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一种基于网络编码的分布式存储方法及其装置
一种基于网络编码的分布式存储方法及其装置，属于计算机存 储技术领域，解决现有基于网络编码的分布式存储方法所存在的存储 节点的磁盘 IO 过大的问题。本发明的分布式存储方法，适用于分布式 存储系统，包括数据编码步骤、数据解码步骤和数据修复步骤；本发 明的分布式存储装置，包括数据编码模块、数据解码模块和数据修复 模块。本发明在数据节点损坏时，从 d 个数据节点下载不多于原始文 件 D 大小的数据，修复损坏的数据，有效地减
华中科技大学
2021-04-14
一种基于 HBase 的大数据存储与检索方法及系统
本发明公开了一种基于 HBase 的大数据存储与检索方法及系统，本发明基于数据文件字段映射表， 利用 HBase?Thrift 客户端，通过定义好的 RowKey 表达式生成行键，将按行存储的数据导入到 HBase 数 据库中。在保持一致性的前提下，将数据对象的多特征值按照多种组合方式加入形成行键，与普通列值 数据组成 HBase 数据行，按不同行键组成方式存放在多张 HBase 数据表中，进行多特征值数据检索时 根据行键中的几个特征值匹配可快
武汉大学
2021-04-14
用于乙炔吸附和存储的金属有机框架物材料及其制备方法
本发明公开了一种用于乙炔吸附和存储的金属有机框架物材料及制备方法，所述的金属有机框架物材料由过渡金属离子与多齿有机配体5,5’-(吡啶-2,5-二基)-间苯二甲酸通过配位键或者分子间作用力构成的三维网络结构。过渡金属离子优选二价的铜、锌、钴、镍、镉离子。所述的金属有机框架物材料制备工艺简单，具有较高的比表面积2000~2200m2/g和孔容1.0~1.3cm3/g。该材料所用的多齿有机配体引入了含吡啶的碱性单元，可以有效提高乙炔的吸附和存储量。该材料在273K和298K温度条件下具有较高的乙炔吸附量，可以在低压下使用，可望作为一种新型高效的乙炔吸附和存储材料。
浙江大学
2021-04-11
一种基于协作的固态盘存储系统性能提高方法
本发明公开了一种基于协作的固态盘存储系统性能提高方法， 包括：将数据块分为热数据块和冷数据块，搜集垃圾回收信息，将垃 圾回收信息传递到设备端的固态盘，固态盘接收垃圾回收信息并执行 垃圾回收操作。本发明利用主机端和设备端的协作式垃圾回收来提高 固态盘存储系统的性能。
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学
2021-04-14
一种基于写重定向的纠删码存储重构优化方法
本发明公开了一种基于写重定向的纠删码存储重构优化方法， 将写入失效数据节点的数据重定向到由存活节点空余空间所组成的 RS 阵列，将数据重定向过程与包括失效数据节点的重构、重定向数据 的迁移以及迁移所引起的校验数据更新的数据迁移过程分开处理，降 低二者对磁盘、内存、网络带宽等资源的竞争，在加速后台重构过程 ·899·的同时，优化前台用户访问性能。
华中科技大学
2021-04-14
一种云存储下基于纠错码的数据恢复方法
本发明公开了一种云存储下基于纠错码的数据恢复方法，属于 云存储技术领域。本发明首先将数据对象按块进行处理，在分布式云 存储系统中的各远程存储节点中存储数据块、复制块以及校验块。当 远程存储节点出现故障时，通过相关数据块所在存储节点的计算，将 数据传输到替换节点中重组数据以实现数据恢复。本发明通过使用 RS 校验码及利用存储节点自身的计算性能，减少了网络通讯的数据量， 能够在极低带宽的情况下进行数据恢复，同时仅使用一个
华中科技大学
2021-04-14
一种云存储系统数据可用性维护方法及其装置
一种云存储系统数据可用性维护方法及其装置，属于云存储技 术领域，解决现有数据可用性维护方法存在的元数据服务器或超级节 点的单点故障导致数据可用性维护中断的问题。本发明的方法，用于 具有中心存储服务器、元数据服务器和 P2P 网络的系统中，包括编码 步骤、订立租约步骤、执行租约步骤和租约维护步骤。本发明的装置， 包括编码模块、订立租约模块、执行租约模块和租约维护模块。本发 明充分利用 P2P 对等节点的计算、存储、网络
华中科技大学
2021-04-14
基于访问日志信息的空间小文件数据分布存储方法及系统
本发明提供基于访问日志信息的空间小文件数据分布存储方法及系统，包括将空间小文件数据集分 成频繁访问的子集和非频繁访问的子集，提取频繁访问的空间小文件数据子集的访问序列，分段计算各 频繁访问的空间小文件数据的关联度，并将各频繁访问的空间小文件数据相互之间的关联度数值组成关 联矩阵；对关联矩阵中各元素数值进行大小转换后利用 RCM 排序算法重排后输出，对重排后的关联矩 阵利用局部逼近搜索法寻找最佳组合，利用最佳组合对频繁访问的空间小文件数据进行分布
武汉大学
2021-04-14
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10