本发明公开了一种基于二次规划的功率型储能调频责任划分方法，该方法根据调频电源的基本信息及其实时状态信息，利用二次规划优化调频电源的输出功率，实现对区域误差信号的精确跟踪。同时，对于客观因素(如调频功率不足)造成跟踪失败时，利用线性规划方法实现跟踪误差的最小化。本发明充分利用储能装置的快速反应能力，对系统的二次调频信号进行最大程度的精确跟踪，提高了电网的调频能力。此外，该方法还能将电池储能的电荷状态维持在设定值附近，保证其剩余可充放电能力，增加其使用寿命；同时也有效减少了传统电机在调频过程中因为频繁爬坡造成的设备损耗。

简介：本发明属于单相光伏发电领域，公开了一种单相光伏并网发电系统功率解耦电路及其控制方法。该电路包括从左至右依次并联的光伏电源、BOOST升压单元、全桥逆变单元、功率解耦单元、LC滤波单元和电网。该方法步骤为：1）光伏电源的电压经BOOST升压单元进行升压；2）经步骤1）升压后的直流电压通过全桥逆变单元逆变成交流电压；3）功率解耦单元通过控制功率解耦单元中MOSFET开关管Sc1和Sc2的开通关断时序，在电感Lc上产生一个功率向量；步骤4）从步骤3）输出的交流并网电压信号由LC滤波单元滤波后接入电网。本发明的电路及其控制方法实现了以小容量薄膜电容代替大容量电解电容，提高了光伏系统的发电效率和使用寿命，有效降低了发电成本。

本发明公开了一种联络线功率摇摆峰值的抑制方法，其通过设 置直流紧急控制的启动、退出时刻及紧急功率调制量以实现对联络线 功率摇摆峰值的抑制，该方法包括：实时测量联络线功率摇摆数据的 步骤；当联络线功率值大于启动阈值时，启动直流紧急控制，并根据 联络线功率摇摆斜率确定相应的直流紧急功率调制量大小，进而采用 直流紧急控制的步骤；以及当联络线功率达到摇摆峰值时退出直流紧急控制，即将直流紧急功率调制量归零的步骤。本发明还公开了一种 特高压联络线功率摇摆峰值的抑制方法。本发明的方法抑制了由于暂 态功率扰动冲击造

安全无污染 全封闭式设计；观察窗口采用欧洲CE标准防护玻璃；切割产生烟尘内部过滤处理，达标排放，无污染； 传动与精度 采用日本安川电机、台湾上银齿条、法国摩多利减速器。机床的定位精度为0.02。   监控系统 加工过程中，可随时监控每个死角区域，切割过程可控；高清智能监控系统，远程报警操作无危险。

单相功率电表 7110/7120 ‒待机功率解析度达 0.001W ‒具波峰因素比显示 ‒更高 50 阶谐波分析能力 ‒1000 组量测数据保存空间 ‒电流波峰因素最高 CF9 ‒自动换档速度快   ICROTEST Power Meter 7110/7120的输入电流波峰因素可达到CF3/CF9 并拥有量程范围内所有数据均能量测优异特色，自动换档速度上亦是同等级功率表更快 能迅速锁定电流量程、准确进行功率消耗分析，量测范围从0.001W到16KW均能量测   MICROTEST 7110/7120 能量测内含DC成份的AC功率消耗 对于分析正负半周不对称电器之电流信号，得到的功率因素PF更准确 市面上电器产品为因应欧盟对电器的待机规范，厂商均致力于将待机功耗尽可能降低 并能帮助电器厂商精准分析自家产品的待机功耗并能搭配个人电脑做长时间功耗分析     关注微信公众号，看产品视频  

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其 制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤 维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层 为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极， 并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维，无需再对压电纤维 进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维 能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械 能的捕获效果。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。