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城市深层地热能源开发-水力热多场耦合技术
项目背景：地热工业资源利用可获取许多贵重的稀有元 素、放射性元素、稀有气体和化合物，也可用于地热发电、 地热供暖、地热医疗等场景。目前，我国大科学计划在探索 超热岩发电技术、深层地热开发相关颠覆性技术方面，需要 支撑深层高温钻井和压裂建库等技术的研发设备平台。因 此，研制高温高压岩石真三轴测试平台等，可为后期开发工 作提供基础数据和理论依据。本项目的难点在热、力学热冲 击效应下，高温岩石真三轴加热保温材料的多场耦合技术， 井筒密封，高温声发射监测，并能模拟现场工况等，设计实 验平台结构设计并保证性能。
所需技术需求简要描述：关键技术；岩样尺寸（方形）： 200mm（250MPa）、300mm（400℃）主要试样、600mm（ 400℃ ）。 真三轴试验力：10000kN×3、精度 0.5% ，刚性加载，位移、 变形、力三种控制。岩样最高温度：400℃，程序升温，升 温梯度 5-20℃/min，温度精度±1℃。水力压裂注入压力： 120MPa/携沙，压力、流量控制，精度 0.5%，压力控制 0.001MPa；升学监测：16 通道，波导杆和直接测量。暂堵装 置：流量 1000L/min，压力 30MPa。
对技术提供方的要求:在深层地热资源开发领域，拥有 一定的研发基础和实验平台制造经验，相关研究成果处于国 内领先水平。
青岛乾坤兴智能科技有限公司
2021-09-13
一种基于IGCT的模块化多电平换流阀技术
1. 痛点问题
由于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有驱动功率小而且驱动电路简单、开关速度快并且损耗小、饱和压降低、耐压高、电流大等优点，在柔性直流电网中得到了广泛的应用，现有的MMC换流阀装备均是采用IGBT开关器件进行设计。事实上，IGBT于二十世纪八十年代初诞生，在九十年代得到飞速发展。然而传统的焊接式IGBT容量较小、可靠性较低且失效后呈断路特性，因此早期的IGBT主要应用于中低压领域，直至压接式IGBT诞生之后才开始在高压、大功率电力电子换流器当中得到应用。IGBT器件的容量从最早的600V/6A级别逐渐提升，迄今为止已经达到了4.5kV/3kA的水平。IGCT诞生于1996年，由于其核心GCT芯片是由晶闸管改进而来，因此天然具备晶闸管大容量、高可靠性的特点。IGCT器件在2000年便已经达到了4.5kV/4kA的水平，相比之下压接式IGBT直至2012年才达到相同的功率等级，随着六英寸IGCT器件在未来投入使用，IGCT在容量上仍将对IGBT保持较大优势。
另外，尽管IGBT优势突出，但是相比电流型器件，仍然存在通态压降大、可靠性低、制造成本高等问题，具有很多改进的空间。尤其是在海上风电柔性高压直流输电系统中，所使用的开关器件数量非常大，若能改进IGBT器件的特性，进一步提高效率和可靠性、减小成本，将会具有巨大的吸引力和应用前景。
2. 解决方案
模块化多电平变换器（MMC）的多电平调制大幅降低了功率器件开关频率，为集成门极换流晶闸管（IGCT）的应用带来了契机。相比IGBT，IGCT的通态压降和成本可降低达到1/3以上，并且IGCT具有非常强大的浪涌电流、短路失效和防爆能力，无需增加辅助电路便可实现冗余和防爆，确保柔直输电系统免维护的高可靠需求。该技术实现更高电压、更大功率、更高效率和可靠性的柔性直流输电系统具有重要意义和广阔的应用前景。
清华大学
2021-10-22
IGBT模块
产品详细介绍IGBT模块 型号：F4-75R12KS4 特点：.最高耐压 1200V.额定电流 100A @25度.4单元H桥.开关时间<0.2微秒典型应用：.逆变电源.UPS.直流电机驱动器
哈尔滨瑞哈科技发展有限公司
2021-08-23
Zigbee核心模块
南京邮电大学
2021-04-14
静脉穿刺模块
XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）
功能特点：
■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。
■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。
■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。
■ 可反复进行练习。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
静脉穿刺模块
XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）
功能特点：
■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。
■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。
■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。
■ 可反复进行练习。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
IGBT驱动模块
产品详细介绍IGBT驱动模块
型号：SKHI22AH4
特点：
.半桥双IGBT驱动 .与SKHI 21兼容
.输入兼容COMS电平 .短路电流保护
.驱动高低边互锁 .使用变压器隔离
.低电压保护（13V） .故障输出
.开关时间1微秒
.可驱动MOSFET Vds(on) <10V
典型应用：
.驱动MOSFET模块用于桥式电路，逆变器，UPS
.直流总线电压最高1200V
哈尔滨瑞哈科技发展有限公司
2021-08-23
物理支架
产品详细介绍
天津市东丽教学仪器厂
2021-08-23
物理支架
产品详细介绍
福建省古田县教学器材厂
2021-08-23
物理支架
产品详细介绍
四川省射洪中学教仪厂
2021-08-23