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青海省科学技术厅关于2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议结果的公示
根据《青海省科学技术奖励办法》及其实施细则的规定，现将通过2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议的1名科学技术重大贡献奖建议获奖人，40项建议获奖项目予以公示。
青海省科技厅
2023-08-04
技术需求：机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。
机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC，电机与电器、电力工程等学科。
山东赛瓦特动力设备有限公司
2021-08-19
教育部办公厅 工业和信息化部办公厅 国家知识产权局办公室关于组织开展 “千校万企”协同创新伙伴行动的通知
为贯彻落实党中央、国务院关于国家中长期科学和技术发展的决策部署，加快实施高校科学技术“十四五”和中长期发展规划、《“十四五”促进中小企业发展规划》和《“十四五”国家知识产权保护和运用规划》，推动高校与企业强化创新合作，促进创新链产业链深度融合，教育部、工业和信息化部、国家知识产权局决定共同组织开展“千校万企”协同创新伙伴行动（简称“千校万企”行动）。
教育部办公厅
2022-07-06
教育部办公厅 工业和信息化部办公厅 国家知识产权局办公室关于组织开展 “千校万企”协同创新伙伴行动的通知
推动高校与龙头企业、中小企业加强产学研合作，最大程度发挥高校作为基础研究主力军、重大科技突破策源地和企业作为创新主体的协同效应，分工协作、优势互补、协同创新，着力突破制约产业发展的关键核心技术和共性技术，加快高校知识产权和科技成果向企业转移转化，推动创新链产业链深度融合，打通从科技强到企业强、产业强、经济强的通道，有力支撑产业基础高级化、产业链现代化。
教育部
2022-07-11
关于印发《山东省自然科学基金项目管理办法》《山东省自然科学基金创新发展联合基金项目管理办法》的通知
为规范和加强山东省自然科学基金项目管理，我们对《山东省自然科学基金项目管理办法》《山东省自然科学基金创新发展联合基金项目管理办法》进行了修订，现印发给你们，请遵照执行。
山东省科学技术厅
2024-05-17
第四届教创赛专家报告集萃③ | 复旦大学外国语言文学学院院长高永伟：人工智能背景下外语教育与人才培养的创新探索
人工智能背景下外语教育与人才培养的创新探索——在全国高校教师教学创新系列活动-新文科教育创新学术活动的报告
中国高等教育博览会
2024-09-03
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10