一、产品简介         MXY9001光电技术创新综合实训平台是在MXY8001光电技术应用开发综合实验平台的基础上开发出来的一款实训产品。它由各类光电传感器件可搭建设计组件构成，学生根据原理图在主机及各类光电传感器件可搭建设计组件上，自己动手搭建完成各类应用系统设计。是真正培养学生动脑、动手和设计能力的利器，在学生已经熟悉光电传感器件的原理及特性之后，学生更需要掌握光电传感器件的具体应用，从而能够设计出产品。这样大大的提高了学生动脑、动手能力及创新意识。  仪器外形尺寸：500mmX360mmX100mm  二、教学目的 1、掌握光电器件的基本原理 2、了解各类光电器件的基本应用 3、学习掌握实验系统的设计原理 4、培养学生动脑、动手能力及创新意识 5、了解并掌握线阵CCD驱动设计 6、了解CPLD的应用开发技术 三、实验内容                                                1、光敏电阻光控开关系统设计 2、光敏电阻光控灯系统设计 3、热释电报警系统设计 4、光电报警系统设计  5、太阳能充电系统设计 6、硅光电池光照度计系统设计 7、简易光功率计系统设计 8、红外遥控系统设计 9、红外体温计系统设计 10、四象限位置测量系统设计 11、对射式、反射式光电耦合开关里程表系统设计 12、对射式、反射式光电转速计系统设计 13、光电测距系统设计 14、基于R、G、B的颜色识别系统设计 15、光纤烟雾报警及浓度显示系统设计 16、光纤位移测量系统设计 17、光纤微弯称重系统设计 18、线阵CCD驱动系统设计 19、大功率LED驱动系统设计 20、LED玩具系统设计 21、PSD位移测量系统设计 22、数字温度计系统设计 23、太阳能节能台灯系统设计 24、音频信号的光源调制解调系统设计 25、光电指纹识别系统设计

一、产品介绍        光电成像基础与应用实训平台包括CCD和CMOS两大方面，这两方面原理与应用是《光电技术》和《图像传感器应用技术》课程重要章节，也是教学的难点章节，因此，monxyuan开发了光电成像基础与应用实训平台。该平台采用搭建式、开放式设计，直观展现了线阵CCD、面阵CCD和CMOS的工作原理，并且设置了工程实际检测的实验，是学生理解和认识CCD和CMOS工作原理与实际应用的最理想的教学实验系统。 二、教学目的 1、了解并掌握线/面阵CCD和CMOS的原理； 2、了解线/面阵CCD和CMOS的软件使用方法； 3、了解并掌握面阵CCD和CMOS信号处理方法； 4、了解并掌握运用面阵CCD和CMOS进行尺寸测量和图像处理的方法； 5、了解并掌握学生掌握线阵CCD的几种典型的应用； 三、实验内容 1、面阵CCD 原理与驱动实验； 2、面阵CCD 数据采集与计算机接口实验； 3、面阵CCD 边缘与轮廓检测； 4、面阵CCD物体尺寸测量实验； 5、面阵CCD 图像的点运算； 6、面阵CCD 图像的几何变换； 7、面阵CCD 图像采集与参数设置； 8、面阵CCD 投影与差影图像分析； 9、面阵CCD 图像的滤波与增强； 10、面阵CCD 形态学处理； 11、面阵CCD 旋转与缩放； 12、面阵CCD 颜色识别与变换； 13、面阵CCD图像采集程序设计；  14、线阵CCD 工作原理与驱动波形观测； 15、线阵CCD 模拟输出信号的调整； 16、通过采集卡对线阵CCD的模拟输出信号进行A/D转换和数据采集； 17、通过软件浮动阈值对CCD的输出信号进行二值化处理； 18、利用线阵CCD 对物体尺寸进行非接触的实时测量； 19、利用线阵CCD 对物体的角度进行测量； 20、利用线阵CCD 测量物体的振动； 21、利用线阵CCD识别一维条形码； 22、利用线阵CCD扫描物体的二维图像； 23、利用外置相机进行实物尺寸测量 24、用硬件提取边缘信号的二值化 25、CMOS原理与驱动实验； 26、CMOS数据采集实验； 27、CMOS图像采集程序设计 28、CMOS用于边缘与轮廓检测实验； 29、CMOS用于物体的尺寸测量实验； 30、CMOS用于图像采集与参数设置实验； 31、CMOS用于投影与差影图像分析实验； 32、CMOS用于图像的滤波与增强实验； 33、CMOS用于颜色识别与变换实验； 34、扩展性实验     （1）通过提供的CPLD程序，学生可以了解CPLD对外围器件的控制；     （2）有能力的学生还可以自己编程来产生方波；     （3）通过提供的SDK和DEMO程序，编写程序来采集扩展相机的数字信号；     （4）利用扩展相机并编写软件进行其他如尺寸测量等实验等； 四、配套文件资料 1、实验指导书1本； 2、实验软件1套； 3、实验录像光盘1套；    客户自行配置电脑及示波器    

一、产品介绍  光电倍增管是最灵敏的光电器件，它的暗电流、噪声和灵敏度等参数均可以大范围可调，它具有响应速度快，灵敏度高，光谱响应范围宽等许多特点，是微弱辐射探测的首选光电传感器。MXY8101光电倍增管综合实验仪选用的最具有先进性的是侧窗圆形鼠笼式光电倍增管，不但能够用来对光电倍增管的特性参数进行测量与研究，而且还能够使用光电倍增管测量微弱的辐射。本款实验仪的特色在于它的实验设施以及光学系统安装在仪器内部，形成微型暗室，抽拉式上盖设计方便学生打开进行观察和实验，使整套光学实验效果更佳并不受外界光源的干扰。 二、教学目的 1、了解光电倍增管的工作原理；                  2、了解光电倍增管参数测量方法及应用； 三、实验内容 1、光电倍增管暗电流ID的测量； 2、阳极电流灵敏度SA的测量； 3、光电倍增管增益G与供电电源电压的关系； 4、光电倍增管阳极输出特性的测量； 5、阳极电流灵敏度SA与供电电压之间的关系； 6、测量微弱辐射光信号的强度；

本发明公开了一种移动开闭式光电复合水下湿插拔连接器，包括插头部分和与之配合使用的插座部分；插头部分的主体为插头内腔，插头内腔的后部设置后端腹板并形成插头尾腔；插头内腔和插头尾腔中间贯穿设置插头光电插芯；插头内腔内充满绝缘油；插头内腔内部设置楔形的第一推杆，插头内腔前部设置前端腹板和中间支撑板，前端腹板和中间支撑板之间形成的空间设置第一上下移动件，中间开有通孔，通过移动件的运动来开启和闭合插芯连接的通路；插座部分与插头部分采用类似的结构形成接插通路；同时，插头部分和插座部分均设置压力平衡装置；本发明集成了光信号和电力传输，充分考虑了内外压力平衡，能够保证深水环境的可靠连接。

（专利号：ZL 201310038265.6） 简介：本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层，从内到外依次为：第二掺杂层和第三掺杂层，所述的第二掺杂层掺杂类型为P型，所述第三掺杂层掺杂类型为N型；所述硅面一侧设置有开关的阳极

内容介绍： 采用软化学工艺合成了不同成分，不同配比的精细电子陶瓷、光电陶 瓷粉体，其粒度可控，成份可调，尺寸分布窄，粉体分散性好，可广泛 用于生产压电陶瓷、多层陶瓷电容器、新型光电透明陶瓷的原始粉料， 以及陶瓷换能器、滤波器、谐振器、电容器、变压器、存储器、声表面 波滤波器等方面，也可用于单晶生长原料和多元氧化物功能薄膜靶材， 及供高校、科研单位研究使用。

本发明公开了一种激光电磁脉冲复合焊接方法及设备。所述方 法可用于激光缝焊与激光点焊工艺，是在激光束作用到工件上进行激 光焊接的过程中，将脉冲强磁场施加到焊接区域，和焊接形成光致等 离子体、熔池流场、应力应变场发生相互作用，并完成焊接任务。设 备包括激光器、电磁脉冲发生器、数控系统、光学传输系统和激光电 磁脉冲复合加工头。复合加工头用于集成激光束和脉冲强磁场，调节 电磁转换装置和工件的间距；它安装在加工机床上。本发明可

本发明公开了一种多功能光电化学测试装置，包括化学池组件、 前密封盖组件和后密封盖组件，化学池组件包括化学池壳体、第一圆 孔、第二圆孔和化学池腔体，第一、二圆孔设置在化学池壳体侧壁上， 分别用来安装对电极和参比电极，化学池腔体盛放电解质；前密封盖 组件包括前密封盖和通光圆孔；后密封盖组件包括无孔密封盖和开孔 密封盖；在进行导电玻璃工作电极光电化学反应测试时，安装无孔密 封盖，前密封盖与化学池壳体间隙安放导电玻璃工作电极

基于目前世界上亟需解决的环境污染和能源危机两大问题，开发一种同时净化环境与能源转化的装置将具有巨大的应用潜力。因此对于水体环境污染处理和清洁能源生产本课题组已开发出有效的技术——光电催化有机污染物降解协同产氢。开发了新型金属氧化物纳米管阵列异质结杂化光电催化体系,在电场诱导下，使光生电子与空穴分别于阴极和阳极氧化降解有机污染物与析氢，实现光电催化同步去污与制氢。通过增强纳米管阵列与基底相互作用，纳米管本体结晶度提高或单晶化，纳米管管壁表面形成异质结光催化杂化体系和导电碳基材料的修饰等途径，提高光生电子传输速率，促成电子与空穴有效分离，拓宽体系的光响应范围，提高光的吸收效率与量子效率。结合表征等手段及分析，阐明光电催化体系的构效关系，设计出高效、稳定的新型光电催化构筑应用于污水的资源化。通过两个反应过程的相互促进，不仅提高了光催化效率，而且符合变“废”为宝的绿色能源化学理念；构建了新型光催化反应器和高性能光电催化剂；发展了光电协同催化理论在同步去污-制氢反应中的应用。

一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层、p 型层，所述衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层和 p 型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积，在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配，克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题；本实用