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DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
北京锦正茂科技有限公司 2022-03-21
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-04-11
北京师范大学珠海校区材料磁性综合测量仪等设备采购项目竞争性磋商
北京师范大学珠海校区材料磁性综合测量仪等设备采购项目竞争性磋商
北京师范大学 2022-05-27
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
巨热电势的离子热电材料
基于Seebeck效应的热电转换材料可以实现热能与电能之间的直接相互转换,可为物联网体系中的小型传感器或电子设备提供可持续工作的电能。目前,基于传统电子型的热电转换材料(e-TE)在室温环境下捕获的能量可以达到毫瓦级的输出功率,但是受半导体电声输运行为的限制,优化的热电势约在200 μV/K左右。为获得1-5伏的供传感器工作的电压,在室温环境下的小温差工况下需要成千上万对n/p传统电子型热电对,增加了热电器件的集成难度和复杂程度;或者需要外接DC-
南方科技大学 2021-04-14
医用金属植入体表面壳聚糖季铵盐/胶原复合涂层的制备方法
本发明公开的医用金属植入体表面壳聚糖季铵盐/胶原复合涂层的制备方法,包括配制含钙、磷、胶原、壳聚糖季铵盐的电解液,以铂片作为对电极,以酸清洗过的金属基板作为工作电极,采用多电位阶跃模式进行电化学沉积,通过调整每段阶跃工作电极电位的正负、大小以及每段沉积时间,无需多次沉积,可快速简易地实现壳聚糖季铵盐在基板表面矿化胶原涂层中空间分布可控,即胶原涂层里层富集壳聚糖季铵盐和涂层外层富集壳聚糖季铵盐。利用壳聚糖季铵盐带有正电荷的性质,将生物生长因子承载到胶原涂层不同空间位置,实现了生物生长因子释放行为可控调节,同时增大了涂层承载生物生长因子的能力,在硬骨组织修复领域具有广泛的应用前景。
浙江大学 2021-04-13
一种最大气泡法测定液体表面张力试验装样试管
本实用新型公开了一种最大气泡法测定液体表面张力试验装样试管,包含插毛细管口、与压差产生装置和压差测量装置连接的支管和用于滴加或吸取试样调节试管内液面高度的侧管。本实用新型通过侧管用滴管向试管内滴加试样或用滴管吸取试管内的试样,以保证试管上部口中插入毛细管后,毛细管下端端面恰好与试管内液面相切,使得毛细管下端出泡时不会受到附加液体静压差的作用,出泡均匀、规整。
浙江大学 2021-04-13
一种水体表观光谱二向性自动测量装置及方法
本发明公开了一种水体表观光谱二向性自动测量装置及方法,装置包括总控系统、观测几何自动调 整系统、全球定位系统、多角度光学测量系统;总控系统分别通过电缆与观测几何自动调整系统、全球 定位系统、多角度光学测量系统连接,多角度光学测量系统安装在观测几何自动调整系统上;方法包括 安装部署、位置信息输入、实时时间信息输入、太阳方位角计算、观测几何自动调整、多角度光谱采集; 本发明能轻松实现若干个观测方位上的水体表观光谱的自动测量,严格调整观测角度,并行采
武汉大学 2021-04-14
一种医用植入体表面非均相层状的矿化涂层及其制备方法
本发明公开的医用植入体表面非均相层状的矿化涂层,在医用植入体表面自下而上依次有致密壳聚糖层、多孔矿化壳聚糖层和矿化胶原/壳聚糖交联体层。本发明以胶原、壳聚糖、含钙化合物和含磷化合物为原料,在水溶液中下通过电化学反应,在医用金属基体表面一次性组装非均相层状矿化涂层,通过调节电沉积参数,可以调整各相的沉积状态,从而实现非均向层状涂层的制备。本发明方法简单,易行,可控性高,制得的医用材料涂层能够促进细胞在其表面的附着及增殖,具有承载药物的功能,且具有强化的生物活性性能。涂层与金属基板的结合强度高,稳定性好。
浙江大学 2021-04-11
霍尔效应测试仪 半导体材料测量实验仪器
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-25
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