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BEX-8501 塞曼效应实验装置
描述 该实验装置以汞灯546.1nm谱线为对象,研究塞曼效应。汞灯发出的谱线经过聚光镜,将发散的光线适当地汇聚,透过偏振片,经过滤光片滤光后形成单色光,进入F-P标准具,形成干涉圆环,最后由镜头和CMOS相机成像。该装置包含一个可调恒流电源,通过调节电流控制磁场的大小。当磁场足够强时,能级开始分裂,产生不同的谱线,每一级干涉圆环分裂成多个干涉圆环,由专业的软件进行图像采集和数据分析,得到电子荷质比e/m的数值。当将电磁线圈旋转90度时,重新微调光路,则可以平行于磁场方向观测塞曼效应。   紧凑型设计 采用工业级高强度轨道,配合精巧的光机械设计,比传统的装置至少减少了1/3的空间。   电磁线圈为整套装置提供连续可调的0-1.2T的匀强磁场,并有0-120度可旋转结构,可以对横向及纵向塞曼效应现象进行观测。   高达1/100λ的法布里-帕罗标准具,可获得K级至K-2级的9条分裂谱线。 F-P标准具的性能保证了谱线分裂明显,线条清晰锐利。   CE安全认证 通过欧盟CE安全认证,严格按照CE标准进行品质控制。   典型实验内容及数据 1,垂直于磁场方向观测塞曼效应(Л线 )   2,平行于磁场方向观测塞曼效应(σ线)   3,根据K级至K-2级的9条分裂谱线,可验证荷质比 e/m. 荷质比 e/m 测量结果的相对误差小于 5%。   部件列表 BEM-5008   摄像单元(含镜头、CMOS相机), f=50mm, 五百万像素 BEM-5402    法布里泊罗标准具, 546.1nm BEM-5403    干涉滤光器, 546.1nm BEM-5404    偏振器 BEM-5405    聚光镜, f=131.2mm BEM-5203   精密调节架, Φ45mm, 2D BEM-5213   水平可调精密调节架, Φ45mm, Travel=36mm , 3D BEM-5201-06    导轨,长 600mm BEM-5204-50    托板,宽 50mm (3) BEM-5205-25    升降调节架,可调范围 25mm (3) BEM-5209-09    连接杆,长 90mm (3) BEM-5009    笔形汞灯, 10A, 3W BEM-5010    电磁线圈, 5A, 1.2T BEM-5202    连接块 BEM-5012    可调直流恒流源, 6A   选配件 BEM-5032A    特斯拉计,0-2000mT, 精度0.1mT   包装清单 实验装置1套(详见部件清单),电源线1根,红黑导线各1根,USB线1根,软件光盘1张,手册1本。
上海科铭仪器有限公司 2021-12-22
球盘式摩擦磨损实验装置
球盘式摩擦磨损实验机,是结合教师的科研方向完成的,该装置可以使学生加深对机械设计课中摩擦磨损与润滑概念的理解;了解摩擦学实验基本方法;,熟悉摩擦学研究方法;掌握相关的测试手段及评价分析方法。 球盘式摩擦磨损实验机用于我校本科生机械设计课中摩擦学的实验教学、摩擦学18学时的综合实验、研究生摩擦学基础课程的实验及科学研究。2007年该装置获哈尔滨工业大学教学成果一等奖。
哈尔滨工江机电科技有限公司 2022-11-22
接触式收缩膨变形测量装置
执行标准:GB/T 50082-2009,JTG 3420-2020 NELD-TS700接触式收缩变形测量装置的测量方法适应于测定在无约束和规定的温湿度条件下,硬化混凝土试件的收缩变形性能。我公司为硬化混凝土开发的变形测量装置,使用低变形不锈钢支架,全镀铬固定底盘,配有千分表微调装置,更精确调整千分表位置,精巧的安装夹具,具有安装方便、结构科学和测量精度高的特点,免除用户因更换试件带来的测量误差。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
山东第一医科大学史卫峰教授团队在《自然》发文论述新型冠状病毒的产生、基因组多样性和全球传播研究
山东第一医科大学(山东省医学科学院)公共卫生与健康管理学院史卫峰教授为本文通讯作者,新发传染病病因流行病学实验室李娟博士和英国南安普顿大学赖圣杰博士为共同第一作者。
山东第一医科大学 2021-12-15
GZX92A绝缘电阻表检定装置 兆欧表检定装置
产品详细介绍  /////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 绝缘电阻表(兆欧表)是国家强制检定计量器具,其检定规程为JJG622-89。检定装置的主要标准器为高压高阻箱和高压电压表。GZX92A型绝缘电阻表检定装置将高压高阻箱(高阻输出部分)和高压数字电压表(电压输入部分)合为一体。 检定装置中电阻输出部分的测量上限为200GΩ,标称工作电压为5kV。该装置设计有独立的泄漏屏蔽端钮和接地端钮,在测量过程中无明显不稳定及短路、开路现象。满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程和JJG166-93直流电阻器检定规程的要求。可用于各种型号的指针式绝缘电阻表的检定。 检定装置中电阻输出部分选用获得专利的滚动式高压开关,使用10万次后仍可满足检定规程的要求。其具有较长的技术寿命和机械寿命。检定装置中电压测量部分的标称测量电压为5kV,输入阻抗≥10GΩ。本装置能测量兆欧表的开路电压、中值电压和峰值电压。 二、主要技术参数 1. 电阻输出(高压高阻箱)部分 1.1 电阻输出部分的准确度等级及工作电压(电流)    阻值   100GΩ ×10GΩ ×1GΩ ×100MΩ ×10MΩ ×1MΩ 准确度等级 5 5 2 1 0.5 0.2 标称电压 5000V 5000V 5000V 5000V 2500V 1000V   阻值   ×100kΩ ×10kΩ ×1kΩ ×100Ω 准确度等级 0.2 0.2 0.2 0.2 标称电流 1mA 8mA 20mA 50mA   1.2 调节范围:100Ω~200GΩ,调节细度为100Ω 1.3 使用环境条件 1.3.1 参考温度范围:20~25℃    1.3.2 标称使用温度范围:18~28℃        1.3.3 参考湿度范围:40~60% 1.3.4 标称使用湿度范围:25~75% 1.4 电阻变差极限:在参考条件下,由单一影响量发生变化所引起的变差 影响量别   标称使用范围 允许的变差 环境温度 18~28℃ a/2 % 相对湿度 25%~75% ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a% 工作电压 (1~1/5)标称电压 ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a%   ★ a为检定装置中电阻输出部分电阻盘准确度等级(各电阻盘a值不同) 1.5 绝缘电阻:检定装置中电阻输出部分的电路与电路无电气连接的任何其它外部金属间的绝缘电阻,在标称电压下测得的电阻值不小于5TΩ。 1.6  绝缘强度:检定装置中电阻输出部分的电路与测试用参考接地点之间,应能承受频率为45~65Hz的实际正弦交流电压11kV并历时1min的试验,而不出现击穿与飞弧现象。 1.7 检定装置中电阻输出部分输出端的残余电阻应<0.1Ω,其变差<0.01Ω。 1.8 外形尺寸:442mm×270mm×145mm 1.9 重量:<5kg 2.电压测量(高压直流数字电压表)部分 2.1 测量范围:0~5500V 2.2 准确度:±(1%读数±1个字) 2.3 供电电源:DC9V 2.4 输入电阻:≥10GΩ 2.5 显示:四位半、液晶显示 2.6 峰值电压测量回路满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程中图3的要求。  
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法
碳化硅的工业生产,国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术,该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小,因而生产效率低,产品市场竞争力差。高品质 SiC 新材料市场奇缺,严重制约了其在诸多高新技术领域的应用。 1995 年以来,课题组对以往国内外 SiC 生产炉的结构、生产技术和工艺进行了全面深入的调查、经多年潜心研究,创立了多热源多向流合成碳化硅理论体系,发明了 “ 冶炼碳化硅的多炉芯炉及其生产碳化硅的方法 ” 新技术。该技术获国家发明专利授权 1 项,获西安市科技进步一等奖、陕西省科技进步三等奖以及陕西省职工优秀发明创新成果金奖。已在国内陕西、青海、宁夏、新疆、福建等地建成生产线 10 余条,占据我国 SiC 产能的 1/4 ,创产值 30 亿余元,有力地推动了行业技术进步。
西安科技大学 2021-04-11
具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物
本技术成果涉及一类具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物。
中山大学 2021-04-10
一种具有多生长因子次第释放特性的组织工程支架
本发明为一种具有多生长因子次第释放特性的组织工程支架,属于药物剂型改变及制备方法技术领域。本发明中,结合微球缓释系统和支架的特点,采用复乳法分别制备BMP-2、VEGF和bFGF等生长因子的PLLA/PEG缓释微球,再利用超临界二氧化碳发泡技术将微球载入PLGA多孔支架中,构建具有可控次第释放特性的组织工程支架。本方法药物活性保持度高,有机溶剂残留量低,操作简单。所制备微球粒度分布窄,具有良好的缓释效果。复合支架孔径分布在150~300μm,连通性好,孔隙率为76.84%,抗压强度为5.11MPa,21天累计释放量为60.6%。本发明制备的支架在组织工程修复体中具有应用前景。
四川大学 2021-04-11
多枝树形等离激元波导复合纳米结构合成及光学操控方法
本发明包括一种多枝树形等离激元波导复合纳米结构的合成及其光学操控方法,该合成方法包括多个步骤,每个步骤均可精确控制。树形纳米结构的主干和在其上生长的枝状纳米结构的粗细均可精确控制,在树形纳米结构表面叠加有壳或无壳的量子点形成量子点复合树形纳米结构,无壳量子点可用于化学催化、环境监测、生物传感等应用。光从纳米线一端入射,经纳米线及枝状结构,激励有壳量子点发光,可用于遥感拉曼、新型激光器等应用。通过光学操控可改变入射光的强度和偏振态,控制特定区域的量子点发光,可消除散射中心之间干涉衍射效应产生的串扰效应,从而可用于亚波长的高分辨率探测。
东南大学 2021-04-11
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
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