无重叠，最大发射波长间距约350nm，可以有效消除探针浓度、仪器及外界环境因素的影响，提升检测信噪比。依据两个最大发射波长处荧光强度比值响应，本申请提供的荧光探针可用于比率检测Fe<supgt;3+</supgt;。
南京工业大学
2021-01-12
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
低介低损耗LTCC微波介电材料及流延技术
成果描述：我们研发的低介低损耗LTCC微波介质材料主要参数满足： 烧结温度：900度 介电常数：5.8~6.5可调 Qf：≥50000市场前景分析：该材料可广泛应用于各种LTCC天线、滤波器等微波集成器件领域和LTCC集成模块的封装领域，市场前景非常好。与同类成果相比的优势分析：目前国内还没有该类型的产品问世，相应研究所和企业主要是购买国外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料价格昂贵，且主成分为玻璃体系，限制了其推广和应用。本成果材料主要为陶瓷体系，与LTCC工艺的兼容性很好，且成本低廉，优势明显。
电子科技大学
2021-04-10