本发明涉及一种供用电系统谐波隔离方法及装置，基于一种谐波治理技术。本方法包括：设置可变 电抗器和电容器串并联组件并接入谐波源入口；实时检测组件接入两端谐波含量和供用电工况；根据检 测的谐波含量，动态控制串并联可变电抗器和电容器的参数，实现谐波有效隔离和在谐波源侧流动；根 据供用电工况，动态调整串并可变电抗器和电容器的参数，实现供用电系统滤波指标达标和功率因数提 高。本装置包括可变电抗器和电容器串并联单元、谐波隔离检测单元、谐波隔离控制单元、谐波

本实用新型公开了一种多隔离变压器串联供电装置，输入电源V

成果描述：本实用新型公开了一种无人机中继通信天线,包括安装座、第一伺服电机、底座、升降机构、通信天线本体,升降机构包括固定在底座顶部的下筒体、顶端与通信天线本体连接的上杆体,下筒体的外壁焊接有一横板,横板的顶部安装有第二伺服电机,下筒体内沿下筒体的长度方向设置有一竖直齿条板,下筒体的顶部固定有限位套,上杆体的底端穿过限位套并与竖直齿条板连接,竖直齿条板上啮合有一齿轮,第二伺服电机的输出轴上固定有延伸至下筒体内并与齿轮连接的转轴,安装座的顶部固定有一电控盒,电控盒内安装有电控装置,电控盒的外壁安装有红外线接收头,红外线接收头通信连接有红外线遥控器。其有益效果是：精确度高、使用方便。市场前景分析：本实用新型公开了一种无人机中继通信天线,包括安装座、第一伺服电机、底座、升降机构、通信天线本体,升降机构包括固定在底座顶部的下筒体、顶端与通信天线本体连接的上杆体,下筒体的外壁焊接有一横板,横板的顶部安装有第二伺服电机,下筒体内沿下筒体的长度方向设置有一竖直齿条板,下筒体的顶部固定有限位套,上杆体的底端穿过限位套并与竖直齿条板连接,竖直齿条板上啮合有一齿轮,第二伺服电机的输出轴上固定有延伸至下筒体内并与齿轮连接的转轴,安装座的顶部固定有一电控盒,电控盒内安装有电控装置,电控盒的外壁安装有红外线接收头,红外线接收头通信连接有红外线遥控器。其有益效果是：精确度高、使用方便。与同类成果相比的优势分析：国内领先

一种双频双极化天线阵，属于无线通信的天线领域，解决现有 天线阵列所存在的馈线长度长、天线体积大的问题，适用于无线局域 网、WiMax 等网络。本发明包括水平基板、N 个水平极化天线和 N 个 垂直极化天线，水平基板上印制有 N 个以水平基板圆心为对称均匀分 布的水平极化天线，各水平极化天线的形状、尺寸完全相同；N 个垂 直极化天线印制在矩形基板上，分别插入所述水平基板圆周上的 N 个 凹槽，使得各矩形基板与所述水平基板相垂直。本发明采用双频双极 化的结构，缩短了天线尺寸，有效支持无线通信中的 MIMO 和智能天 线的波束切换技术。一个典型的应用是支持 2.4GHz/5GHz 无线局域网 的波束切换和 MIMO 技术，能显著提高无线局域网的系统容量和抗干 扰性能。

本发明提供一种天线检测设备，用于对 RFID 天线进行检测，包括：开卷装置、收卷装置和依次布置在两者之间的静夹持组件、真空吸附组件、外观检测装置、电阻检测装置和动夹持组件，开卷装置开卷的天线基板通过动夹持组件输送到检测处，动夹持组件松开，静夹持组件将天线基板夹紧，真空吸附组件天线基板吸附在检测支撑面板上，外观检测装置和电阻检测装置分别进行检测，检测完成后，收卷装置将检测完成的天线基板成卷回收。本发明还公开了一种利用上述设备进行 RFID 天线检测的步骤。本发明可以实现对 RFID 天线外形尺寸和包括粘连、毛刺、断连、沙眼等在内的多种缺陷的检测，精度高、效率快，而且适应性强，针对不同种类和大小的 RFID 天线，均可实现检测。

随着反射面天线口径不断增大和频段不断升高，日照温度效应对天线的电性能的影响已经越来越引起工程界的重视。露天工作的大口径反射面天线因日照温度场而产生较大的温度梯度，导致结构产生明显变形，进而严重影响天线的电性能。针对天线所在地理位置及气候环境，通过仿真与实测相结合的方法实时预估天线温度场和热变形，结合天线实际结构，提出了相适应的温度传感器布局方案，设计了电性能实时自适应补偿流程，开发了一套反射面天线温度场实时监测与热变形实时补偿系统，实现了天线的电性能的实时补偿，为提高大口径反射面天线复杂环境下的服役性能提供了技术支撑。 主要技术指标 研制的热变形补偿系统的调整量计算精度优于反射面天线控制系统调整量最小分辨率，电性能补偿的实时性良好，该系统通过了总装专家联合测试组的测试，测试结果表明热变形补偿系统设计可行，能够修正热变形导致的指向误差，在对星动态测试中，能够提高天线接收射电星的功率。 相关成果 研制了一套大口径天线热变形实时补偿软硬件系统一套，包含温度传感器最优布置方法、数据采集硬件系统、温度传感器的误差分析与补偿算法、大口径天线热变形实时补偿系统综合软件平台。

格栅单板多频双辐射器天线涉及一种平面天线，该天线包括介质基板（１）、介质基板（１）上的金属地（２）、辐射槽缝（３）、辐射贴片（４）和微带馈线（５）；介质基板（１）的一面是金属地（２）、格栅（２１）和辐射槽缝（３），另一面是辐射贴片（４）和微带馈线（５）的导带（６）；金属化过孔阵列（７）把金属地（２）与辐射贴片（４）相连；微带馈线（５）一端是天线端口（９），微带馈线（５）另一端开路并跨过辐射槽缝（３）并伸展一段长度。该天线是多频带双辐射器工作，各个频带独立可调，天线尺寸和交叉极化小。

格栅单板多频多辐射器天线涉及一种平面天线，该天线包括介质基板（１）、介质基板（１）上的金属地（２）、辐射槽缝（３）、上辐射贴片（４）、下辐射贴片（５）和微带馈线（６）；介质基板（１）的一面是金属地（２）、格栅（２１）和辐射槽缝（３），另一面是上辐射贴片（４）、下辐射贴片（５）和微带馈线（６）的导带（１１）；金属化过孔阵列把金属地（２）与辐射贴片相连；微带馈线（６）一端是天线端口（１０），微带馈线（４）另一端开路并跨过辐射槽缝（３）并伸展一段长度。该天线是多频带多辐射器工作，各个频带独立可调，辐射特性

成果描述：聚乙烯醇缩丁醛树脂（Polyvinyl Butyral，简称PVB），是由聚乙烯醇树脂（PVA）在催化剂存在下和正丁醛进行缩聚反应得到功能性树脂。 聚乙烯醇缩丁醛树脂分为低粘和高粘两类，低粘度PVB主要用于制备一般的薄膜、粘结剂、涂料、纸张处理、陶瓷等领域；高粘聚乙烯醇缩丁醛树脂PVB主要用于汽车、飞机、高层建筑玻璃幕墙、潜艇等用安全玻璃的夹层材料，可以在保持良好透光性的前提下提高安全玻璃的抗冲击性性能。 本成果在高品质PVB树脂的合成技术的研究开发上进行了卓有成效的工作，应用新型高效混合剪切反应技术、洗液/滤液循环利用技术、无乳缩醛化反应技术和新型高效强制外循环缩醛化反应器成功地解决了现阶段国内PVB树脂普遍存在的问题，改善了高分子链条微观结构，避免高分子链条间的交联，使缩醛度更高更均匀，由此树脂制得的膜片具有高透光率和低雾度等光学性能，完全可以满足安全玻璃中间膜的需要。 同时，该技术成果避免了传统工艺上的低温反应，可以使初始反应温度从20℃开始，避免了使用冷冻带来的高能耗。且工艺过程大大提高了丁醛利用率，降低了生产成本，适合工业化转化。市场前景分析：聚乙烯醇缩丁醛树脂分为低粘和高粘两类，低粘度PVB主要用于制备一般的薄膜、粘结剂、涂料、纸张处理、陶瓷等领域；高粘聚乙烯醇缩丁醛树脂PVB主要用于汽车、飞机、高层建筑玻璃幕墙、潜艇等用安全玻璃的夹层材料，可以在保持良好透光性的前提下提高安全玻璃的抗冲击性性能。 目前，世界上生产高品质聚乙烯醇缩丁醛树脂的公司主要集中在美国、日本和西欧等经济发达地区， 主要是美国首诺公司( SOLUTION) 、杜邦公司(DUPONT) 、日本积水化学工业公司( SEKESUI) 和德国佳氏福公司( TROSIFOL) 。 我国聚乙烯醇缩丁醛树脂及膜片的生产企业大概有十余家，树脂总生产能力达到40000吨/年，膜片总生产能力达到35000吨/年。但其中低粘度聚乙烯醇缩丁醛树脂占80%以上，安全玻璃用高粘度产品（包括回收国外废PVB料）不到10%，且品质和国外相比还存在较大差距，主要表现在：颜色发黄、酸值偏高、缩醛度较低（国内一般70%以下，国外可以达到80%以上），透明度、雾度和柔软性较差等等，每年需要直接从国外进口高粘度高品质的PVB树脂和膜片，以满足国内汽车工业和建筑工业的发展所需。 对于国内需求量来说，现在低端产品市场已趋于饱和，但中高端产品市场仍供不应求，许多高端产品仍需从国外大量进口。目前国内仅汽车工业对安全玻璃用的高粘度聚乙烯醇缩丁醛树脂需求在1.5万吨/年，且年增长率大约在15%-20%左右，市场发展前景广阔。与同类成果相比的优势分析：以500吨/年的规模计算，该项目的投资额大致在1300万元左右（其中100万元为流动资金）。据可行性分析计算，聚乙烯醇缩丁醛树脂的直接生产成本为1.43万元/吨，车间成本为2.046万元/吨，工厂成本为2.68万元/吨，销售成本为2.71万元/吨。现目前该产品的市场售价为3.3万元/吨。企业的年纯利润为220.76万元，净投资收益率为16.98%。 国际先进。

宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。