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第四届中国城市与高校发展大会在青岛举办
10月12日,第四届中国城市与高校发展大会在青岛市红岛国际会展中心召开。山东省人民政府副省长王桂英、中国高等教育学会副会长管培俊、青岛市人民政府党组成员、副市长赵燕出席会议并致辞。山东大学校长、中国工程院院士李术才,厦门大学党委副书记、校长张宗益作主旨报告。苏州科技大学原副校长施琴芬,浙江大学高端智库教育学院分中心执行主任、无锡太湖学院副校长阙明坤等专家作主题发言。山东大学校长助理、青岛校区党工委书记邢占军主持会议。
中国高等教育学会 2023-10-14
高博会活动日程⑦ | 高校实验室建设与发展学术活动
高博会活动日程⑦ | 高校实验室建设与发展学术活动日程
中国高等教育学会 2024-03-27
全国秘书学专业建设与理论发展学术活动在福州举办
4月16日,全国秘书学专业建设与理论发展学术活动在福州召开。
中国高等教育学会 2024-05-14
工业和信息化部印发《人形机器人创新发展指导意见》
到2025年,人形机器人创新体系初步建立,“大脑、小脑、肢体”等一批关键技术取得突破,确保核心部组件安全有效供给。
工业和信息化部 2023-11-03
高博会活动日程⑱ | 数字化赋能职业教育高质量发展
高博会活动日程⑱ | 数字化赋能职业教育高质量发展
中国高等教育学会 2024-04-07
《关于促进长三角科技创新协同发展的决定》9月1日起施行
以法治力量推动区域科技创新协同发展再添新样本。
云上高博会 2025-08-05
水稻机械化精量穴直播技术与装备
受农村劳动力的转移、劳动力成本的攀升、农业生产资料价格的上涨等因素的影响,农民对轻简化水稻种植方式的需求越来越强烈。水稻机械化精量穴直播是一种轻简化种植方式,越来越受到农民的欢迎。然而,江西水稻品种繁多,物理机械特性差异大,尤其是超长粒型的优质籼稻的推广,现有直播机具难以满足精量播种的农艺要求。 针对上述问题,江西农业大学工学院基于容积深度可调的技术思路,设计了一种播量无级可调型孔式排种器,实现了不同粒型稻种每穴3~8粒无级可调,并根据江西土地资源条件,研制了与高速乘坐式和手扶式插秧机动力底盘配套的水稻精量直播机。同时,在都昌、鄱阳、安远、信丰、新建、万安、高安、上高、修水等20余个县(市、区)开展了早、中、晚稻机械化穴直播技术与机具的试验示范与推广应用。 实践结果表明,相较于人工撒直播,亩均增产25-75公斤,抗倒伏能力显著提高;相较于机插秧,亩产无显著性差异,抗倒伏能力基本一致,亩均节本增效100多元。并初步形成了适宜江西区域早、中、晚稻机械化穴直播条件下的品种搭配、茬口安排、稻田耕整、种子处理、播种作业要求、鸟鼠害防治与杂草防除等生产技术措施,对提升我省水稻种植机械化水平及综合效益具有重要意义。
江西农业大学 2021-05-05
冻结壁与井壁安全信息可视化技术
(1)根据冻结管的实际偏斜情况,任意计算和显示不同深度下冻结壁内部各点温度值,并在计算机屏幕上显示水平面和纵平面冻结壁温度场状况。(2)根据冻结管的偏斜,对冻结钻孔质量进行综合评价,其内容包括任意深度下相邻冻结管的最大间距、形成冻结壁的几何形状、冻结壁交圈时间、井筒开挖时间等。(3)冻结壁温度场的发展预测及特征分析。实时掌握冻结壁井帮温度、冻结壁最厚、最薄的方位、冻结壁平均厚度、冻结壁平均温度等参数,掌握冻结壁的力学特性,确定冻结壁的安全性。根据实际冻结状况,预测冻结壁的发展,指导确定各排冻结孔送冷形式,为冻结方案和凿井施工安排提供建设性意见。(4)根据井筒掘进速度,预测冻结壁井帮温度,合理地安排井筒掘进速度及段高,防止井筒早期开挖井帮的过大片帮和下部底层冻实,为井筒的安全施工提供较为全面的分析、处理,及时进行施工信息反馈,改进施工作业方式指导井筒施工。(5)方便地绘制任意深度下冻结孔偏斜平面图、地质柱状图及各测点和进回盐水温度随时间变化曲线。(6)基于 B/S 模式开发,操作简便、图文并茂、运行速度快,任意客户端均可进行温度场分析与数据共享。基于 Web 技术的冻结法凿井安全信息网络平台,包括“冻结温度实时监测子系统”、“冻结流量监控子系统”、“冻结站制冷机组设备开停机监控系统”、“网络信息平台主页”四大部分构成。
安徽理工大学 2021-04-11
248-nm光刻胶研发与产业化
目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系,这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成,这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移,导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂,且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸,因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶, 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物,再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基,由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶,这些正型248-nm光刻胶获得了高感度(20-50mJ/cm2)、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率(>99%)及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点,还制备了厚膜248-nm光刻胶,可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5:1的光刻图形:  在此基础上,还制备了负型248-nm光刻胶,这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备,原料易得,反应条件温和可控,去金属杂质的方法也是简便易行,成本相对低廉,在经过多年的深入研究之后,完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中,对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料,日本公司的产品占据全球市场的70%以上,而我国在中高端产品上(248-nm光刻胶、193-nm光刻胶)完全依赖进口,即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此,我们必须尽快扭转这种不利的局面,这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注,已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化,但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多,本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始,至今近二十年来聚焦于光刻胶研究,在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果,也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章: 1.国家重大科技专项(02专项)子课题,课题编号:2010ZX02303(深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究) 2.国家自然科学基金应急管理项目,51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning,European Polymer Journal,114(2019),11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application,Reactive and Functional Polymers,130(2018),118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用,中国发明专利,专利号:9。
辽宁大学 2021-04-10
248-nm光刻胶研发与产业化
目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系,这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成,这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移,导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂,且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸,因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶, 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物,再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基,由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶,这些正型248-nm光刻胶获得了高感度(20-50mJ/cm2)、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率(>99%)及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点,还制备了厚膜248-nm光刻胶,可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5:1的光刻图形:   在此基础上,还制备了负型248-nm光刻胶,这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备,原料易得,反应条件温和可控,去金属杂质的方法也是简便易行,成本相对低廉,在经过多年的深入研究之后,完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中,对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料,日本公司的产品占据全球市场的70%以上,而我国在中高端产品上(248-nm光刻胶、193-nm光刻胶)完全依赖进口,即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此,我们必须尽快扭转这种不利的局面,这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注,已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化,但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多,本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始,至今近二十年来聚焦于光刻胶研究,在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果,也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章: 1.国家重大科技专项(02专项)子课题,课题编号:2010ZX02303(深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究) 2.国家自然科学基金应急管理项目,51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning,European Polymer Journal,114(2019),11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application,Reactive and Functional Polymers,130(2018),118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用,中国发明专利,专利号:9。
北京师范大学 2021-05-09
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