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高吸程自吸泵
项目简介 地面上运行的水泵工作时要求有一定的安装高度，即吸程，若泵至水面的距离高于 吸程，水泵就不能正常工作。目前，由于地表水位的日益下降，吸程不断增加，很多柴 油机喷灌泵不能正常运行。针对这种应用需求，开发出安装高度达 15 米的射流—离心泵 装置，装置流量达到 20m3 /h 以上，能满足无电地区喷灌、滴灌的需求。 适用范围、市场前景 适用范围：农业节水灌溉等领域。 市场前景：结构简单、价廉物美、性能优良等特点，市场前景看好。
江苏大学
2021-04-14
巴氏高钙奶
临沂格瑞食品有限公司
2021-08-30
电子摸高器
产品详细介绍 KY-MG系列电子摸高器 KY-MG系列电子摸高器是我公司的专利产品，该仪器时一种新型的体能测试仪器。采用一体化结构，测试者很容易将摸高器固定在室内或室外的某一合适位置，基准高度值任意设置。 测试人员起跳后，只要将手摸到触摸板，在显示窗口便立即准确地显示和报出所触摸的最高高度。 该产品适用于篮球、排球、跳高、跳远等项目运动员选材、训练效果检测、学生体能测试及国民素质测试等。 技术特点 任意设置基准高度 语音播报弹跳高度值 液晶显示弹跳高度值 语音播报净高值 液晶显示净高值 测试数据电脑分析处理功能（选配） 可通过支架或吊挂式安装（选配） 技术指标 测试区高度：60厘米；90厘米；120厘米 测试精度：1厘米 供电电源：外接交流电源适配器（9V）和电池供电 工作温度：-10℃-50℃ 按键5分钟后自动关机
合肥中科科源传感系统工程有限公司
2021-08-23
8006荧光高光笔
山东一枝笔文化科技有限公司
2021-09-09
高顿财税学院
高顿财税学院服务体系 汇聚财务领域核心资源，满足企业多层次、多角度的培训需求 为财务人学习护航
上海高顿教育培训有限公司
2021-02-01
方形乐高块
青华科教仪器有限公司
2021-08-23
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
一种超声波功率测量系统
一种超声波功率测量系统，本发明属于测量仪器，解决现有辐 射力天平法测量超声波功率对环境要求较高、仪器达到稳定测量状态 所需时间较长的问题。本发明包括激光器、扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜、CCD 摄像机、计算机、激光电源和光学平台，所述激光器、 扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜和 CCD 摄像机沿光路依次固定在光 学平台上，成像透镜的轴线与激光器 1 发出的平行光的轴线重合，CCD 摄像机放置在成像透镜的焦点上，用于接收衍射图案，并将该图像传
华中科技大学
2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08