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智能光电检测系列产品
振幅测量不但可广泛应用于材料的探伤，机械系统的故障诊断，结构件的动态特性分析及振动的有限元计算结果验证，而且在噪声消除以及超声电机的研究中发挥着重要的作用。目前国内外进行振动测量大多采用加速度传感器和激光多普勒测振，但是它们都只能进行单点测量，因而测量速度很慢。近年来，电子散斑振动测量发展很快。大振幅测量系统国内外已有初级产品出售，其价格也非常昂贵。价格高
西安交通大学
2021-01-12
微仪光电（天津）有限公司
微仪光电（天津）有限公司
2022-05-24
创维光电科技（深圳）有限公司
创维光电科技（深圳）有限公司
2022-11-01
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14
新型含碲光电功能晶体及器件
"以α-BaTeMo2O9为代表的含碲的化合物是一类新型光电功能晶体，在偏光、声光、拉曼等光学领域内具有重要的应用价值。此类化合物具有透光宽，双折射大，易生长，物理化学稳定等优点，是偏光和声光器件的优选材料。 山东大学在该系列晶体生长和器件的研究方面具有独立的知识产权，可以生长出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高质量（光学均匀性≤10-5）的单晶；并在器件的制作中突破了国际上单轴晶体的限制，偏振棱镜消光比>30000:1，达到高质量冰洲石器件水平；声光调Q器件衍射效率>84%，高于同等条件下的TeO2器件。晶体生长处于世界领先水平，器件设计具有国际、国内专利，总体水平处于国际领先。该成果获得教育部自然科学二等奖，主要用于先进光学及其电学领域，如医疗、军事、激光加工、激光雷达、激光探测等。据统计，目前国内声光调制器件和偏光器件总产值约为2亿元。而现有的材料已经不能满足相应研究和产业的需求。作为新型光电功能晶体及其器件，在满足现有要求的基础上，填补了此类材料和器件在中红外波段内的国际空白。此外，独立的知识产权有利于产品推广，具有重要的社会和经济效益。 "
山东大学
2021-04-10
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景，比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说，一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战；另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境，极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率（小于 10
南京大学
2021-04-14
光电探测量子芯片产业化
用于量子保密通信、近红外探测成像、高速量子光通信、激光雷达探测。 针对单光子探测需求，提取关键技术参数，通过多次半导体器件仿真优化，最终得到外延结构设计。结合 13 所 自主外延生长技术与精准的锌扩散方案，最终实现较为成功的 GM-APD 芯片。该芯片已经成功达到量子保密通信中单光子探测需求，并在安徽问天量子技术有限公司的产品中得到应用。
中国科学技术大学
2021-04-14
硅基光电子集成技术
基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术，可实现低成本、批量化生产，并具有和微电子单片集成的潜力，是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连，也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。 在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下，针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题，提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构，形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程，成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。 该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑，也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”，对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底，Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。高速低功耗16*16光交换芯片版图大容量可编程光缓存芯片（左：芯片照片，中：封装后的结构，右：性能测试结果）为华为公司研制的400G可调光模块。
上海交通大学
2021-04-13
国科光电科技有限责任公司
国科光电科技有限责任公司国科光电科技有限责任公司（以下简称“国科光电”） 成立于2002年，注册资本5,270万元，是中国科学院光电研究院科技成果转移转化和投融资管理平台。国科光电专注于光电领域科技创新企业的早期投资，主要投资孵化的产业领域涉及激光技术、光谱成像、光电信息、航天电子信息、精密光学仪器及光电产品与技术的进出口服务等。国科光电先后投资十余家企业，其中北京国科世纪激光技术有限公司已成为业内知名企业，先后获得国家科学技术进步奖二等奖、国家技术发明奖二等奖。国科光电始终秉承诚信、卓越、合作、共赢的服务经营理念，希望在各级领导和各界友人的关注和支持下，打造出更多行业一流的光电科技企业，为科技兴国和推动民族光电事业发展而努力。
国科光电科技有限责任公司
2021-02-20