高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
高新能聚合物/石墨烯复合材料系列产品
项目简介:  石墨烯属于碳纳米材料家族中的一员,具  有高硬度、高
西华大学 2021-04-14
多种分布式电源与储能协调控制系统
项目简介: 为了整合分布式发电的优势 , 弥补单一分布式发电的缺点,多 种分布式电源与储能协调控制相关技术研究越来越受到重视。常见的分布式能源主要包括太阳能、生物质能
西华大学 2021-04-14
数智赋能!哈工程14件育人成果亮相“高博会”!
日前,由中国高等教育学会主办全国高等教育领域内规模最大影响力最广泛的综合性品牌博览会第61届中国高等教育博览会(以下简称高博会)在福州举行,哈工程面向数智赋能海洋新质生产力的14件科教产教融合育人成果惊艳亮相。
哈尔滨工程大学 2024-04-23
一种基于位移的分级消能节点阻尼器
本发明公开了一种基于位移的分级消能节点阻尼器,该节点阻尼器包括柱连接基座、梁连接基座、剪切板、耗能棒、限位构件和摩擦片,剪切板的下部两侧分别布置有摩擦片、限位构件和梁连接基座以构成一阶阻尼器,限位构件嵌置在梁连接基座上且限位构件的限位环套置摩擦片后插入剪切板的剪切板摩擦定位孔内;剪切板的上部两侧分别布置有柱连接基座且三者之间采用至少一根耗能棒相连接以构成二阶阻尼器。本发明的节点阻尼器通过设置临界位移以应对不同水准的地震作用,在小位移下启动一阶阻尼器以抵抗多遇和设防地震作用,超过临界位移后并联启动二阶阻尼器,以抵抗罕遇甚至极罕遇地震作用;与节点处的梁柱通过锚栓连接,安装简单且占用空间小。
南京工业大学 2021-01-12
CR-6061-3万能汽车油位传感器
产品详细介绍 CR-6061-3万能汽车油位传感器                     ● 检测范围:0.05-1m               ● 精     度: 0.1级● 承压范围: -0.1MPa-1.6MPa       ● 探极直径: Φ16● 供电电压: 12-28VDC              ● 介质温度: -50-125℃● 输出信号: 4-20mA、0-5V、0-10V、485通讯、232通讯、CAN总线通讯● 温度输出: -50-125℃  ±0.1℃● 固定方式: 螺纹M20*1.5或法兰安装,特殊规格可按要求定制● 防爆等级:本安ExiaⅡC T6  隔爆ExdⅡC T5  公司名称:香港长润自动化系统有限公司HK CHANGRUN AOTOSYSTEN CO.,LTD
香港长润自动化系统有限公司 2021-08-23
XI200XE 2路高清万能采集卡
产品详细介绍功能优势: l        支持多种信号源:支持DVI视频、VGA视频、Y/Pb/Pr视频、HDMI音视频、CVBS视频、S-Video视频。 l        支持超长 DVI/HDMI输入电缆:具有自适应均衡器,支持长达30米的HDMI输入电缆。   规格参数: l         输入通道:2路高/标清输入 l         输入标准支持: a)        DVI:兼容DVI 1.0 标准,最高支持1600x1200 75Hz DVI信号。 b)       VGA:最高支持170M像素率,支持VGA-UXGA等分辨率,自动识别输入格式 c)       HDMI:225M HDMI 接收器,兼容HDMI 1.3 标准,支持 36bit Deep Color。 d)       Y/Pb/Pr:支持525i, 625i, 525p, 625p, 720p, 1080i, 1080p, 1250i 分量输入。 l         标清输入标准:PAL/NTSC l         高清采集输出格式: n         画面大小:40x30 至 2048x1536像素 n         每秒帧数:1-100 帧/秒 n         色彩格式:YUY2/I420/RGB24/RGB32 l         标清采集输出格式: n         画面大小:176x144 至 720x576 n         每秒帧数:1-30帧/秒 n         色彩格式:UYVY/YUY2/I420/RGB24/RGB32 l         VGA 时序支持: n         自动检测并兼容以下时序标准:GTF/CEA/DMT/IBM PC/Apple/VESA n         用户自定义VGA时序及采样参数 l         视频处理功能:RGB/YUV转换,5-Tap 画面缩放,运动自适应去隔行,Gamma校正 l         板载内存:128MB x 2;DDR2/32bit/166MHz x 2 l         VGA A/D参数: 500MHz模拟通道带宽,10bit 采样精度,最大170MSPS采样率 l         CVBS A/D 参数: 10bit 采样精度,4倍过采样,5线自适应梳状滤波器 l         插槽接口: PCI-Express x4 l         主体外观尺寸:150mm x 110mm l         标配附件:DVI-VGA转换头、DVI-HDMI转换头、DVI-Y/Pb/Pr转换头 l         选配附件:VGA信号线,DVI信号线,HDMI信号线
迈斯威尔 2021-08-23
MMW-1A组态控制万能摩擦磨损试验机
产品详细介绍 MMW-1A组态控制万能摩擦磨损试验机 1、性能特点:         该机引入过程控制原理,将工业控制计算机与组态软件技术、网络技术紧密结合;并采用一体化的结构设计,将嵌入式工业控制计算机、组态软件、采集模块、执行器组合在一个框架内,完成对整个试验过程的控制,所有的试验操作都能在计算机主界面中进行,是国内首次应用该项技术的摩擦磨损试验机,具有组态控制方式灵活、摩擦副种类多、调速范围大、能够模拟高温环境,自动化程度高、使用调整方便的特点。 2、适用范围:         该机在一定的接触压力下,能够模拟滚动、滑动或滑滚复合运动,具有多种摩擦副,能够完成点、线、面摩擦模拟试验。可用来评定润滑剂、金属、塑料、涂层、橡胶、陶瓷等材料的摩擦磨损性能。既能满足传统石化行业用户研制、开发、检测各种中高档系列液压油、内燃机油、齿轮机油的需求,又能满足新兴材料开发、新工艺研究用户进行模拟评定测试的需求。 3、主要技术经济指标   序号 项目 技术指标 1 试验力工作范围 10~1000N(无级可调) 2 试验力示值相对误差 ±1% 3 摩擦力矩测量范围 2.5N.m 4 摩擦力矩示值相对误差 ±2% 5 主轴转速范围 1~2000r/min 6 使用减速装置时: 0.05~20r/min 7 试验介质 油、水、泥浆、磨料等 8 温度控制范围 室温~300℃ 9 试验机主轴与下副盘最大距离 >75mm 10 时间控制范围 10s~9999min 11 计算机及数据处理系统      使用工业控制计算机及组态软件,实现对整机和试验过程的全程控制,实时显示各种参数,自动记录摩擦力—时间曲线和温度—时间曲线
济南竟成测试技术有限公司 2021-08-23
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途,薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器;薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作,通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离,提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学 2021-04-11
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 97 98 99
  • ...
  • 123 124 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1