目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

（专利号：ZL 201410111072.3） 简介：本发明公开了一种银基导电胶的制备方法，属于复合材料制备技术领域。该制备方法具体步骤是：将γ-环糊精、硝酸银、聚丙烯酸钠、浓硝酸、蒸馏水混合，搅拌加热至50～80℃，缓慢滴加抗坏血酸、3,4-乙烯二氧噻吩、吡咯赖氨酸、蒸馏水的混合溶液，反应1小时，过滤，经大量蒸馏水、乙醇洗涤，干燥后得到银含量为88～96%的银基复合导电粒子；将环氧树脂、固化剂以及银基复合导电粒子充分混合,100℃下固化

已有样品/n以辐射加工技术为代表的非动力核技术应用对传统的加工方式产生了颠覆性创新，比如航天航空特种电线、污水处理、材料改性等，产生了很好的经济效益和社会效益。汽车雨刮胶条主要成分是天然橡胶或合成橡胶，实验研究表明电子束辐射能改变橡胶传统的硫化方式，有效提升交联度，通过辐射处理的胶条具有更好的耐候性、耐磨性、拔水性。比如，经过辐照处理后，胶条刮擦循环稳定性可达50 万次，抗拉强度（100%）从4.92MPa 增加到8

本发明公开了一种荧光粉胶的涂覆方法，属于 LED 封装领域，其采用压印方式对 LED 芯片进行荧光粉胶涂覆，包括 S1 将 LED 芯片固定在封装基板上；S2 将荧光粉胶涂覆在所述 LED 芯片上或者所述压印块的端面上，将所述压印块与所述 LED 芯片通过压印方式贴合一起；S3 待荧光粉胶在所述压印块和所述 LED 芯片之间稳定成形后，对所述荧光粉胶进行固化处理获得荧光粉层，实现荧光粉胶的涂覆。本发明方法操作简单，成本低，可灵活控制荧光粉胶形貌，从而提升LED封装光色一致性，其封装成本低，可大规模应用在工业中进行LED封装。

产品详细介绍

 20世纪八十年代，采用正反浮选技术富集中低品位硅钙质磷块岩技术，在降低磷矿中MgO含量方面取得突破性进展。而这一当时鉴定为“国际先进”得技术因直接经济效益不显著未能生产。故全面大幅度降低选矿成本是使正浮选技术转化为生产力的关键。本项目针对这一问题，提出了一套完整的选矿工艺。

"苯基硅橡胶、氟硅橡胶、二乙基硅橡胶是通过共聚的方法在分子链中引入甲基三氟丙基硅氧烷、甲基苯基硅氧烷、二乙基硅氧烷等链节等的特种硅橡胶，是高端装备苛刻工况下密封、阻尼减震等功能实现的关键材料，广泛应用于航空航天、核电装备、汽车电子、石油化工、医疗卫生等工业领，我国大部分特种硅橡胶产品依赖进口。 氟硅橡胶主要用作耐高温和耐低温的耐油密封件、耐油耐高温管路、汽化器部件和隔膜、密封剂和黏接剂等。 苯基硅橡胶是甲基硅橡胶分为低苯基（苯基单元5-15%）、中苯基（苯基单元15-25%）和高苯基（苯基单元30%以上）三个系列，是制备高阻尼、耐低温、耐高温、耐辐照、耐烧蚀有机硅产品的关键原材料，用于核电密封、发动机密封、减振降噪、电力绝缘、电子封装等等尖端领域。 二乙基硅橡胶是分子链中具有二乙基硅氧烷链节的硅橡胶，具有优异的耐低温性能，其最低玻璃化转变温度达到-147℃，是深冷装备、高纬度高寒地区、航空、航天、深海探测等耐低温领域橡胶制品的基础材料。 山东大学研制的氟硅橡胶、苯基硅橡胶等特种硅橡胶已成功应用于“运-20”、“天宫”、“神州”等重大型号及核电辐照防护产品生产，目前正推广应用与民用高端

本发明公开了一种用于 RFID 标签生产的点胶控制设备，包括 XYZ 三轴运动单元、针筒单元、图像采集单元、设备控制单元以及气 路调整单元，其中通过对点胶前后的点胶位置、胶滴固化前后的形状尺寸、针筒内部的压力和温度、点胶高度等予以检测，并相应执行闭 环控制处理，能够在对点胶压力和点胶时间等关键工艺参数进行控制 的同时，使得点胶位置和胶滴的最终形状尺寸满足工艺要求。通过本 发明，能够对 RFID 标签的整个封装过程执行快速、精确和全面的质 量控制，同时具备结构紧凑、便于操控和适应性强等特点，因而适于 各类 RFID 标签的高质量生产过程。 

可以量产/n内容简介：动态硫化丁腈橡胶/聚氯乙烯热塑性弹性体是以丁腈橡胶（PNBR）和高聚合度聚氯乙烯（HPVC）为主体材料，借助双螺杆挤出机，采用动态硫化和原位反应新技术，制备可热塑性加工的PNBR/HPVC弹性体专用料，它包括挤出、注塑、吹塑和发泡四个品级。该弹性体强度高，弹性好，热塑加工性好，边角余料能反复利用。该工艺生产设备简单，投资省，产量高，产品质量稳定，同橡胶加工工艺相比，节能达40%以上。该弹性体经湖北省产品质量监督检验所检测，其物理机械性能：邵氏A硬度为67度、拉伸强度为13.0M