产品详细介绍UVR-III全光谱数码照相系统价格：150000.00佳能70D改制，运用近贴光锥耦合紫红外增强技术，使相机可以感应200nm-1100nm波长光线。对各种光滑客体表面的指纹，实时观察，直接拍照。相机像素：1800万取景模式：光学取景∕实时取景影像感应器：22.3×14.9mmLED显示屏：3.0英寸TFT液晶屏影像处理系统：DIGIC 4相机感光度： ISO 100-12800曝光模式：P、AV、TV、M紫外镜头：78毫米，有微距功能滤光片：254、365、850、950nm环形短波紫外光源：功率8W远程搜索光源：功率8W红外便携光源： 600nm-1100nm产品名称 规格及技术参数全光谱数码照相机主机 应用于现成勘查中指纹、血液、精斑等物质的发现固定提取，可以直接拍照提取指纹，对客体无损害，保证指纹的完整性。技术参数：相机类型 佳能60D数码单反相机（改装）波长响应范围 200nm~~1100nm相机像素 1800万像素紫外石英镜头 高通量8W紫外环型光源 交直流供电式紫外灯远程紫外搜索灯 交直流供电式紫外灯红外光源 35W便携式红外灯254nm、365nm紫外滤光片 高品质窄带紫外滤光片850nm、950nm红外滤光片 高品质窄带红外滤光片高性能交直流电池充电器 8.4V专用充电器取景模式 实时取景传感器尺寸 22.3×14.9 mm存储介质 SD卡感光度 相当于ISO100~12800图像传输 USB2.0（高速）曝光模式 M档、TV档、AV挡、P档影像处理器 DIGIC 4配置清单1 紫红外数码相机主机 1台2 照相机电池、充电器、数据传输线 1套3 高通量紫外石英镜头 1个4 254nm、365nm、850nm、950nm滤光片 各1片5 4G SD卡 1个6 紫外光源（配8.4V充电器） 1套7 小型红外光源 1个8 紫外防护镜 2付9 三防箱子 1个10 三角架 1架11 比例尺 1包12 手套 2付13 说明书、光盘 1套

本发明涉及一种基于超表面的光偏振控制的透反射一体式转换器，包括上层的纳米二聚体阵列和下层的衬底，衬底平面为xy轴平面，x轴垂直于y轴，两个结构材质完全相同的半导体圆柱体纳米结构间隔固定距离排列构成纳米二聚体，纳米二聚体中两个圆柱体中心连线方向为二聚体轴方向，即x轴方向；衬底平面上的纳米二聚体阵列为沿x轴、y轴周期排列的纳米二聚体阵列。

本发明公开了一种特殊Y分支型弯曲结构的1x16光分路器，所述1x16光分路器的整体长度Z＝35000μm，每两个相邻输出波导的间距Xθ＝127μm，输入波导和输出波导的截面均为6μm×6μm的矩形。传统1x16光分路器存在输入端口和输出端口之间的距离长的问题，导致光分路器整体长度长，难以达到目前光电子器件高度集成化的要求。本发明则解决了传统1x16光分路器存在的该问题，本发明1x16光分路器体积小、损耗低，符合光电子器件高度集成化的要求。

产品详细介绍专为旅游景点，体育文化场所，会议中心，博览中心，行李寄存，商场，酒店,法院，监狱等重要场所设计 *严格的内部质量控制，实施工程与生产双检原则 *整机部件保障措施 #高性能网络功能 *通过国家公安部检测 *通过欧盟CE认证 *国际知名公司ISO9001认证 *通过ISO14001环境认证 *通过中国政府的辐射安全认证       ☆基本参数指标： 通道尺寸       500（宽）×300（高）mm 传送带速度     0.22 m/s 传送带额定负荷 120 kg 单次检查剂量   < 1.5µGy 分辨力         直径0.101mm金属线 穿透力                 34mm钢板 胶卷安全性     对ISO1600胶卷安全 泄漏剂量       <0.05µGy/h   ☆X射线发生器： 射线束方向       底照式 管电流              0.4~ 1.2mA（可调） 管电压               100~160 kV（可调） 射线束发散角  60° 冷却／工作周期 密封式油冷／100％   ☆使用环境： 工作温度／湿度   0℃～45℃／20%～95% (不冷凝)    储存温度／湿度   -20℃～60℃／20%～95% (不冷凝) 工作电压        220VAC(±10%)  50±3Hz 功率损耗        1.0KW（最大值） 噪声级          <65dB

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

1 成果简介本项目设计并制备一种用于旋转放疗设备的快速宽野动态多叶光栅，研究并实现其机构、传动和驱动等关键技术。研究内容主要由以下三个方面组成，包括多叶光栅机构设计与分析、快速宽野动态多叶光栅精密传动技术、快速宽野动态多叶光栅驱动技术。 本项目的主要研究内容包括： （ 1） 快速宽野动态多叶光栅机构设计与分析 本项目建议开发的快速宽野动态多叶光栅，可实现放射线束宽野和剂量的实时动态调节，使实施的宽野和剂量分布与计划剂量相适应。多叶光栅叶片尺寸形状以及空间位置排布设计，不仅影响多叶光栅整体机械运动性能和多叶光栅使用寿命，而且直接决定多叶光栅适形度和调强能力，从而影响放疗剂量分布，并最终主导治疗效果。多叶光栅叶片的设计主要是围绕着提高适形度、减少透射半影、降低漏射、三维适形、动态调强等功能展开。多叶光栅叶片设计主要包括叶片对数、叶片高度、聚焦形式、端面设计、横截面设计等。另外，为满足高速高精度运动参数指标要求，叶片轻量化设计意义重大。在叶片的制造方面，如何实现复杂外形钨合金叶片的高精度加工工艺以及异性材料可靠拼接的复合叶片工艺，将是是本项目研究的重点之一。 （ 2） 快速宽野动态多叶光栅精密传动技术 本项目建议开发的快速宽野动态多叶光栅，采用高精度轻量化传动设计，提高叶片运动速度和运动精度，满足复杂肿瘤的治疗需求。该多叶光栅传动包括直驱传动及导轨设计。直驱传动用于驱动叶片直线往复运动，导轨用于精确导向。由于多叶光栅运动往复运动，需要频繁加减速，实现快速切换能力，为了满足叶片高速精密运动，需要高速精密的功能部件、高刚度的结构件和结合部以及轻量化的结构件提供保证。 （ 3） 快速宽野动态多叶光栅驱动技术 现有的开关式多叶光栅采用气压驱动的方式，叶片通过撞击停止，降低了机械零件的使用寿命，并产生很大的噪声，同时气路传输增加整个医疗设备的复杂度。本项目建议开发的快速宽野动态多叶光栅，采用新型高速直线电机驱动单元，可克服气动驱动方式的缺点，并能实现开关状态之外，叶片运动过程中的位置和速度的精确控制。在后续研究开展中，叶片中间位置和速度的精确控制可应用于新型螺旋断层放射治疗算法，提高治疗效率和治疗精度。 本项目的创新点主要包括： （ 1）提出一种新型快速宽野动态多叶光栅 本项目拟开发的快速宽野动态多叶光栅，叶片可快速的实现开关，开或关时间约 30ms，采用直线电机驱动方法以实现每个叶片（共 32 对）的独立运动，同时要精确控制每个叶片的速度和位置，以实现放射线束强度和区域的实时动态调节，以达到理想的照射剂量分布。拟开发的多叶光栅叶片物理厚度不大于 3mm，叶片高度不小于 100mm，叶片漏射率小于 2%。 （ 2）提出一种快速宽野动态多叶光栅机构传动方法 本项目建议开发的快速宽野动态多叶光栅，采用直驱传动技术和高精度轻量化传动设计，优化导轨受力和精度控制，实现叶片机械到位精度 0.1 mm，叶片机械重复定位精度 0.05mm。 （ 3）提出一种快速宽野动态多叶光栅驱动方法 本项目建议开发的快速宽野动态多叶光栅，采用新型高速直线电机驱动单元，叶片不仅可工作于开关状态，同时，也可实现叶片运动过程中的位置和速度的精确控制。叶片最大行程不小于 50 mm，叶片最大运动速度大于 500 mm/s，叶片加速度大于 2 g。在上述高速度高加速叶片驱动技术基础之上，本项目拟开发的多叶光栅可实现工作噪声低于 70 db。2 应用说明现阶段快速宽野动态多叶光栅基本成型，处于产业化前期，本项目提出的快速宽野动态多叶光栅，填补了国内二元多叶光栅的空白，性能指标达到国外同类产品的技术水平，且在射线效率、噪声和寿命等方面更具有优势。形成的知识产权、技术标准的种类和数量很多，获得国内发明专利和软件版权不少于 53 项。目前泰来 1 号产品研发过程中，已经申请的发明专利有 5 项：（ 1）一种多定子多动子阵列式直线电机驱动装置（ CN 102195439 A）；（ 2）用于医疗设备的 X 射线源在线切换系统及方法（ CN 102283666 A）；（ 3）肿瘤精确靶向放疗设备的时钟同步方法（ CN 102294082 A）；（ 4）用于肿瘤治疗的摆台装置和精确靶向治疗设备（ CN 102188779 A）；（ 5）多驱动单元组成的进给系统（ CN 101618517 B）。已经申请的软件版权有 10 项，医疗设备直线电机设计软件；医用多叶光栅调试软件；医用多叶光栅数控加工自动编程软件；放疗多叶准直器控制软件； TL2012 医用环形加速器出束控制软件；环形医用加速器安全联锁软件；包络断层放疗算法软件；医用加速器环形机架断层运动控制软件；医用加速器调试软件；医用肿瘤 3D 建模与数控加工自动编程软件。3 效益分析多叶光栅技术是放疗设备的关键所在，国外设备由于技术领先占据了国内外的高端市场，但这远不能满足市场的需求。据统计，目前全世界每年对放疗设备的顾客需求量是 300台/年，以多叶光栅每台 30 万美元计算，且仅占据 1/3 市场，则能够产生的效益巨大。4 合作方式技术转让或合作开发，商谈。5 项目所属行业领域医疗健康领域。

YXPVG高精度宽范围可编程直流电源是研旭电气最新研制全数字可编程直流电源供应器，采用基于数字信号处理的全数字控制技术以及高效的软开关技术以及主动功率因数校正技术，具有整机效率高、体积小、重量轻的特点，可提供精准的测试数据以及纯净可靠的供电以及与其他设备组建测试系统。本产品具有友好简洁的操作界面，用户操作方便快捷，极大的为您的测试节省了时间及人力成本，是您测试的理想帮手。 产品特点： 标准3U功率可达15KW，单机使用或上仪器都适用； 具备主动PFC功能，功率因数0.99； 最大工作功率≥95.8%，满载工作效率可达≥95.2%； 定电压（CV）/定电流（CC）自动切换，反应快速； 采用分辨率为240x128的LCD显示屏； 全数位设计，输出电压、电流及功率测量显示功能； 可并联多台电源工作，功率可扩展至150KW； 支持限流，均流功能； 支持输入过/欠压保护、输入过流保护； 支持输出过压，过流短路保护功能、以及过温度保护功能； 提供输出电压缓升，并可设定缓升时间，电压缓降，并可设定缓降时间； 10组设定数据记忆； RS-485通信； 直流输出ON/OFF开关。 应用领域： 移动通信；马达老化测试；汽车电子，高铁等领域电气测试；科技研发；LED照明测试；工业控制及自动化；半导体低功耗测试；汽车充电桩；通讯广播电视；太阳能光伏领域；医疗设备；邮电通信及基站；动车组电容，电池组充电测试；真空镀膜设备。

本发明公开了一种智能光伏电站模拟仪的汇流箱电路.本发明包括控制电路,供电电路,接口电路,通信电路和外围电路.本发明可以用于光伏发电系统与阵列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及阵列板.本发明可以实现8块太阳能电池板的电压以及电流汇总输出.

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。