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南京师范大学计电院团队在太阳能的吸收与利用方面研究取得新进展
太阳能水蒸发技术是指利用太阳能从液态水中提取水蒸气,该技术可以用于污水处理和海水淡化,为发展环保、廉价的淡水生产技术提供了基础。
南京师范大学 2022-06-14
Aigtek西安安泰电子 ATA-7000系列高压功率放大器 最大输出电压6KVp-p
西安安泰电子科技有限公司 2022-06-01
DT640-BC型裸片温度计硅二极管低温温度传感器锦正茂科技
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-11-17
Aigtek西安安泰电子 ATG-2000系列功率信号源 可输出正弦波、方波、三角波、脉冲波
西安安泰电子科技有限公司 2022-06-01
锦正茂 硅二极管DT640-BC型裸片温度计小型温度传感器1.4K-500K
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-08-05
丁薛祥在全国高校毕业生等青年就业创业工作视频会议上强调 千方百计促进高校毕业生就业 确保青年就业形势总体稳定
要持续挖潜拓宽高校毕业生就业渠道,稳住存量岗位,扩大增量规模,帮助毕业生尽早实现就业。
教育部 2024-05-15
《自然·通讯》报道西安电子科技大学郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。
西安电子科技大学 2022-08-30
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