本发明公开了一种突变型 KCNQ1，即 S140G-KCNQ1。还公开了利用 KCNQ1 来筛选心肌 KCNQ1 钾离子通道的抑制剂的方法，它包括步骤：（a）将（i）表达 KCNQ1 表达载体和 (ii)KCNE1 表达载体或 KCNE2 表达载体转入哺乳动物细胞；（b）在转化的哺乳动物细胞 的培养基中，添加候选物质，并测定添加前后的电生理钾离子流，其中，如果加入候选 物质后的电生理钾离子流减小，则表明该物质是心肌 KCNQ1 钾通道的抑制剂。该方法可 快速筛选治疗房颤的候选药物。

产品详细介绍至尊8188亚克力防盗仪 产品编号：323 型　号：至尊8188(SSLT-EM-2008A) 品　牌：盛世龙图 档　次：高档 推荐指数：      特点描述： 采用纯进口全亚克力材料设计、耐磨性强、晶莹剔透，报警灯光采用全反射、全迷幻效果设计，先进的液晶显示人次统计系统，具有精确的报警和超高的检测率，通过公安部安全与警用电子产品质量检测中心检验，是国内外高档图书馆、大型书城、书店、图书馆、药店、音像店、化妆品店、部队等首选产品，现大量出口国外50多个国家。 具体说明： ◆ 保护宽度： 单通道75-120厘米。 ◆ 灵敏度高：采用DMPD（动态多相位检测）技术，最短可以探测3厘米的磁条，高保障地检测目前市面上的全部磁条产品。 ◆ 稳定性好：拥有世界上最先进的DSP技术，完美确保系统的稳定性与可靠性。 ◆ 无误报：先进的检测仪自检能力，有效识别、过滤外界干扰源，实现行家客户要求的高报警、无误报的理想效果。 ◆ 抗金属能力强：自主开发的智能数字化微电脑控制技术和三环同步递归滤波技术，空前提高系统的抗金属干扰的能力，并对抗金属干扰进行自由调节。 ◆ 保护范围广：不仅可以保护图书、药品、化妆品、音像制品，还可以保护U盘、MP3、MP4、移动硬盘、笔记本电脑等电子产品。 ◆安全技术检验：通过公安部安全与警用电子产品质量检测中心检验。 ◆生产工艺：按照公司通过的ISO9001：2000质量管理体系认证要求，高标准、高质量组织设计、生产与服务。 ◆ 技术针对性强：针对大型书店、图书馆、药店、音像店、化妆品店等的安装要求设计。 ◆ 极具视觉冲击力的设计：外观设计高雅大方，选用日本进口亚克力材料、透光性强、抗磨性强、不变形；报警灯光采用全反射、全迷幻效果设计； ◆ 先进的进店客流人次统计功能（三种模式）：可通过独家开发的可视液晶模块实现总人数历史统计（无需计算机、默认配置）；可通过连接计算机实现当日和历史客流流量的统计、分析、报表生成等（需计算机）；通过主机内置模块实现当天人次统计。 ◆ 符合绿色环保标准：产品功率小于5瓦，使用寿命长、耗电量少，对人体无辐射。设计与制造完全符合美国联邦通讯委员会（FCC）颁发的有关无线电频率、信号强度、电磁干扰（EMI）及其它方面的规定。 ◆ 性价比高：国际品质、国内价格  技术指标：  ◆ 综合报警率 98% ◆ 报警方式: 声光报警（报警灯采用全反射、全迷幻效果设计） ◆ 探测范围： 高：5-165cm 宽：75—120cm ◆ 信号处理： 数字式-DMPD（动态多相位检测）技术、DSP多重滤波技术 ◆ 制作材料：纯进口亚克力材料，不变形、不变色、晶莹透亮、抗磨性强 ◆ 无故障时间≥80000小时 ◆ 外型尺寸：150 cm*48cm*3cm ◆ 天线功率： 3.6W-5W ◆ 工作电压：AC:220V±20%、50Hz ◆ 安装形式：底座式、金属扣槽式、预埋管式、切割扣槽式

本发明公开了一种用于偏瘫患者的多自由度拇指康复训练装置，包括支撑底座以及固定在支撑底座上的驱动传感机构Ｉ和驱动传感机构ＩＩ，驱动传感机构Ｉ和驱动传感机构ＩＩ由光电编码器、直流力矩电机、磁流变液阻尼器和力矩传感器组成；其中，驱动传感机构Ｉ的输出端通过联轴器Ｉ连接弧形导轨的一端，弧形导轨的另一端依次通过连接杆Ｉ、连接杆ＩＩ、连接杆ＩＩＩ固定在支撑板Ｉ上，连接杆ＩＩＩ通过轴承Ｉ固定在支撑板Ｉ上，支撑板Ｉ固定在支撑底座上；驱动传感机构ＩＩ的输出端通过联轴器ＩＩ连接手机训练机构的驱动轴，手指训练机构包括训练杆、前指套、后指套、驱动连接件和驱动轴，驱动轴通过驱动连接件与训练杆传动连接；训练杆的前端部嵌入弧形导轨中沿着弧形导轨滑动。

碳化硅的工业生产，国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率低，产品市场竞争力差。高品质 SiC 新材料市场奇缺，严重制约了其在诸多高新技术领域的应用。 1995 年以来，课题组对以往国内外 SiC 生产炉的结构、生产技术和工艺进行了全面深入的调查、经多年潜心研究，创立了多热源多向流合成碳化硅理论体系，发明了 “ 冶炼碳化硅的多炉芯炉及其生产碳化硅的方法 ” 新技术。该技术获国家发明专利授权 1 项，获西安市科技进步一等奖、陕西省科技进步三等奖以及陕西省职工优秀发明创新成果金奖。已在国内陕西、青海、宁夏、新疆、福建等地建成生产线 10 余条，占据我国 SiC 产能的 1/4 ，创产值 30 亿余元，有力地推动了行业技术进步。

本技术成果涉及一类具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物。

本发明为一种具有多生长因子次第释放特性的组织工程支架，属于药物剂型改变及制备方法技术领域。本发明中，结合微球缓释系统和支架的特点，采用复乳法分别制备BMP-2、VEGF和bFGF等生长因子的PLLA/PEG缓释微球，再利用超临界二氧化碳发泡技术将微球载入PLGA多孔支架中，构建具有可控次第释放特性的组织工程支架。本方法药物活性保持度高，有机溶剂残留量低，操作简单。所制备微球粒度分布窄，具有良好的缓释效果。复合支架孔径分布在150~300μm，连通性好，孔隙率为76.84%，抗压强度为5.11MPa，21天累计释放量为60.6%。本发明制备的支架在组织工程修复体中具有应用前景。

该专利技术在多直流馈入电网动态无功补偿装置和控制方法方面都做了技术创新，研制的动态无功补偿装置响应速度快、控制精准和可靠性高，解决了现有技术中多直流馈入系统中动态无功补偿装置经济性和可靠性不能兼顾的问题，提出的高压直流动态无功精准控制方法突破了现有技术中高压直流不能参加电网动态无功补偿的技术瓶颈，满足了多直流馈入受端电网电压稳定对动态无功支撑能力的要求。专利技术在南方电网进行实施，实际应用效果表明该技术能高效利用系统中的动态无功资源，显著提高了南方电网动态无功支持能力和电压稳定性，为多直流馈入电网的安全稳定运行提供了保障，确保了国家“西电东送”战略的顺利实施，促进了东西部的合作共赢，推动了国民经济和社会的发展。基于对该专利技术贡献率的测算，截至2017年12月底，累计新增销售额超过5亿元，累计新增利润超过4000万元。在第二十届中国专利奖评审中获得银奖。

本发明包括一种多枝树形等离激元波导复合纳米结构的合成及其光学操控方法，该合成方法包括多个步骤，每个步骤均可精确控制。树形纳米结构的主干和在其上生长的枝状纳米结构的粗细均可精确控制，在树形纳米结构表面叠加有壳或无壳的量子点形成量子点复合树形纳米结构，无壳量子点可用于化学催化、环境监测、生物传感等应用。光从纳米线一端入射，经纳米线及枝状结构，激励有壳量子点发光，可用于遥感拉曼、新型激光器等应用。通过光学操控可改变入射光的强度和偏振态，控制特定区域的量子点发光，可消除散射中心之间干涉衍射效应产生的串扰效应，从而可用于亚波长的高分辨率探测。

本发明公开了俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示装置，包括复合式偏折型散射屏、高速投影机、图像发生器、探测模块和旋转传动机构。高速投影机将三维物体不同俯仰角度水平360度全景视场的组合图像投影到高速旋转的复合式偏折型散射屏上。复合式偏折型散射屏可对不同角度入射光的垂直偏折及发散角度和水平发散角度进行控制，使环绕观看的不同高度的观察者的双眼观察到对应于其视点位置的图像，实现显示的三维物体悬浮于复合式偏折型散射屏的上面，且其位置不随视点的高低变化而改变。俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示可供多人俯仰多角度、水平360度全视场裸眼同时观看，实现空间遮挡消隐并可探入触摸交互。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。