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皓白电机-X2
了解更多产品详情,请与我们联系 180 6798 3675 公司官网:https://www.lierda.com
浙江利尔达客思智能科技有限公司 2021-08-23
04013电子起电机
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
23008感应起电机
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
平板式直线电机
产品详细介绍自10年年初推出平板型直线电机以来,多次有客户向我公司询问平板电机的产品及技术。年底,我公司为客户订做平板直线电机平台,用于数控机床研发。  SMIV-1-810  技术参数:  有效行程:810mm(采用定子拼接)  峰值推力:340N  持续推力:104N  系统分辨率:0.1μm(采用MicroE精密光栅编码器)  最大速度:2m/s    电机具有霍尔换相功能  直线电机将电能直接转化为直线机械运动,结构简单,无中间机械传动环节,免维护。电机运行平稳,运动速度快,惯量小,加速度大,刚性高,结构紧凑。行程可任意设计,适用于高速和高加速直线运动场合。    目前我公司除生产SM无铁芯直线电机外,还生产IC有铁芯平板直线电机。平板电机除具有普通直线电机的优点以外,动子与定子非接触,推力更大,运动更加平滑,磁损耗小,发热小。
北京慧摩森电子系统技术有限公司 2021-08-23
无框直驱电机
产品详细介绍KBM无框直驱电机系列采用了最新的直接驱动技术。 KBM直驱电机凭借多种多样的规格和转矩,为当今的设计工程师提供了他们所需的高性能、长寿命和便捷的安装。KBM无框力矩电机的优势:• 和负载直接连接,消除了减速机、同步带和滑轮• 零齿隙提供了更好的系统性能• 消除了机器连接设备,降低了机器的整体尺寸• 内置式电机使机器更为紧凑• 大量的标准电机备选,并提供定制化服务,助您更快,更经济的研发您   的机器作为Kollmorgen的系统集成商,慧摩森公司可为您设计、加工、组装和调试KBM全系列的集成产品。
北京慧摩森电子系统技术有限公司 2021-08-23
我国成功实现51比特超导量子簇态制备和验证
中国科学家继2017年起先后完成10比特、12比特、18比特的真纠缠态制备之后,在量子科技领域又一次刷新世界纪录——成功实现51比特超导量子簇态制备和验证。
科创中国 2023-07-17
一种宽阻带抑制高温超导低通滤波器
本发明涉及低通滤波器技术领域,公开了一种宽阻带抑制高温超导低通滤波器,包括依次串联的交指发夹低通滤波器和窄带带阻滤波器;交指发夹低通滤波器包括至少一个交指发夹谐振器,交指发夹谐振器在发夹型谐振单元的一对耦合传输线中引入交指微带线,以在通带和阻带的边缘引入传输零点;窄带带阻滤波器包括至少一个半波长阶跃阻抗谐振器,半波长阶跃阻抗谐振器将半波长谐振器通过电磁耦合形式加载到主传输线,以引入串联传输零点。本发明实现了在宽频段带通和特定频段的有效干扰抑制,同时保持了较小的插入损耗和良好的边带抑制。
上海理工大学 2021-01-12
酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用酸性烤蓝工艺在软磁合金粉末表面包覆由尺寸均匀的纳米Fe3O4形成的包覆层,经粘结、压制成型、热处理工艺,制备新型的软磁复合材料。本发明的优点是:采用酸性烤蓝工艺制备Fe3O4方法简单,并且容易控制Fe3O4层的厚度, 由于该反应是原位反应,因此制备的绝缘层致密,与磁粉的结合度高。与传统的软磁复合材料相比,由于绝缘层为亚铁磁性的Fe3O4,有效减少了磁稀释现象,从而可以得到具有高饱和磁通密度、高磁导率的软磁复合材料。
浙江大学 2021-04-11
碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用碱性烤蓝工艺使磁粉表面氧化生成一层均匀的Fe3O4的绝缘层,然后经粘结、压制成型、热处理工艺,制备新型软磁复合材料。本发明的优点是:采用碱性烤蓝工艺制备的Fe3O4是在软磁粉末的表面原位生长,因此绝缘包覆层与磁粉之间结合度高,并且包覆均匀致密;由于Fe3O4具有较高的电阻率,因此具有较好的绝缘效果;另一方面,用亚铁磁性的Fe3O4作为绝缘包覆剂,克服了传统非磁性物质作为包覆剂的磁稀释现象,可以获得更高的磁导率及磁通密度;碱性烤蓝工艺操作简单,成本较低,有利于实现工业化生产。
浙江大学 2021-04-11
一种基于缺陷磁泄漏域反向场的漏磁检测方法与装置
本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化;②在上述被磁化的导磁构件外围,剔除已有背景磁场,形成磁真空区域;③采用磁敏元件布置于磁真空区域,拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号,如果电压信号中存在突变,则说明待检测导磁构件中存在缺陷,否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化,以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场;在其内腔布置永磁体对,产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消,形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来,同时消除由
华中科技大学 2021-04-14
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