TES-5604N数字红外无线麦克风   　　深圳台电 (TAIDEN) 是全球领先的会议系统设备供应商，已成功装备联合国总部、世界银行总部、欧洲委员会总部、G20 首脑峰会、APEC 首脑峰会、厦门金砖会议等国际组织及大型会议。深圳台电公司最早于 2001 年研制出全球第一套不受高频驱动光源干扰的红外线同声传译系统，并于 2008 年自主研制出数字红外处理芯片，发明了数字红外无线会议系统。 　　2015 年，深圳台电公司首次将国际先进的数字红外技术引入到多媒体教学环境中，基于对多媒体教学环境音频设备需求的深度挖掘，先后推出了一系列音质清晰、抗干扰能力强且便于管理的教室音频系统，充分满足了教学 环境中的扩声、常态化录音、互动录播、教室多媒体设备集中控制(一键上下课)的需求，同时通过内置带电子锁充电座的设计解决了设备管理繁琐和需要反复回收充电的难题，还完全杜绝了老师贴身佩挂传统无线麦克风时会产生的射频辐射问题，是真正意义上的功能丰富、人性化设计且绿色环保的解决方案。       音质清晰 结合深圳台电自主研发的数字红外处理芯片及国际先进的数字红外技术，在20米范围内不论远近均保持完美音质：频响：主机线路-主机：50 Hz~20 kHz           麦克风-主机：100 Hz~20 kHz信噪比：≥90 dBA总谐波失真：≤0.05% 提高声音清晰度，让老师能较长时间以自然声调讲课，保护老师声带，避免声嘶力竭 清晰的声音能调动学生注意力，减少上课分心、开小差现象，从而提高听课效果 超强抗干扰 先进的数字红外技术，不受高频驱动光源干扰，可正常工作于阳光下的环境 多个教室同时使用，相互之间不会串频和干扰 不受外界无线电干扰 便于使用和管理 红外麦克风无需对频，即开即用，简单方便 可为教师配备个人专用红外麦克风，一师一麦，高效，卫生 麦克风充电座内置电子锁，可通过手机扫码或刷卡解锁无线麦克风，方便管理，避免丢失 无电磁辐射 不产生对人体有害的电磁辐射 不受无线电频率使用限制，节省广电频率资源       TES-5604N 数字红外无线麦克风 TES-5604N_W…………………………………………数字红外无线麦克风（白色，带激光笔功能，内置可充电锂电池，不含电源适配器，标配含TES-5600NS_W颈挂绳，也可配TES-5600CLP夹扣使用）

自动声向追踪麦克风MAS-A100采用吸顶外观形态，使用专业音频处理技术，可对教师实时追踪声向进行收音、自动优化增强，教师可在讲台/教室自由行走发挥，且可以配合现场扬声器实现扩声，彻底解放老师双手。

随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。

电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器

作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。

高功率超短脉冲激光技术在激光精细加工和激光 3D 打印等领域表现出很大的优势，可以提供十微米以下甚至亚微米级的加工精度，市场应用前景广阔。由于高功率超短脉冲激光的脉冲宽度非常窄（工业应用通常在百飞秒至几十皮秒量级），单脉冲能量较大，峰值功率非常高，普通实芯石英光纤  受限于材料的非线性和损伤阈值低的问题，无法传输如此高功率的超短脉冲。现在大多采用空间光路 反射输出，这大大增加了系统的复杂性，限制了其应用范围。 北工大基于国家自然科学基金项目，制备了高性能的无节点空芯反谐振光纤，该光纤纤芯为空气   结构，这就避免了材料的吸收，可以大大提高光纤的损伤阈值，进而可用来传输高功率超快激光。这 种高性能无节点空芯反谐振光纤利用改装的特种光纤拉丝塔通过堆积和拉制的方法拉制而成。目前， 国际范围内仅有少数科研单位和一家法国 GLO Photonics 公司具有制备该光纤的能力，并且销售价格较高（约 20,000 元 / 米），阻碍了其工业化应用进程。

一种超声波功率测量系统，本发明属于测量仪器，解决现有辐 射力天平法测量超声波功率对环境要求较高、仪器达到稳定测量状态 所需时间较长的问题。本发明包括激光器、扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜、CCD 摄像机、计算机、激光电源和光学平台，所述激光器、 扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜和 CCD 摄像机沿光路依次固定在光 学平台上，成像透镜的轴线与激光器 1 发出的平行光的轴线重合，CCD 摄像机放置在成像透镜的焦点上，用于接收衍射图案，并将该图像传

特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。

两电平与三电平主电路适用于能量四像限运行，三电平更适于直流高压场合，可用于并网逆变，老化电子负载，蓄电池充放电机的前级，高功率因数整流器， 用作微电网与电网间的接口电路，可实现微网与电网间的能量互换，可用于直流充电桩的前级，实现网侧的高功率因数自主知识产权。