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高功率因数整流控制系统
高功率因数整流控制系统是交流传动互馈试验平台的电源变换部分，基本功能是实现电能的AC-DC和DC-AC双向传输，即将工频电压200v/600v交流输入转换为直流电压750v/1500v输出，并且功率因数为一；同时，当实验平台工作于能量回馈状态时，能够将实验平台回馈的电能以单位功率因数回馈回电网，真正实现了“绿色电能变换”。 技术指标： 输入电压：220Vac，600Vac 输出直流电压稳定性：<=2% 电流谐波总畸变率（THD）：<=5% 功率因数：+1 是否具有回馈能力（逆变）：有 输出电压调节范围：600~9000Vdc，1200~1800Vdc连续可调 最大输出功率：50kW 应用范围： 该系统可以用作新型UPS系统；太阳能、风能等可再生能源的并网发电系统；电气传动系统；超导储能系统；有源电力滤波系统等系统的能量变换环节，实现能量的双向传输、电网的无功补偿等功能。
北京交通大学
2021-04-13
高功率密度永磁电机
随着科学技术的发展，航空航天、军事国防以及工业制造等各个领域对驱动技术提出了越来越高的要求，不仅要求驱动电机提供更高的输出力或输出力矩，同时也要求驱动电机的结构更加紧凑，质量更轻，从而提高系统的功率密度和动态特性。 本项目组创新性地提出了基于空间磁极阵列的永磁电机设计方法，极大地提高了电机的功率密度，实现了提高系统输出力和力矩，以及降低系统体积和质量的双重目的。完成了系列化的旋转和直线永磁电机的系统设计、样机加工和性能测试，电机尺寸分布从0.5mm到10m。基于相关技术，承担了国家863重大专项课题、民口973子课题、国家自然科学基金课题、以及其它企业横向课题等重要项目。 本项目研究成果具有完全的自主知识产权，并已申请国家发明专利十余项。
北京航空航天大学
2021-04-13
一种光功率分束器
本发明公开了一种光功率分束器，包括衬底以及在衬底上自下 而上依次排列的包层、下导波层和上导波层；上导波层为图形层，沿 水平面上向右方向依次刻蚀有输入波导、准直透镜、光束整形透镜组、 相移光栅、傅里叶变换透镜、第一相位补偿结构、直流分量相移器、 第二相位补偿结构和输出波导阵列；其中，准直透镜、光束整形透镜 组、相移光栅、傅里叶变换透镜、第一相位补偿结构、直流分量相移 器和第二相位补偿结构的厚度相同；输入波导和输出波导阵
华中科技大学
2021-04-14
超高功率电弧炉冶炼工艺优化
目前国内由于电费、废钢昂贵，电炉一般需要添加铁水才能保证其经济性，添加铁水量受到铁水供应的影响，较难保证铁水兑入比例的稳定性。采用全废钢冶炼时，各个钢厂都有固定的供氧、供电、造渣制度，冶炼节奏稳定。但添加铁水，尤其是铁水兑入比例不稳定，导致冶炼工艺不容易掌握，电炉炉长对工艺的理解不够，全凭经验操作，冶炼指标受到极大影响。主要体现在：冶炼周期长、电耗高，石灰、氧气、天然气等辅料消耗高。以某厂 110t 超高功率电炉为例：在工艺优化前，电炉兑入铁水比例在 40%
江苏大学
2021-04-14
风力发电有功功率控制关键技术
本项目针对风电并网问题进行了深入研究，应用风电场有功功率分配算法、基于变时间尺度和缓冲算子的风电场超短期功率预测算法、风电机组全局控制策略和基于扰动观测器的风电机组反演控制算法、故障诊断与远程维护技术和自恢复通信网络技术，研制了风电场有功功率控制系统和风电机组控制系统，达到了国际先进水平。项目共申请发明专利9项，已授权3项。基于该项目关键技术的相关产品已在国内多个风电场稳定运行，实现了我国风力发电控制技术的跨越式升级，促进了我国大规模风能开发与并网应用，在取得巨大经济效益的同时，为国家经济的快速发展
电子科技大学
2021-04-14
多频远程超声功率驱动源
超声电机、超声清洗和超声加工等领域，超声功率驱动源是关键部件之一。本实验室长期从事超声电子研究，先后研制出多种超声功率驱动电路，如多路输入合成超声驱动电源，频率在20kHz-200kHz之间可产生任意波形，不需要变压器耦合，适合科学研究；远程频率自动跟踪超声电机驱动控制器，可通过互联网远程控制和监测超声电机输出特性等。
上海交通大学
2021-04-13
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
高频高功率密度GaN栅驱动电路
作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。
电子科技大学
2021-04-10
高功率超短脉冲激光传输光纤
高功率超短脉冲激光技术在激光精细加工和激光 3D 打印等领域表现出很大的优势，可以提供十微米以下甚至亚微米级的加工精度，市场应用前景广阔。由于高功率超短脉冲激光的脉冲宽度非常窄（工业应用通常在百飞秒至几十皮秒量级），单脉冲能量较大，峰值功率非常高，普通实芯石英光纤 受限于材料的非线性和损伤阈值低的问题，无法传输如此高功率的超短脉冲。现在大多采用空间光路 反射输出，这大大增加了系统的复杂性，限制了其应用范围。 北工大基于国家自然科学基金项目，制备了高性能的无节点空芯反谐振光纤，该光纤纤芯为空气 结构，这就避免了材料的吸收，可以大大提高光纤的损伤阈值，进而可用来传输高功率超快激光。这 种高性能无节点空芯反谐振光纤利用改装的特种光纤拉丝塔通过堆积和拉制的方法拉制而成。目前， 国际范围内仅有少数科研单位和一家法国 GLO Photonics 公司具有制备该光纤的能力，并且销售价格较高（约 20,000 元 / 米），阻碍了其工业化应用进程。
北京工业大学
2021-04-13