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高纯度罗汉果苷 V 的制备工艺
项目简介 本成果基于反相分配液相色谱分离和中压制备色谱原理，避免硅胶吸附色谱、大孔 吸附树脂的缺点，应用小颗粒球形 C18 反相键合填料的优点，打破目前罗汉果提取物中 罗汉果苷 V 含量低、产品附加值低、核心竞争力弱的困境。该成果目前处于中试研究阶 段。 性能指标 （1）罗汉果苷 V 的性状为白色的无定形粉末，不含杂色，纯度大于 95%（以 HPLC-UV 测定）。 （2）以罗汉果苷 V 含量为 25%以上的罗汉果提取物为原料，罗汉果苷 V 的得率不低 于 80%。 （3）主要消耗性色
江苏大学
2021-04-14
乙酰赖氨酸类似物的制备技术
项目简介 作为一种主要的蛋白质翻译后修饰，赖氨酸侧链乙酰化及乙酰赖氨酸侧链去乙酰化 已在近年证明能有效地调节多个关键生命过程，并且也已证明是发展人类疾病药物（特 别是癌症）的新型生物靶点。本成果发展了两个 Fmoc 保护的乙酰赖氨酸类似物（即 Fmoc硫乙酰赖氨酸和 Fmoc-甲磺酰赖氨酸）的有效制备方法及其成功应用于基于 Fmoc 化学的 固相多肽合成。本课题组的前期工作已表明含有这两个乙酰赖氨酸类似物的肽及肽类化 合物能作为发展下一代抗癌药物的全新起点以及作为更近一步研究蛋白质乙
江苏大学
2021-04-14
面向轻轨辅助驾驶的高精度实时定位系统
北京工业大学
2021-04-14
感应炉冶炼超纯净钢的新技术
在钢铁冶金行业中，超纯净钢生产多通过转炉联合各种精炼炉实现，通过调控转炉渣和精炼渣组分，经由渣金界面反应完成有害杂质（如硫磷）的去除，但该工艺对铁水要求高，周转和冶炼周期长，而且钢液多次转换冶金容器，增加了污染机会；相比而言，感应炉炼钢具有原料适应性强、冶炼成本低、周期短的特点，开发感应炉冶炼超纯净钢技术可以拓宽纯净钢生产途径，可以实现节能降耗，提高钢材产品的市场竞争力。本项目主要提供感应炉炼钢中脱硫和脱磷及同时脱硫脱磷的新技术，通过调控冶炼参数，如冶炼温度、炉渣组分和配比、冶炼流程、
江苏大学
2021-04-14
面向视频监控的节能磁盘阵列原型系统
成果简介：针对视频监控的工作负载特点，构建了一种节能磁盘阵列原型系 统。与传统 RAID 相比，S-RAID通过磁盘分组，在以连续数据访问为主的应 用中，可以在很长时间内将数据访问映射到某一组或几组磁盘中，通过磁盘 调度算法，可以关闭没有数据访问的磁盘，达到节能目的。在不同的应用中， 根据负载特征，S-RAID 可以设定不同的分组参数，以满足对存储系统的性能 要求。
北京理工大学
2021-04-14
多种灯值的航标灯及遥测系统
工作电压： 3.5-35V， 10mA 的待机电流，支持实时定位，短路和电话查询，工作状态，4 级的 EMI。
扬州大学
2021-04-14
装配式建筑专用套筒灌浆料的研发
：套筒灌浆连接技术具有性能优异、降低自重、 成本低廉、施工方便等优点，是建筑产业化预制构件连接的关 键，对装配式结构整体性和抗震性等性能有重要影响。 灌浆料是套筒灌浆连接技术的核心。套筒灌浆料的性能优 劣对确保套筒连接技术的安全性起着至关重要的作用。本项目 研发一种用于装配式建筑的套筒灌浆料，其组成简单、性能优 良、成本低廉，可以解决现有的套筒灌浆料成本较高、性能不 稳
合肥工业大学
2021-04-14
高能量利用率的爆炸焊接技术
成果创新点 主要技术创新路径：传统爆炸焊接的装置，其上表面 裸露在空气中。而本技术在炸药上表面对称地放置与炸药 下表面一致的复板和基板，整体作为一个单元；为避免上 半部分抛掷出去，因而重复该单元，让炸药冲击互相约束； 最顶部不能再铺设复板与基板，因而以胶体水替代，能提 高其能量利用率。 关键技术指标：各层炸药同步起爆、间隙及炸药配方 和用量； 核心解决问题、核心优势：解决了
中国科学技术大学
2021-04-14
一种测量 Seebeck 系数的装置及其方法
本发明公开了一种测量 Seebeck 系数的装置及其方法，其中该 装置包括主/副加热器、第一绝缘导热体、第二绝缘导热体、第一主/ 副探针、第二主/副探针、第一主/副热电偶、第二主/副热电偶，其中， 第一绝缘导热体和第二绝缘导热体均用于放置待测量样品；第一主/副 探针和第二主/副探针用于测量待测量样品的电位；第一主/副热电偶和 第二主/副热电偶用于测量待测量样品的温度。本发明中进行测量的样 品其形貌可灵活多样，并且该装
华中科技大学
2021-04-14
一种微流控芯片的封装方法
本发明公开了一种微流控芯片的封装方法，用于对具有微通道 结构的微米级基片和与基片相固定连接的盖片进行封装得到微流控芯 片，包括下述步骤，S1 根据微流控芯片上的图案制备基片与盖片；S2 根据微流控芯片上的图案制备与其图案相同的自蔓延多层膜；S3 分别 将进行表面处理后的所述基片和所述盖片层叠在所述自蔓延多层膜两 侧面以形成封装结构；S4 对所述封装结构施加压力并引燃所述自蔓延 多层膜，燃烧引起材料融化实现所述基片和所
华中科技大学
2021-04-14