由李同合副教授主持的、一种具有国内先进水平的、用于测量记录电机启动过程中的瞬时电流电压波形、以便分析评估电机启动特性的测试分析系统（MST2000），近日由西安交通大学和广东岭澳核电有限公司合作完成。该系统由电流传感器、电压传感器、电流电压转换箱、计算机（笔记本电脑）和测试分析程序等组成，适应于Windows95/98操作系统，中英文可选。测试结果包括：启

项目简介 在国家自然基金（(61273154 和 51077066）项目经费资助下，开发研

电机智能控制器是一款用于三相交流异步电动机的工作状态监视、启动和停止时间记录、故障类型、时间的记录和报警。控制器具有较高的安全性能和抗干扰系列，控制器的安装方式和工作性能应能保证达到控制目标所需要求，现场操作方便；采用固态继电器作为执行元件，其额定电流值应满足电机起动电流和堵转电流的要求，并有足够的裕度。

产品详细介绍单匝电机原理演示器：演示单匝电机的工作原理 高中新课改部分仪器

产品详细介绍 产品名称                                           托马斯高温导热胶（THO4074） 概       述 本品系改性环氧树脂胶粘剂，单组份，加热快速固化具有优越的电气性能和机械性能，耐热导热性好，化学稳定性和耐电晕性好、粘接强度高，操作简便。 适用范围 适用于电视机、工业炉冷却臂、大功率LED照明、电力电容器、热继电器、监视显示器、航天、航空、通讯、雷达、耐热骨架片等中工作的电热器芯片、电热器护片、垫片、电子管片、灯泡片等发热部件的粘接和密封同时达到优良的导热以及抗热震效果。 性   能   特   点 ·外观：单组份浅灰色黏稠膏状体（颜色可调整），无固体机械颗粒。 固化温度 固化时间 固化温度 固化时间 100℃ 60M 120℃ 30M 130℃ 20M 140℃ 10M ·耐候性、耐久性、耐紫外光性能优良。 。粘接强度高、有良好的电气性能和机械性能， 。耐热以及卓越的导热性，化学稳定性和耐电晕性能优。 ·适应温度范围广，粘接后在较高的温度下仍有较好的粘接效果。 ·粘接表面无需严格处理，使用方便。 ·耐介质性能优良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、碱等。 ·安全及毒性特征：完全符合欧美质量标准，达到ROHS认证。 ·贮存稳定性较好，贮存期为6个月。（≤35℃） 主要技术性能指标如下：硬度 shore D 90 耐温范围:-48－+800℃(真空条件)  体积电阻25℃ 1×1015Ω.cm     表面电阻 2.5×1015Ω                  耐电压20-25kV/㎡  粘接强度:（Al+Al）常温:拉伸强度≥25MPa;     剪切强度≥18 MPa 200℃:拉伸强度≥3－5 Mpa  280℃≥1．2—1．3Mpa 使用 方法 1、将被粘物除锈、去污、擦净。 2、将调好的胶液涂于被粘物表面，合拢、压实、静置加热。 注意 事项 1、操作环境注意通风。 2、胶液如触及皮肤，可及时用肥皂水冲洗. 3、未用完的胶应盖好，置于阴凉通风处。如果有冷藏条件即更好。                                                                                        该版权属于成都托马斯科技2005-2011所有

本电力电子及电机实验装置结合《电机学》、《电力电子技术》、《电机控制技术》学科的发展，使用新的实验线路和设计理念，兼容了《电力电子技术》、《电力拖动自动控制系统》、《电机学》、《电机拖动》的实验。

随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。

电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器

作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。