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一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池
一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池，采用一种周期结构的Te-Ti-Cu预置层，置于碲化镉太阳电池的吸收层背表面，作为碲化镉太阳电池的背接触层和背电极材料。从材料构型和材料本身性质上抑制铜扩散，消除铜扩散带来的负面影响，实现欧姆接触，避免化学腐蚀和单独沉积其他金属作电极，减少器件制作工序，提高太阳电池的光电转换效率和改善器件的长效稳定性。
四川大学
2016-10-27
一种染料敏化太阳能电池光阴极及其制备方法和应用
本发明公开了一种染料敏化太阳能电池光阴极及其制备方法和 应用。该方法包括如下步骤：(1)在具有热收缩特性的聚合物基底上沉 积一层透明导电薄膜；(2)在透明导电薄膜表面沉积一层金属薄膜；(3) 对步骤(2)得到的结构进行退火处理，使基底受热收缩，在透明导电薄 膜和金属薄膜上形成褶皱和间隙，完成光阴极的制备。本发明能显著 提高光阴极的催化面积，提高光阴极对透过光的反射率和散射率，进 而提高光阴极的还原效率及光阳极对入射光的利用率，最终提高染料·119·敏化太阳能电池的光电转换
华中科技大学
2021-04-14
利用材料基因工程技术加速钙钛矿太阳电池成分筛选
利用四通道连续喷墨打印机，结合钙钛矿成膜特性和原理，开发了一种适用于混合钙钛矿薄膜制备的高通量连续喷墨打印技术。四种前驱体对应四通道喷头，每种喷头可以打印一种成分，在同一玻璃基底上依次打印，通过控制每个喷头的打印点进而形成不同组分钙钛矿薄膜。整个打印过程可以通过系统软件控制，实现全自动混合打印。打印的薄膜成品质量高，能够进行物相、光学吸收和荧光强度
南方科技大学
2021-04-14
中国科大团队实现对太阳和深空的连续冷热能量捕获和利用
中国科大工程学院/太阳能光热综合利用安徽省重点实验室裴刚教授和国家同步辐射实验室/核科学技术学院邹崇文研究员联合研究团队提出了一种全新的能量利用方法，该方法分别以太阳（约6000K）和太空（约3K）为热源和冷源，巧妙利用光谱自适应智能涂层来解决光热转换过程和辐射制冷过程的光谱冲突，实现24小时全天候的冷热能量捕获和利用。
中国科学技术大学
2022-06-02
一种太阳能高利用率光伏光热温差发电锅炉
（专利号：ZL 201410182396.6） 简介：本发明公开了一种太阳能高利用率光伏光热温差发电锅炉，属于太阳能利用技术领域。本发明包括炉体、顶部光伏发电组件、防水板、底部光伏发电集热器、传热板、温差发电片、传热合金块、上电磁阀、温控与水控装置、下电磁阀、上水位传感器、下水位传感器兼温度传感器、进水管和出水管，顶部光伏发电组件和底部光伏发电集热器分别位于炉体的顶端和底端，底部光伏发电集热器与炉体之间还设置有温差发电片，均用于太阳能光伏
安徽工业大学
2021-01-12
高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-01-12
高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管 - 硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备 p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管 - 硅还是石墨烯 - 硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-04-13
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，缓解了衬底与薄膜之间的应力产生，得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用，该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学
2021-02-01
一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜、其制备方法及用途
本发明公开一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜及其制备方法。该膜由聚合物树脂、磺化聚合物树脂和糖类高分子组成，在优选的原料与比例下对LDL有良好的特异性吸附作用，且具有良好的稳定性和生物相容性，可重复使用，成本低廉，有望投入大规模临床应用。其制备方法包括以下过程:将膜用聚合物树脂、磺化聚合物树脂、糖类高分子、致孔剂按一定比例溶于溶剂，制成均一的纺丝制膜液，将纺丝制膜液过滤、真空脱泡后，通过浸没沉淀相转化法纺丝制备中空纤维成膜，然后将所制得的中空纤维膜依次在去离子水和超纯水充分漂洗。本发明采用的共混溶解制备法具有操作简便安全、原材料廉价易得等优点。
浙江大学
2021-04-11
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时 会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度 系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻 靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后 ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议 2 半导体微环激光器 3 基光电集成电路 4 无线网络与应用：协作无线网络 5 移动通信—LTE 技术
天津大学
2021-04-11