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高等教育领域数字化综合服务平台
机器视觉系统应用实训平台（初级）
深圳市越疆科技有限公司
2022-06-14
机器视觉系统应用实训平台（中级）
深圳市越疆科技有限公司
2022-06-14
机器视觉系统应用实训平台（高级）
深圳市越疆科技有限公司
2022-06-14
人工智能边缘实验平台 （AI Edge Platform）
人工智能边缘实验平台为标准的2.5U机架式设备，配置20块FPGA开发板(Cyclone V SoC系列)，可供20位学员同时进行FPGA设计、调试、下载及相关验证，并具备SoC网络技术和FPGA远程调试技术，通过网络为教学实验提供配套服务，实现在线实验室的虚拟仿真技术。AI Edge Platform is a standard 2.5U rack server,which is equipped with 20 FPGA Development Boards (Cyclone V SoC FPGA Series). It can be used by 20 students to design,debug,download and verify FPGA at the same time. It also has SoC network technology and FPGA remote debugging technology,and provides support for teaching experiments through the network;realizes the virtual simulation technology of online laboratory.
重庆海云捷迅科技有限公司
2022-06-17
电磁学综合实验平台 COC-MCES
实验内容
a 磁阻传感器特性测量：
1、研究霍尔磁阻传感器特性；
2、研究各向异性磁阻传感器特性；
3、研究巨磁电阻传感器特性；
4、研究隧道磁电阻传感器特性。
b 磁场分布的测量：
1、学习霍尔效应测量磁感应强度的原理；
2、测量螺线管轴线上磁感应强度的大小及分布情况；
3、测量 C 型电磁铁空间三维磁场的大小及分布情况；
4、测量单个线圈和共轴线圈空间三维磁场大小及分布情况。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
UAV只能视觉感知教学研究实验平台
1、江苏优埃唯智能科技有限公司UAV智能视觉感知教学研究实验平台，包含3个彩色高清工业相机与2个免驱USB多系统兼容摄像头，满足不同场景、不同功耗需求的图像采集需求，并包含配备数字光源控制器的补充光源、高精度可控PLC置物台、内置数据存储与处理器、显示器。
2、支持单目、双目、三目等不同数量相机、以及工业相机、免驱USB摄像头等不同类型图像采集装置的自由组合、协同数据采集与处理功能、适用于不同尺寸目标的静态/动态连续帧触发采集。
3、提供机械设计及电气图纸、Python开发例程源码与功能手册，支持二次开发。
4、具有基础图像处理功能，以及相机标定、立体匹配、目标定位等多种先进的图像处理功能。
江苏优埃唯智能科技有限公司
2023-05-05
VR推拿慎用手法安全实训平台
该系统对推拿手法尤其是慎用手法利用VR技术让学生们进行互动练习，在最大程度保证安全的情况下达到训练目的。
深圳巴久聆科技有限公司
2023-02-06
氧化铁石墨烯复合材料在电化学能源存储和转化领域的研究
氧化铁石墨烯复合材料目前涉及的电化学方面的应用包括锂离子电池、超级电容器和燃料电池。氧化铁（包括Fe3O4，α-Fe2O3和γ-Fe2O3）是制作电化学器件非常有前途的材料，不仅具有成本低、无毒性、化学稳定性好等优点，还具有较高的理论电容量。但在实际使用时又因为自身导电性的不足以及反应的循环稳定性差等问题受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面积，较高的导电性，优异的化学和热力学稳定性，以及独特的光、热、机械性能，成为了非常合适作为制作电化学能源存储和转化器件的材料。负载氧化铁在石墨烯上，不仅能够弥
天津大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，
华中科技大学
2021-04-14