高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。
南开大学 2021-02-01
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。 
南开大学 2021-04-11
基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法
本发明公开了一种基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法,使轴向磁场磁通切换容错电机发生单相断路故障时能够运行在容错状态,并使电机的铜耗最小化。逆变器采用三相四桥臂容错拓扑,根据相电流判断故障状态。当正常运行时,逆变器工作在三相三桥臂模式下,轴向磁场磁通切换容错电机控制系统采用id=0的SVPWM控制策略,分配d轴、q轴电流;当发生单相故障时,进行容错控制,逆变器工作在两相三桥臂模式下,并通过控制容错绕组电流给电机增磁,使电机整体的铜耗最小化。本发明在单相断路情况下,以铜耗最小为优化目标,
东南大学 2021-04-14
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学 2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。 
南开大学 2021-04-13
星恒电源锰系多元复合锂和三元材料动力电池生产线
星恒电源股份有限公司成立于2003年12月,拥有以锰系多元复合锂为核心,包括锰系多元复合锂和三元材料的多条动力电池生产线,是国内知名的动力锂电池高新技术企业。历经16年发展,星恒已开展全球化产业布局,在苏州基地的基础上,星恒已在安徽滁州苏滁现代产业园投建滁州星恒,同时欧洲子公司、印度子公司相继成立。公司拥有以院士领衔的技术研发团队,掌握超级锰酸锂、动力电池梯次利用的核心技术;拥有国际知识产权锰酸锂(专利号:01134448.2);拥有67项专利,实用新型专利42项,发明专利17项,外观专利8项;承担过11项“863”电动汽车重大专项课题,2项“973”课题,13项国家课题。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
中国科学技术大学 2021-04-10
高掺量复合工业废渣辅助性胶凝材料在水泥中的应用研究
高掺量复合工业废渣辅助性胶凝材料属本课题组开发的“新型绿色水泥及混凝土制造技术”的组合技术之一。该技术能复合利用各种工业废渣(钢渣、矿渣、粉煤灰及其它工业废渣)制备高性能辅助性胶凝材料产品;大幅度提高了工业废渣综合利用程度和资源化效率,使工业废渣资源化利用效率提高到70%以上,在混凝土中替用水泥量60%以上。研究表明,与用普通辅助性胶凝材料(混凝土掺
南京工业大学 2021-01-12
碳纳米管和氧化铝晶须原位复合增强树脂材料及其制备方法
小试阶段/n树脂基复合材料是以有机高分子材料为基体、高性能连续纤维为增强材料通过复合工艺制备而成的具有明显优于原组分性能的一类新型材料。但树脂具有脆性,其复合材料一般要引入具有一维特征的增强相,如纤维、晶须和纳米管等。这种增强相有两种引入方式:一种是外加引入,另外一种是原位生成。往树脂基体中单独添加碳晶须、碳纳米管或氧化铝晶须等一维增强相时,材料的性能在一定程度上有提高,但增强相在树脂解题中的分散问题没有解决;在树脂基体中原位生成碳纳米管等一维增强相时,有助于常温性能的改善,但是仅有碳纳米管的存在,
武汉科技大学 2021-01-12
热压合成新一代镁阿隆-氮化硼(MgAlON-BN )复合耐火材料
MgAlON 便是氧氮化物中的一种。因其具有优异的物理化学性能,因而具有良好的应用前景。但是仍然有很多性能尚未研究。类石墨结构的六方 BN 具有优异的抗熔渣和金属的侵蚀性能以及具有优良的抗热震性能,从而在高金属陶瓷及耐火材料中得以广泛应用。利用热压工艺合成的新一代 MgAlON-BN 复合耐火材料,综合了 MgAlON 和 BN 的优点,材料的抗折强度、断裂韧性、密度及硬度等力学性能,特别是高温抗折强度得到提高,抗铁液侵蚀性能好。MgAlON-BN 复合材料还可以作为高级陶瓷、功能陶瓷应用。该课题在国家自然科学重点基金的资助下,对 MgAlON 及 MgAlON-BN 复合材料的热学性能,包括热膨胀系数、热扩散系数、热导率等,MgAlON 及 MgAlON-BN 复合材料与金属和渣的润湿性能等进行了系统的研究。取得了一系列具有自主知识产权的新配方、新工艺,拥有 3 项国家发明专利,2006 年获得教育部二等奖,2005 年获北京市科学技术二等奖。MgAlON-BN 复合材料不但可在冶金工业连铸生产过程中的侵入式水口、连铸水平分离环上使用,同时有望作为其他高性能陶瓷如高级陶瓷、功能陶瓷来使用。
北京科技大学 2021-04-13
热压合成新一代镁阿隆-氮化硼(MgAlON-BN)复合耐火材料
MgAlON便是氧氮化物中的一种。因其具有优异的物理化学性能,因而具有良好的应用前景。但是仍然有很多性能尚未研究。类石墨结构的六方BN具有优异的抗熔渣和金属的侵蚀性能以及具有优良的抗热震性能,从而在高金属陶瓷及耐火材料中得以广泛应用。利用热压工艺合成的新一代MgAlON-BN复合耐火材料,综合了MgAlON和BN的优点,材料的抗折强度、断裂韧性、密度及硬度等力学性能,特别是高温抗折强度得到提高,抗铁液侵蚀性能好。MgAlON-BN复合材料还可以作为高级陶瓷、功能陶瓷应用。该课题在国家自然科学重点基金的资助下,对MgAlON及MgAlON-BN复合材料的热学性能,包括热膨胀系数、热扩散系数、热导率等,MgAlON及MgAlON-BN复合材料与金属和渣的润湿性能等进行了系统的研究。取得了一系列具有自主知识产权的新配方、新工艺,拥有3项国家发明专利,2006年获得教育部二等奖,2005年获北京市科学技术二等奖。 MgAlON-BN复合材料不但可在冶金工业连铸生产过程中的侵入式水口、连铸水平分离环上使用,同时有望作为其他高性能陶瓷如高级陶瓷、功能陶瓷来使用。
北京科技大学 2021-04-13
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 51 52 53
  • ...
  • 257 258 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1