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蜂群自组网跳频系统物理层设计与实现
蜂群自组网系统具有自组织通信及抗干扰能力,完成地面系统与蜂群之间、蜂群内部各种指令信息、规划信息、协同信息、状态信息、载荷信息及目标信息的交互与共享。 自组网系统具有32空中节点+2地面节点快速动态自组网能力和网络内部信息互联互通能力;最大点对点通信速率12Mbps;采用TDMA多址方式工作;跳频速率2万跳。 联合时域、码域和频域的抗干扰技术:可对抗30%的频域/时域压制式干扰。多载波通信体制与频域均衡技术:具有较强的抗多径能力,在低空视距或者非视距场景下,仍能正常工作。 小型化设计:重量350克,体积小于850mm×850mm×25mm。
西安电子科技大学 2022-06-07
中国科大在大气边界层研究方面取得重要进展
中国科学技术大学工程科学学院刘罗勤特任研究员在大气边界层的理论研究方面取得突破性进展,在国际上首次获得了适用于整个常规中性大气边界层的速度、风向、湍流剪切力预测的解析表达式,其结果与高精度数值模拟和大气观测数据符合一致。
中国科学技术大学 2022-06-02
Nature刊发华理朱为宏教授团队最新研究成果
国际权威学术期刊《自然》(Nature)以“Reconstructedcovalentorganicframeworks”为题,在线报道了华东理工大学材料生物学与动态化学教育部前沿科学中心、化学与分子工程学院朱为宏教授、田禾院士和英国利物浦大学AndrewCooper教授基于动态化学构筑共价有机框架材料研究取得的突破性进展。
华东理工大学 2022-04-08
一种用于三层结构薄膜的接料装置
本发明提供了一种用于三层结构薄膜的接料装置,包括接料底板,设置在接料底板的一相对两侧,用于提供粘结胶带的粘结胶带组件;设置在接料底板的另一相对两侧,用于对接薄膜整齐对位的胶带纠偏组件;设置在接料底板上用于接料时固定对接薄膜的压合组件;以及设置在接料底板上方用于夹持三层结构薄膜各层的夹持组件。本发明实现三层结构薄膜的分层对接,整个装置结构简单,操作方便,易于实现。
华中科技大学 2021-04-11
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由ALSB顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中ALSB顶电池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉积N型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在SODA LIME玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。
四川大学 2021-04-11
高超声速转捩边界层气动加热机理研究
高超音速飞行器是本世纪正在研发的前沿科技新项目,它又被称作“近空间高超音速飞行器(NSHV)”。从科技的角度分析,高超音速飞行器同时融合了航天和航空的诸多前沿技术,这些前沿技术与传统飞行器技术比较,主要有以下几方面特点:复杂的气动特性;使用超燃冲压发动机;飞行器机体与发动机一体化;飞行器机体与推进系统和飞行器结构动态之间耦合强;飞行器模型非线性度高;飞行器飞行高度、速度跨度大;飞行环境复杂,瞬息万变;气动特性和气热特性变化剧烈;控制精度高,末制导难度大。
北京大学 2021-02-01
铝合金表面复合高速钢耐磨层的制备方法
研发阶段/n本发明涉及一种铝合金表面复合高速钢耐磨层的制备方法,首先,在铝合金表面热喷涂0.2mm-1.5mm厚度的高速钢涂层,然后通过搅拌摩擦加工,使热喷涂的高速钢涂层均匀镶嵌、熔合在铝合金表面层中,形成一层良好的耐磨层,涂层和基体间产生冶金结合。本发明通过搅拌摩擦加工,使热喷涂涂层均匀镶嵌、熔合在铝合金表面层中,形成一层良好的耐磨层,涂层和基体间产生冶金结合。本发明获得的高速钢耐磨层硬度>520HV,结合强度>70MPa。
湖北工业大学 2021-01-12
一次性三层结构吸水隔离铺巾
本实用新型提供一次性三层结构吸水隔离铺巾,包括表面透水防渗表层,中间吸收层和底层拒水层;所述吸水隔离铺巾的边缘处压制有导流槽。本实用新型可以防止体液血液流下,提高了手术视野的清晰 度,降低了手术环境和对手术者的污染,有效防止职业暴露。
武汉大学 2021-04-14
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱吸收分离层、非掺杂AlzGa1?zN倍增层、p型AlGaN层,在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极,在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极,其中0(x(y(z(1。本
东南大学 2021-04-14
一种残余应力层深分布辅助测量装置及方法
本发明公开了一种残余应力层深分布辅助测量装置,包括底部 支撑装置、工件支撑装置、传感器支架及位移传感器,所述底部支撑 装置包括底座、两导轨、伺服电机和滚珠丝杠机构,所述工件支撑装 置包括连接板、V 型块和工件限位机构;所述工件限位机构包括安装 在连接板上的限位架及安装在限位架上的压紧装置,所述压紧装置位 于 V 型块的上方;所述传感器支架安装在底座上,所述位移传感器上 下位置可调整地安装在传感器支架上,所述位移传感器用于与 V 型块 上的待测区域接触
华中科技大学 2021-04-14
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