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一种基于光谱分辨率校正提高光信噪比测量精度的方法
本发明公开了一种基于光谱分辨率校正提高光信噪比测量精度 的方法，通过测量一定带宽内宽光谱信号的实际功率，以及采用光谱 分析仪测量该宽光谱信号在该带宽内的采样点的功率之和，获取光谱 分析仪的校正分辨率；并用校正分辨率代替光谱分析仪的设置分辨率， 获取光信噪比，提高其测量精度；本发明提供的这种基于光谱分辨率 校正提高光信噪比测量精度的方法能有效地解决光谱分析仪的设置分 辨率与实际分辨率不同导致光信噪比测量误差较大的问题；
华中科技大学
2021-04-14
一种参数可调的无衍射栅型结构光产生方法和装置
本发明公开了一种无衍射栅型结构光实现方法，包括：(1)将激光器发出的激光光束经过空间滤波准直器进行空间滤波准直，形成平行光束；(2)通过分光镜将所述平行光束分为两束相干光；(3)通过两对称布置且旋转可调的平面反射镜，使两束相干光分别被对应的平面反射镜反射，得到反射后的第一光束和第二光束；(4)使两光束交汇以产生干涉，并通过旋转平面反射镜，使通过两束光束的交汇夹角发生改变，从而即可获得无衍射柵型结构光条纹。本发明还公开了一种无衍射栅型结构光实现装置。本发明可以产生条纹宽度、无衍射范围及无衍射传播距离可
华中科技大学
2021-04-14
东南大学李全团队在光免疫肿瘤治疗方面取得重要研究突破
近日，东南大学智能材料研究院院长、首席科学家、化学化工学院李全团队在细胞焦亡介导的光动力和光热协同免疫肿瘤治疗方面取得重要突破。
东南大学
2023-07-11
一种同轴送丝熔敷激光头的光路分光单元
本发明公开了一种同轴送丝熔敷激光头的光路分光单元，该分 光单元主要包括：准直镜，前四分光透镜，后四分光透镜，聚焦透镜 和金属斜平面反射镜。该单元目的是将准直后的激光束通过两面相对 位置固定的四分光透镜按照激光能量，平均分为水平面上中心对称的 四束光路，分离后的光束通过聚焦透镜聚焦，经过金属斜平面反射镜 聚焦至焦点，光路中空部分嵌入送丝机构，使光路焦点最终聚焦在焊 丝上，实现高精度、高质量、全方向的同轴送丝。
华中科技大学
2021-04-14
一种 IQ 光调制器偏置电压的控制系统及方法
本发明公开了一种 IQ 光调制器偏置电压控制系统及方法，该控 制系统包括顺次连接的激光光源、偏振控制器、IQ 光调制器、光耦合 器、光电探测器、数据处理模块，IQ 光调制器的输出经光耦合器分光 后连接到光电探测器，其输出与数据处理模块的输入相连，数据处理 模块的三个输出分别送至 IQ 光调制器的三个子调制器的直流偏置电 压输入端口。该控制方法为首先通过测量输出光功率的最大值及相邻 最小值，优化子相位调制器的偏压，然后
华中科技大学
2021-04-14
立体易SCAN-P8全自动结构光3D扫描仪
产品详细介绍
广州市网能产品设计有限公司
2021-08-23
纳米石墨相变储能复合材料制备技术及其应用技术
我们在国家自然科学基金、上海市青年科技启明星计划和上海市纳米技术专项等资 助下研制开发的纳米石墨相变储能材料具有储能密度高、导热换热效果优异、安全稳定、 阻燃和环境友好等优点。 技术指标：与现有的相变储能材料相比，纳米石墨基相变储能材料的导热系数提高 1～2 个数量级，相变温度在-40～+70°C 之间连续可调，储能密度可达 150～250J/g 左右， 经 1000 次循环后，性能劣化小于 5％。
同济大学
2021-04-11
基于二次规划的功率型储能调频责任划分方法
本发明公开了一种基于二次规划的功率型储能调频责任划分方法，该方法根据调频电源的基本信息及其实时状态信息，利用二次规划优化调频电源的输出功率，实现对区域误差信号的精确跟踪。同时，对于客观因素(如调频功率不足)造成跟踪失败时，利用线性规划方法实现跟踪误差的最小化。本发明充分利用储能装置的快速反应能力，对系统的二次调频信号进行最大程度的精确跟踪，提高了电网的调频能力。此外，该方法还能将电池储能的电荷状态维持在设定值附近，保证其剩余可充放电能力，增加其使用寿命；同时也有效减少了传统电机在调频过程中因为频繁爬坡造成的设备损耗。
东南大学
2021-04-11
一种基于能量捕获的能效公平性优化方法
本发明公开了一种基于能量捕获的能效公平性优化方法，包括： 获取初始数据，包括基站发射功率、路径损耗因子、网络接收阈值、 用户与单层网络的基站之间的距离、网络总带宽和其它层网络的基站 对用户的干扰；在频谱正交分割的情形下，根据路径损耗因子和网络 接收阈值，得到覆盖概率的平均对数；根据覆盖概率的平均对数、网 络总带宽和网络接收阈值，以网络能效值最大为目标建立网络能效模 型，基于网络能效模型得到网络接收阈值的隐函数；将初始数据输入 到网络接收阈值的隐函数，得到最优网络接收阈值和最优网络能效值。 本发明在保证用户服务质量的同时，有效提升整个网络的能量公平性。
华中科技大学
2021-04-11
揭示单层MoS2能谷直接-间接带隙转变的研究
利用大面积高质量的单层MoS2薄膜，对其施加了流体静压力并进行光谱测量。结果表明单层MoS2在压应力的作用下，其荧光峰先以49.4 meV/GPa的压力蓝移，后以15.3 meV/GPa的压力红移，这对应着直接-间接能带结构的转变，转变点压力为1.9 GPa。
北京大学
2021-04-11