产品详细介绍IGBT驱动模块   型号：SKHI22AH4 　　 特点： .半桥双IGBT驱动 .与SKHI 21兼容 .输入兼容COMS电平 .短路电流保护 .驱动高低边互锁 .使用变压器隔离 .低电压保护（13V） .故障输出 .开关时间1微秒 .可驱动MOSFET Vds(on) <10V 典型应用： .驱动MOSFET模块用于桥式电路，逆变器，UPS .直流总线电压最高1200V

XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）   功能特点： ■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。 ■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。 ■ 可反复进行练习。

XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）   功能特点： ■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。 ■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。 ■ 可反复进行练习。

本发明公开了一种模块化多电平换流器功率运行区间的获取方 法，包括下述步骤：(1)根据已知的模块化多电平换流器的基本参数， 建立旋转坐标系下模块化多电平换流器的稳态数学解析模型；(2)确定 要考虑的运行约束条件；(3)根据稳态数学解析模型计算各约束条件下 功率运行区间；(4)将各约束条件下的功率运行区间取交集，获得考虑 多重运行约束条件下模块化多电平换流器的功率运行区间。本发明考 虑的运行约束条件，通过建立一套旋转坐标系下模块化多电平换流器 的稳态数学解析模型，并通过取交集得到考虑多重约束条件下的功率

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

智能无功补偿模块是采用网络技术和最新电气技术自主研制而成的最新一代无功补偿装置，具有智能化、小型化、网络化等特点。提高补偿精度和安全可靠性；低耗节能；可自适应控制可控硅的最短导通时间；具有比一般产品更强大的保护功能；无线通讯，方便接线；地址动态分配和校验，方便调试和维修。

本实用新型公开了一种通信模块检测装置，它包括微控制器、LCD触摸屏、收发模块、发射/接收驱动电路、电压采集电路、电压信号放大调整电路和ADC转换电路，LCD触摸屏和收发模块分别与微控制器的I/O口相连，微控制器的控制信号输出端与发射/接收驱动电路相连，电压采集电路实时采集待测通信模块的电压值，并依次通过电压信号放大调整电路和ADC转换电路与微控制器相连。本实用新型通过键盘或LCD触摸屏控制微处理器产生控制信号，进而控制待测通信模块处于发射或接收状态，实现了通信模块发射电压和接收电压的依次检测，结构简单，易于操作，成本低，准确度高；LCD触摸屏和键盘均能完成检测的手动操作，方式多样，且便于用户查看。

40W/50W/75W/100W/150W 激光侧泵模块是我公司自主研发的大功率半导体侧面泵浦固体激光模块，具有转换效率高、性能可靠、体积小等优点。可以替代灯泵聚光腔，是全固态激光器的核心器件。能为高可靠性要求的工业微加工和科学应用提供高质量的光源。

操作系统；Windows,XP，Vista, win7, win8,Mac OS 10.2x and up & Liunx；USB版本；USB3.0/2.0/1.1；工作电压；5V