微晶超薄防眩嵌装教室灯 项目 星奥全护眼LED教室灯 国家标准GB7793-2010 功率36w 参数 中小学学校教室采光和照明卫生标准 教室照度（E） 417LX 优于国标 ≥300LX 教室照度均匀度（Uo） 0.8 专业照明设计 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 优于国标 ≥500LX 黑板照度均匀度（Uo） 0.81 专业照明设计 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 无眩光危害 ＜19 光频闪（波动深度） ≤3.2% 无光频闪危害 —— 显色指数 ≥90 色彩还原能力强 ≥80 色温（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光线柔和 3300K-5500K 使用寿命 质保三年 寿命长 —— 总功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗电量（Q） 720度 耗电量低 ——

本发明公开了一种可溯源白光干涉原子力探针自动定位工件方 法，该方法包括如下步骤：在纳米级位移平台运动之前记录下激光干 涉位移计量系统的初始位移；接着其在垂直方向上快速产生一个适量 的位移，在位移发生后通过零级条纹的移动量是否在阈值范围内来判 断原子力探针是否定位到工件，而如果纳米级垂直位移平台在到达极 限的位移运动时还未定位到工件，记录下其最终位置，并将纳米级垂 直位移平台复位，重复上述步骤，直至定位到工件。按照本发明设定 的自动定位的方法，不受原子力探针与工件之间的距离限制，同时在定位过程中对位移进行计量，可实现可溯源，而采用零级条纹的移动 量来判断探针是否定位到工件具有定位快速和高精度的显著效果。 

本发明属于白光干涉测厚领域，并公开了共焦白光偏振干涉的 多层透明介质厚度测量装置和方法。包括被测物、第三透镜、第二透 镜、第二小孔构成共焦结构，平行白光经第二棱镜后，一束作为测量 光束经第三透镜汇聚到被测表面，另一束作为参考光束经过多次反射 后与从被测表面反射回来的测量光束发生干涉，在第二棱镜和第二透 镜之间设置提高干涉条纹的对比度的可旋转偏振片，实现在第一图像 传感器上形成高对比度干涉条纹。本发明还公开了利用上述装置进行 测量的方法。

功率DMOS是一类重要的新型功率器件，具控制电路简单、开关频率高、可靠性好等优点，因此广泛应用于开关电源、汽车电子、DC/DC转换等领域，市场需求巨大，目前在功率分立器件领域占据了最大的市场份额。本团队在功率DMOS器件的研究方面有丰富的技术积累，开展了大量前沿性研究和产业化研究，目前本团队在功率DMOS领域累计授权发明专利超过50项，能够量产的产品型号近百种。

光纤激光器具有转换效率高、光束质量好、维护周期长、运行费用低等优点，是激光加工装备的光源最佳选择，具有十分广阔的市场应用前景，被誉为“光制造时代的核心”。由于技术门槛等原因，目前国内市场光纤激光器产品普遍集中在低功率光纤激光器，而从利润和销售额来看，光纤激光器最大的市场在千瓦级以上的应用，因此高功率光纤激光器产品极具市场空间和投资价值。 经过近两年的持续攻关，学校已掌握一系列研制高功率光纤激光器的关键技术，并自主研制成功连续光纤激光器，与国内同类产品相比，核心技术指标、性能参数均处于

本发明公开了一种低射频功率检测电路，该检测电路将射频输 入信号连接至匹配负载，然后经过基于检波二极管的峰值检测电路处 理，峰值检测电路的输出连接至峰值补偿电路，使得补偿之后的直流 电平与射频信号峰值基本一致。补偿电路的输出连接至乘法器的两个 输入端，乘法器的输出经滤波、放大、零位补偿之后，在检测电路输 出端得到一个与待测信号功率成正比的直流信号。该发明的特点是： 各功能电路相对独立，调试方便；补偿电路可精细调节，在一定频率 和功率范围内测量准确度较高；通过设定电路参数，响应速度灵活可 调；能满足高达

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。

已有样品/n这项封装技术是利用芯片本身的衬底和封装材料作为封装基板，简化发光二极 管的工艺路径，降低全工艺成本，提供最小的发光二极管封装体积，全角度发光特 性，降低器件封装热阻，实现对发光二极管电学和光学性能更好的控制，并具有简 单、成本低等优点。与传统工艺封装相比成本降低 30%左右，发光效率与传统封装 相当。 随着LED技术的进步，外延与芯片工艺在发光二极管成本中所占的比例相对降 低，而封装步骤由于耗费材料和工艺步骤较多且技术含量较低，其成本难以降低。 作为现有封装结构与晶圆级封装结构的中间阶段