一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域,具体为碳化硅/二氧化硅(内芯/外 层)同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米 电缆的制备方法如下:将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内,将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面,然后把耐高温板推入高温炉,排出炉内氧气,并以 6-15sccm 的速率通入惰性气体保护,以 5-15℃/min 的速度将炉温升到 1000-1100℃,保温 1- 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅(内芯/ 外层)同轴纳米电缆,且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级,是迄今为止报道的 最长的纳米电缆,且制备方法简单,原料便宜易得,设备要求简化,成本低,产率高。
同济大学
2021-04-11