高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台
高校科技成果转化对接服务平台
大学生创新创业服务平台
登录
|
注册
|
搜索
搜 索
综合
项目
产品
日期筛选:
一周内
一月内
一年内
不限
智能化恒
功率
健身车
技术基础: (1)在系统终端设备方面,完成了整套样机的功能性设计,并进行了初期用户实验,效果良好,同时也在产品原理和形态上进行了创新:将传统磁控式健身车更改为电磁控方式,实现阻力实时可调,同时使得阻力调控范围更大; (2)在恒功率控制方面,通过PID控制算法调节发电机负载端电压,解决了心肺耐力测试中要求人体输出功率恒定的技术难题,确保了心肺耐力测试结果的准确性; (3)在心肺耐力测试方法方面,提出了一种二级间接测试方法,在智能化健身车平台上实施递增负荷试验方案并实测运动心率,根据最后两级负荷的测试结果建立运动强度与运动心率的预测评估模型,预测受试者最大心率下对应的最大运动强度,以此作为受试者心肺耐力的评价指标。 市场分析: 心肺功能泛指由循环系统通过肺呼吸和心脏活动推动血液循环向机体输送氧气和营养物质的能力。心肺耐力表征人体持续身体活动的能力,其体现人体在一定运动强度下的心肺功能能力,被认为是健康体适能评价指标体系中最重要的指标之一。 由于静态生活方式的增加、体力活动的减少,我国各年龄段人群的心肺耐力均呈下降趋势。早在2005年出版的《中国学生体质与健康调查报告》中就有提到,在2005年之前的20年里,所有年龄、性别组的学生耐力水平均呈下降趋势,后10年的降幅更为明显。 进入工业化社会以来,要求体力活动的工作形式日趋减少,久坐不动的生活方式是导致心肺耐力下降最重要的因素。然而,当前关于大众健康领域心肺耐力的研究及其普及程度仍无法满足迫切的应用需求。除去参与竞技体育的运动员或运动学研究专家,人们对心肺耐力的了解甚微,对基于心肺耐力的训练方法更是知之甚少,而且当前并没有一种普适大众的、准确有效的、操作简便的且价格低廉的心肺耐力测量和训练的设备。 因而,针对集心肺耐力测量、评价和训练相关的一整套检测干预服务系统的建立拥有广阔的前景。一方面,为普通大众提供了解心肺耐力的平台,弥补适合大众群体的心肺耐力检测和训练设备的空缺。另一方面,为提升全民体能素质提供了良好的平台和科学化的指导。 社会经济效益: 本项目成果为高端家用智能健身设备,预期年销3000台以上,新增销售1000万元以上。项目成果涉及健康服务业、信息服务业等战略性新兴产业,设计思想符合国际主流的健康管理原则,核心技术拥有完全自主知识产权,服务模式创新性强,目标产品与服务的市场需求迫切、受众人数庞大,具有良好的经济与社会效益前景。
中国科学院大学
2021-01-12
供应激光
功率
计、能量计(全)
产品详细介绍 激光系列产品 >> 激光能量计/功率计 >> Vector S310激光功率计表头特点大尺寸液晶屏功率/能量测量模式统计模式高级EMI/RFI保护模式自动断路器RS-232接口IEEE 488接口模拟输出可选衰减修正液晶背景灯可选科学符号显示支持LabView 产品名称: Astral S系列激光功率计产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 21113533716产品信息: 产品名称: VECTOR 系列焦热电激光功率计探头产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 2111324616产品信息: 产品名称: Astral系列大孔径激光功率计探头产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 21113211116产品信息: 产品名称: Ultra系列超级激光功率计探头产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 2111316116产品信息: 产品名称: Astral系列激光功率计光电二极管探头产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 21113141916产品信息: 产品名称: Astral S系列光电二极管激光功率计产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 21110394916产品信息: 产品名称: VECTOR H410激光能量计/功率计表头产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 21110264716产品信息: 产品名称: Vector S310激光功率计表头产品类别: 激光系列产品 → 激光能量计/功率计产品编号: 21110143516产品信息:
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
Si基GaN
功率
半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展,将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显,如何解决柔性电子设备的储能问题,是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器,其具有制备工艺简单,成本较低,适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN
功率
半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室(Power Integrated Technology Lab.-PITEL)自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究,是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器,国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
高频高
功率
密度GaN栅驱动电路
作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围,突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势,满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略,最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。
电子科技大学
2021-04-10
高
功率
超短脉冲激光传输光纤
高功率超短脉冲激光技术在激光精细加工和激光 3D 打印等领域表现出很大的优势,可以提供十微米以下甚至亚微米级的加工精度,市场应用前景广阔。由于高功率超短脉冲激光的脉冲宽度非常窄(工业应用通常在百飞秒至几十皮秒量级),单脉冲能量较大,峰值功率非常高,普通实芯石英光纤 受限于材料的非线性和损伤阈值低的问题,无法传输如此高功率的超短脉冲。现在大多采用空间光路 反射输出,这大大增加了系统的复杂性,限制了其应用范围。 北工大基于国家自然科学基金项目,制备了高性能的无节点空芯反谐振光纤,该光纤纤芯为空气 结构,这就避免了材料的吸收,可以大大提高光纤的损伤阈值,进而可用来传输高功率超快激光。这 种高性能无节点空芯反谐振光纤利用改装的特种光纤拉丝塔通过堆积和拉制的方法拉制而成。目前, 国际范围内仅有少数科研单位和一家法国 GLO Photonics 公司具有制备该光纤的能力,并且销售价格较高(约 20,000 元 / 米),阻碍了其工业化应用进程。
北京工业大学
2021-04-13
高效和高
功率
密度电机驱动系统
Ø 成果简介:高功率大转矩交流感应电机驱动系统峰值转矩达1400Nm,应用效果良好;车用高效大功率永磁同步电机驱动系统填补了国内该领域的空白,突破了高速稳定弱磁调速技术难,比功率大于1.45kW/kg。该成果已在大洋电机、北京公交集团、627厂、福田、618厂、山东华盛集团、北京飞驰绿能、安徽安凯公司等企业得到推广应用。Ø 项目来源:自行开发Ø 技术领域:电气工程、新能源汽车Ø &n
北京理工大学
2021-01-12
高
功率
超短脉冲激光传输光纤
北京工业大学
2021-04-14
一种超声波
功率
测量系统
一种超声波功率测量系统,本发明属于测量仪器,解决现有辐 射力天平法测量超声波功率对环境要求较高、仪器达到稳定测量状态 所需时间较长的问题。本发明包括激光器、扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜、CCD 摄像机、计算机、激光电源和光学平台,所述激光器、 扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜和 CCD 摄像机沿光路依次固定在光 学平台上,成像透镜的轴线与激光器 1 发出的平行光的轴线重合,CCD 摄像机放置在成像透镜的焦点上,用于接收衍射图案,并将该图像传
华中科技大学
2021-04-14
Si基GaN
功率
半导体及其集成技术
特色及先进性;技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室(Power Integrated Technology Lab.-PITEL)自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究,是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器,国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构(Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode),其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻,更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比,可以看出MG-HAD具有较小的开启电压(0.6V)和导通电阻(1.3mΩ?cm2)。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力,以10μA/mm 为击穿电流标准,MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限,150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压,因而其baliga优值(BFOM)459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值,见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
首页
上一页
1
2
...
11
12
13
...
23
24
下一页
尾页
热搜推荐:
1
云上高博会企业会员招募
2
64届高博会于2026年5月在南昌举办
3
征集科技创新成果