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我国支持科技创新主要税费优惠政策指引
创新是引领发展的第一动力，是推动高质量发展、建设现代化经济体系的战略支撑。
国家税务局
2024-03-13
政策解读｜《深入实施专利转化运用专项行动 促进京津冀知识产权协同发展行动方案》
《京津冀方案》所提出工作任务由北京市知识产权局联合天津市知识产权局、河北省知识产权局共同推进，主要面向京津冀重点区域、重点产业和高等学校、科研机构、知识产权优势企业等创新主体和知识产权转化运用服务机构开展工作。
北京市知识产权局知识产权运用促进处
2024-12-20
高速移动环境下基于协作多点传输的车地通信小区切换方法
"一种高速移动环境下基于协作多点传输的车地通信小区切换方法，它适用于LTE及其演进系统，其作法主要是：根据上报的列车实时速度信息和位置信息判断列车是否进入重叠区；同时，根据测量信息判断当前信号质量是否低于设定阈值，任一条件满足，均激活当前基站与前方目标基站间的多点协作传输(CoMP)：车载台的数据面下行数据通过CoMP技术在相邻两基站进行共享，然后再发给车载台；车载台的数据面上行数据也通过CoMP技术，由相邻两基站的通信链路汇聚到源基站；在此过程中，如果满足切换触发条件，则将控制面的数据切换到目标基站。该方法的切换成功率高，中断概率低、频谱利用率高，并且不需对基站和车载台进行硬件改动，容易实现。 "
西南交通大学
2016-10-19
一种用于采煤工程中底板破坏深度监测的多点位移计装置
本实用新型公开了一种采煤工程中底板破坏深度监测的多点位移计装置，包括灌浆锚头、测杆、测杆保护管、位移传感器、过渡管、固定座，其特征在于：所述的锚固头与位移测杆一端相连，位移测杆另一端与位移传感器一端相连，所述的位移测杆外设置保护管，所述过渡管为压缩波纹管。该装置结构简单，系统可靠，在矿井下可快速安装。
四川大学
2017-12-28
政策解读：《广东省基础与应用基础研究基金项目科研不端行为调查处理实施细则（试行）》政策解读
为规范广东省基础与应用基础研究基金（以下简称省基金）项目科研不端行为的调查处理，维护省基金的公正性、公信力和科技工作者的权益，推动科研诚信、学术规范和科技伦理建设，促进省基金事业的健康发展。
广东省科学技术厅
2023-03-20
国务院办公厅关于印发《促进创业投资高质量发展的若干政策措施》的通知
发展创业投资是促进科技、产业、金融良性循环的重要举措。为贯彻落实党中央、国务院决策部署，促进创业投资高质量发展，现提出以下政策措施。
国务院办公厅
2024-06-20
政策解读 | 一图读懂《北京市数字经济促进条例》
为了加强数字基础设施建设，培育数据要素市场，推进数字产业化和产业数字化，完善数字经济治理，促进数字经济发展，建设全球数字经济标杆城市，根据有关法律、行政法规，结合本市实际情况，制定本条例。
北京市经济和信息化局
2023-02-08
基于卷积神经网络的给水管网多点漏损定位方法及其装置
本发明公开了一种基于卷积神经网络的给水管网多点漏损定位方法，包括以下步骤：对供水管网压力数据进行采集，将采集的供水数据分为训练样本和测试样本；将各个样本归一化，归一化后的训练样本输入到卷积神经网络模型中进行训练，得到卷积神经网络模型，归一化后的测试样本对卷积神经网络模型进行测试，保存训练好的卷积神经网络模型；实时数据归一化后输入到训练好的卷积神经网络模型中，通过训练好的卷积神经网络模型来得到预测结果；将预测结果对比标签索引，判断漏损。本发明还公开一种基于卷积神经网络的给水管网多点漏损定位装置。本发明
安徽建筑大学
2021-01-12
双重（三重）差分模型在政策评价中的运用
双重（三重）差分模型通过设置交互项来分析政策效应，在政策评价领域具有明显优势。该研究设计的优势在于：第一，通过将改革引起的结局变量时间前后差异和组织内外部因素引起的结局变量的差异结合起来，以反映改革的效应。第二，其他因素的影响，如研究阶段内可能存在其他政策，这些政策可能与本研究关注的结局相关。如果这些政策对不同组别的影响不一致，那么排除这些政策就可能会产生偏倚。如果研究样本当中这些因素分布不均衡，就应该对这些非随机的因素进行控制以稀释它的不同影响。尤其是在评价宏观事件的影响时，因为在研究设计上无法找到一个符合实际的合理的对照组而对控制其他改革效应带来了难度。双重差分可提供一个罕见于其他相关研究的机会，通过政策实施前后结果取差来排除没有考虑到的因素的存在以及由于它们的存在可能造成的混杂效应，使对政策效应的分析更加可行，也更接近现实实际。
成都中医药大学
2015-07-15
一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法
一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的纳米压印硅模具。该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工纳米压印硅模具的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能一次性完成大面积的硅(100)单晶片纳米压印模具加工，具有明显的低成本、高效率的特点。
西南交通大学
2016-10-20