|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
MW级风电机组用轮毂的研发生产及标准制订
1.使用国内生铁；2.成分中不加镍；3.使用自己研发的球化剂和孕育剂；4.采用计算机模拟控制温场和流场；5.铸件铸态性能达到EN-1563标准要求；6.铸件100％部位进行无损探伤，达到欧洲标准EN-12680中2-3级的要求。
东南大学
2021-04-10
基于铝镓合金在线供氢的氢能源技术及应用研发
铝镓合金是一种新型、易储、即取的固体能量块。其是以铝为主体的在线供氢材料，加水实现平稳释氢。其制备工艺流程简单、易于实现，且产品易于储存、运输和销售。该项成果处于同类产品世界领先水平，其产业化能够避免目前氢气利用过程中储存、运输和加注等环节带来的困扰，从而有效突破阻碍氢能源经济发展的技术瓶颈。
研究团队
吉林大学材料科学与工程学院 魏存弟教授研发团队
成果成熟度
可产业化。
吉林大学
2021-05-11
绿藻资源的生物转化关键技术研发及产业化应用
以我市丰富的绿藻生物质资源（浒苔、石莼）为主要研究对象，针对藻体胞壁特性、多糖结构、理化质构特性及生物活性进行系统研究，探索出一系列具有自主知识产权的绿藻生物工程技术，攻克了海藻温和高效转化关键技术，率先实现绿藻综合利用及其产品的成果转化与产业化推广，实现生物乙醇、精准生物肥、绿藻多糖等农用制品的规模化生产，经济效益显著。
系统性阐明了绿藻糖链分子结构、理化性质、生物学功能及其空间定量构效关系，首次构建绿藻多糖工具酶系并明晰酶多位点催化与调控机制。
创新性建立了绿藻资源的生物转化关键技术，突破了藻体温和破壁液化与高效提取转化技术瓶颈，开发了具有自主知识产权菌株的绿藻工具酶的液体高通量发酵与规模化制备技术。
构建基于计算机在线智能控制的硫酸鼠李低聚糖酶法精准制备技术、人工智能神经网络下的糖链构效实时预测系统、稳定性叶绿素制取以及非酸温和预处理乙醇转化技术，开拓了绿藻资源高值化综合利用的新领域。
中国海洋大学
2021-05-09
基于铝镓合金在线供氢的氢能源技术及应用研发
项目成果/简介: 铝镓合金是一种新型、易储、即取的固体能量块。其是以铝为主体的在线供氢材料，加水实现平稳释氢。其制备工艺流程简单、易于实现，且产品易于储存、运输和销售。该项成果处于同类产品世界领先水平，其产业化能够避免目前氢气利用过程中储存、运输和加注等环节带来的困扰，从而有效突破阻碍氢能源经济发展的技术瓶颈。 研究团队 吉林大学材料科学与工程学院 魏存弟教授研发团队 成果成熟度 可产业化。应用范围: 铝镓合金在线供氢技术可应用于氢能源汽车，还可作为无人机、野外探测、单兵作战及面对大型灾难的等各类电源系统。该技术无须加氢站，避免了传统氢能源利用技术路径高投资、低回报、周期长等问题，投资回报高。
吉林大学
2021-04-10
国家重点研发计划政府间重点专项答辩评审专家名单公告
6月21日，科技部公布一批国家重点研发计划评审专家名单，涉及58组专家，433人。
科学技术部
2022-06-21
关于组织申报2023年度省级重点研发计划项目的通知
为全面贯彻党的二十大精神，深入落实习近平总书记关于科技创新的重要论述和对甘肃重要讲话重要指示批示精神，聚力推动省委省政府强科技行动决策部署落地见效，现将2023年度省级重点研发计划项目申报工作有关事项通知。
甘肃省科技厅
2023-02-09
关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告
为进一步激励企业加大研发投入，更好地支持科技创新，现就企业研发费用税前加计扣除政策有关问题公告。
财政部
2023-03-29
关于河南省重大新型研发机构绩效考核结果的公示
根据《河南省重大新型研发机构遴选和资助暂行办法》（豫科〔2017〕180号）有关规定，省科技厅、省财政厅组织开展了省重大新型研发机构绩效考核工作。现将考核结果予以公示（见附件），公示期5个工作日，自2023年7月14日至7月20日。
实验室与平台基地建设处
2023-07-14
传统蛋制品现代加工技术与装备研发及产业提升示范
已有样品/n传统蛋制品现代加工技术与装备研发及产业提升示范。 成果简介：研究皮蛋腌制中多种金属离子作用机理，发现蛋壳“腐蚀孔现象”与蛋清蛋白质碱解聚与凝胶调控分子机制，揭示蛋清胶体流变学特征，得出腌液对蛋白、蛋黄物性参数的影响，探明不同铜、锌、铁及锰盐在加工中作用差异；找到铜锌复合盐代铅及其比例、用量与生产规律，建立“无铅低铜工艺”技术，铜含量降低29.7%，改变长期使用氧化铅的现状。研制出多种安全涂膜剂与包装方式，构建离子色谱法检测残留量方法，改变包泥裹糠的传统方法。 应用前景：在全国1000
华中农业大学
2021-01-12
大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化
已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下，株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比，SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强，以及高热导率等优异物理特点，是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。
中国科学院大学
2021-01-12