成功开发具有自主知识产权的新型浅色导电晶须，用晶须替代纳米颗粒作为基体制备导电填料加入纤维基体中，具有比导电超细颗粒更好的分散性，而且由于晶须是棒状结构，分散在纤维中可以通过搭接的方式首尾相接，更利于纤维导电。浅色导电晶须的开发研究对白色导电纤维的制备提供了理论和实践基础，葛明桥教授团队开发的白色导电纤维经检测达到 109Ώ（熔融纺丝）和 106Ώ（湿法纺丝）达到导电纤维要求，是国内导电纤维领域的一项重大突破，可提高白色导电纤维自产率，应用前景广阔。 关键技术 （1）将高速搅拌与化学共沉积法结合，制备出的浅色导电二氧化钛纳米晶须的电阻率达到了 103 Ώ•cm。 （2）将纳米晶须添加入纺丝液中，通过湿法纺丝方法制备出复合导电纤维，该种纤维的电阻达到了 106Ώ。 （3）与企业合作制备导电母粒，进而通过熔融纺丝方法制备出各种复合结构的导电纤维，该种纤维的电阻达到了 109Ώ。 知识产权及项目获奖情况 发表学术论文 9 篇；申请专利 6 项 项目成熟度 建立了 50L 的纳米晶须合成反应釜，实现产业化生产 投资期望及应用情况 目前已与部分企业合作，成功制备该导电材料并应用于化纤、纤维素等。

产品详细介绍1.概述扬州晶明测试技术有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM3812ZB.htm)生产的JM3812ZB无线应变是每台16个测点的无线应变仪。每个测点分别自动平衡，可用一台计算机直接观察最多100台仪器的测试状态。所有操作均由计算机完成。我们无线应变仪稳定性好，抗干扰能力强，广泛应用于桥梁、建筑物、飞机、船舶、车辆、起重机械状态测试，本系统采用zigbee通讯协议，基本低功耗设计，内置高容量锂电池，给工程测试带来极大的方便。2.应用范围2.1 根据测量方案，完成全桥、半桥、1／4桥（公用补偿片）状态的静态应力应变的多点巡回检测.2.2 和各种桥式传感器配合，实现压力、力、荷重、位移等物理量的多点巡回检测.2.3 与热电偶配合，通过热电偶分度号的计算，对温度进行多点巡回检测.2.4 对输出电压小于20mV的电压信号进行巡回检测，分辨率可达1μν.3.特点3.1 采用进口高性能机械继电器，通过特殊的电路设计，消除了开关切换时，接触电势的变化对测量结果的影响。因此所有指标均包含了切换开关的影响.3.2 先进的隔离技术和合理的接地，使系统具有极强的抗干扰能力。每个测点可任意组桥，具有较强的灵活性，适用于各种工程现场的检测。 3.3 数据采集箱可通过USB口和计算机通讯，采集箱网络化分布式设计。4.技术指标4.1 测量点数:16点/台（用户自选）;4.2采样频率：10Hz4.3组网接口：无线 4.4 适用应变片电阻值:50～10000Ω任意设定;4.5 应变片灵敏度系数:1.0～3.0自动修正;4.6 供桥电压:2V(DC);4.7 测量应变范围:±19999με;4.8 最高分辨率:1με; 4.10 系统精度: ± 0.3％Fs±2με;4.11 温漂:不大于3με/2h;4.12 平衡范围:±15000με(无需电容平衡);4.13 长导线电阻修正范围:0.0～100Ω;4.14 电源:220V±10％ 50Hz±2％;4.15 使用环境:GB6587.1-86-Ⅱ组;5.系统软件 全汉化的WINDOWS应用软件，方便直观的应变、应力、桥式传感器、拾振器等测试的参数设置功能。自动平衡、手动采样、连续采样、定时采样等方式，自动完成测量结果的修正，实时显示测量数值、应力和应变花计算，满足静态桩基抗压、抗拔、水平静载荷试验；报告打印等功能，操作简单、方便。数据文件可转换为Text(.txt)、Excel(.xls)文件格式。开放的二次分析数据接口。扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  

本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。

本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。

一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均